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单芯片型内置式FET开关稳压器
高效率，升压型
开关稳压器
与内置功率MOSFET
BD8314NUV
No.11027EDT09
°说明
ROHM的高效率升压型开关稳压器内置功率MOSFET BD8314NUV产生升压输出
从4节电池，包括8 V或10 V ，电池等Li1cell或Li2cell等或5 V的固定电源线。
该IC可以很容易生产的小和大范围的输出电流，并配备有一个外部线圈/电容器
通过1.2 MHz的灵活的阶段高频率操作，内置2.5 A额定80 mΩ的N沟道FET SW和缩小
薪酬体系在船上。
■特点
1 ）采用N沟道FET能够承受2.5 A / 14 V的
2 ）集成了输入和误差放大器的输出之间的相位补偿装置。
3）小线圈和电容器中使用由1.2 MHz的高频率操作
4 ）输入电压为3.0 V - 12 V
5 ）输出电流
600毫安（ 3.5 V - 10 V） ，在10 V
600毫安（ 3.0 V - 8 V）在8 V
6 ）采用软启动功能。
7 ）采用定时锁定系统短路保护功能。
8 ）小至3mm × 3mm时， SON 10引脚封装VSON010V3030
●应用
一般的便携式设备，如DSC / DVC搭载4干电池或Li2cell
“绝对
最大额定值
参数
最大施加电源电压
最大输入电压
最大输入电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
结温
符号
VCC ， LX
SWOUT ， INV
Iinmax
Pd
TOPR
TSTG
TJMAX
评级
14
14
2.5
700*
-25至+85
-55到+150
+150
单位
V
V
A
mW
°C
°C
°C
*当在Ta用于= 25 ℃以上安装在74.2 × 74.2 × 1.6
t
mm的电路板，评级由5.6毫瓦/°C的降低。
“操作
条件（ TA = 25 ° C）
参数
电源电压
输出电压
符号
VCC
VOUT
评级
3.0 12
4.0 12
单位
V
V
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2011.08 - Rev.D
