新产品

SiE726DF

Vishay Siliconix公司

N通道30 -V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管

产品概述

I

D

(A)

a

V

DS

(V)

30

R

DS （ ON）

(Ω)

e

0.0024在V

GS

= 10 V

0.0033在V

GS

= 4.5 V

硅

极限

175

149

包

Q

g

（典型值）。

极限

60

50 NC

60

特点

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

SkyFET 单片TrenchFET

功率MOSFET和肖特基二极管

超低热阻使用专升本

暴露的PolarPAK

包双精度型

双面冷却

引线框架为基础的新型密封封装

- 模具不外露

- 相同的布局无论模具尺寸

低Q

gd

/Q

gs

比有助于防止直通

100 % R

g

和UIS测试

符合RoHS指令2002/95 / EC

封装图

www.vishay.com/doc?72945

的PolarPAK

10

D

9

G

8

S

7

S

6

D

6

7

8

9

10

应用

D

D

S

G

D

同步整流

DC / DC

低边开关

D

D

1

G

2

S

S

3

4

顶部

意见

D

5

5

4

3

2

1

G

N沟道

MOSFET

肖特基二极管

底部

意见

顶面连接至引脚1 ， 5，6，和10

订货信息：

SiE726DF -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）

SiE726DF -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）

S

对于相关文档

www.vishay.com/ppg?68626

绝对最大额定值

T

A

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

T

C

= 25 °C

连续漏电流（T

J

= 150 °C)

T

C

= 70 °C

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

L = 0.1 mH的

I

D

符号

V

DS

V

GS

极限

30

± 20

175 （硅限制）

60

a

（套餐限制）

60

a

35

B，C

28

B，C

80

60

a

4.3

B，C

50

125

125

80

5.2

B，C

3.3

B，C

- 55 150

260

单位

V

A

漏电流脉冲

连续源极 - 漏极二极管电流

单脉冲雪崩电流

雪崩能量

I

DM

I

S

I

AS

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

mJ

W

°C

焊接建议（峰值

注意事项：

一。包装有限。

B 。表面安装1" X 1" FR4板。

。 T = 10秒。

。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。该的PolarPAK是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未

镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，不

需要保证足够的底侧的焊料互连。

。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。

温度）

D，E

文档编号： 68626

S09-1338 -REV 。 B， 13 09年7月

www.vishay.com

1

T

C

= 25 °C

T

C

= 70 °C

最大功率耗散

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

工作结存储温度范围