INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP Darligton功率晶体管
BD676/BD678/BD680
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
BD676
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
BD678
BD680
BD676
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基
击穿电压
BD678
BD680
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE（上）
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
I
E
=-5mA;I
C
=0
I
C
= -1.5A ;我
B
=-30mA
I
C
= -1.5A ; V
CE
=-3V
V
CB
=额定BV
首席执行官
; I
E
=0
T
a
=100
℃
V
CE
= 1 / 2rated BV
首席执行官
; I
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1.5A ; V
CE
=-3V
750
I
C
= -1mA ;我
E
=0
I
C
=-50mA;I
B
=0
条件
民
-45
-60
-80
-45
-60
-80
-5
-2.5
-2.5
-0.2
-2.0
-0.5
-2.0
V
V
V
mA
mA
mA
V
V
典型值。
最大
单位
2
