位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第360页 > BD8314NUV-E2 > BD8314NUV-E2 PDF资料 > BD8314NUV-E2 PDF资料2第5页
BD8314NUV
参考
数据（除非另有说明， TA = 25 ℃， VCC = 7.4 V）
1.02
技术说明
1.02
5.3
5.2
INV阈值[V ]
INV阈值[V ]
1.01
1.01
VREG电压[V]的
5.1
5.0
4.9
1.00
1.00
0.99
0.99
4.8
0.98
-40 -20
0
20
40
60
80
100 120
温度
℃
]
0.98
0
5
VCC [V]的
10
4.7
-40
0
40
Temperat .. [温度URE [ ℃ ]
80
120
如图3所示。 INV门槛
温度特性
8
7
1.4
图4 。 INV门槛
电源特性
1.4
图5 。 VREG输出
温度特性
Vreg的[V]的
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
VCC [V]的
10
12
14
频率〔MHz〕
6
频率〔MHz〕
1.3
1.3
1.2
1.2
1.1
1.1
1.0
-40
0
40
80
温度
℃
]
120
1.0
3
6
9
VCC [V]的
12
15
图6 。 VREG输出
电源特性
3.5
UVLO阈值电压[ V]
3.4
3.3
3.2
3.1
3.0
2.9
2.8
2.7
2.6
2.5
-40 -20
0
25
50
85
100 120
北部沿海地区[
℃
]
0.00
0.25
图7 。 FOSC
温度特性
160
140
ヒステリシス電圧
VHYS [V]的
0.20
图8 。 FOSC
电压特性
120
UVLO发布
导通电阻[ MO ]
ID=500mA
ID=500mA
100
导通电阻[ MO ]
80
60
40
20
0
120
100
80
60
40
20
0
-40
0
40
80
北部沿海地区[
℃
]
120
滞后幅度
0.15
UVLO
发现
0.10
0.05
3
6
9
VCC [V]的
12
15
图9 。 UVLO阈值
温度特性
2.5
图10 。 N沟道FET导通
电阻温度特性
100
图11 。 N沟道FET导通
电阻电源财产
100
ID=1mA
SWOUT通阻抗[
Ω
]
ID=1mA
SWOUT通阻抗[
Ω
]
80
80
ON
机顶盒电压[ V]的
2.0
60
60
40
40
1.5
20
20
关闭
1.0
-50
0
50
VCC [V]的
100
150
0
-40
0
40
80
120
北部沿海地区[
℃
]
0
3
6
9
VCC [V]的
12
15
图12 。 STB门槛
温度特性
图13 。 SWOUT导通电阻
温度特性
图14 。 SWOUT导通电阻
电源特性
www.rohm.com
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
5/15
2011.08 - Rev.D
