高直流电流增益 -
的hFE = 750 （最小值） @ IC = 1.5和2.0 ADC
整体结构
BD676 ， 676A ， 678 ， 678a上， 680 ， 680A ， 682顷互补与BD675 ， 675A ，
677, 677A, 679, 679A, 681
BD 678 ， 678a上， 680 ， 680A相当于MJE 700 ， 701 ， 702 ， 703
。 。 。用作互补通用放大器应用的输出设备
系统蒸发散。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
塑料中功率
硅PNP达林顿
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
第七版
工作和存储结
Temperating范围
器件总功耗
@ T = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
热阻，结到外壳
等级
特征
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
IC
IB
5.0
PD ，功耗（瓦）
10
40
50
15
20
25
30
35
45
0
15
BD676
BD676A
30
图1.电源温度降额
45
45
45
符号
θ
JC
BD678
BD678A
60
TC ，外壳温度（ ° C）
- 55至+ 150
60
60
40
0.32
75
0.1
4.0
5.0
BD680
BD680A
90
80
80
3.13
最大
105
BD682
100
100
120
135
_
C / W
瓦
W/
_
C
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
150
165
4.0安培
达林顿
功率晶体管
PNP硅
45 ，60， 80 ， 100伏
40瓦
BD676
BD676A
BD678
BD678A
BD680
BD680A
BD682
CASE 77-08
TO- 225AA型
订购此文件
通过BD676 / D
1
BD676 BD676A BD678 BD678A BD680 BD682 BD680A
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
动态特性
基本特征
DC电流增益（1）
（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
小信号电流增益（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0伏， F = 1.0兆赫）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 1.5 ADC ， IB = 30 MADC ）
（ IC = 2.0 ADC ， IB = 40 MADC ）
基射极电压上（ 1 ）
（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
发射极截止电流（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB =额定BVCEO ， IE = 0 ）
（ VCB =额定BVCEO ， IE = 0 ， TC = 100 ° C）
集电极截止电流（ VCE =半额定VCEO ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 0 ）
2
0.05
1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
1.0
2.0
0.1
0.2
0.5
TC = 25°C
2.0
5.0
10
50
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图2.直流安全工作区
焊线LIMIT
热限制在Tc = 25℃
二次击穿极限
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
BD676 ， 676A
BD678 ， 678a上
BD680 ， 680A
BD682
特征
PNP
BD676 ， 676A
BD678 ， 678a上
BD680 ， 680A
BD682
图3.达林顿电路原理图
BASE
100
BD678 ， 680 ， 682
BD676A ， 678a上， 680A
BD676 ， 676A
BD678 ， 678a上
BD680 ， 680A
BD682
BD678 ， 680 ， 682
BD676A ， 678a上， 680A
BD676 ， 678 ， 680 ， 682
BD676A ， 678a上， 680A
[
8.0 k
[
120
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管的平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE lim-
该晶体管的其必须为可靠操作被观察
化;例如，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于局限性的功率
系统蒸发散了二次击穿的罚款。
集热器
辐射源
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
BVCEO
ICBO
ICEO
IEBO
的hFE
的hFE
民
45
60
80
100
750
750
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
500
2.5
2.5
2.5
2.8
2.0
0.2
2.0
—
—
—
—
—
—
—
MADC
MADC
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
—
BD676 BD676A BD678 BD678A BD680 BD682 BD680A
包装尺寸
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.055
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
–––
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.39
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
–––
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-08
TO- 225AA型
ISSUE V
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
BD676 BD676A BD678 BD678A BD680 BD682 BD680A
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*BD676/D*
BD676/D
高直流电流增益 -
的hFE = 750 （最小值） @ IC = 1.5和2.0 ADC
整体结构
BD676 ， 676A ， 678 ， 678a上， 680 ， 680A ， 682顷互补与BD675 ， 675A ，
677, 677A, 679, 679A, 681
BD 678 ， 678a上， 680 ， 680A相当于MJE 700 ， 701 ， 702 ， 703
。 。 。用作互补通用放大器应用的输出设备
系统蒸发散。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
塑料中功率
硅PNP达林顿
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
第七版
工作和存储结
Temperating范围
器件总功耗
@ T = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
热阻，结到外壳
等级
特征
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
IC
IB
5.0
PD ，功耗（瓦）
10
40
50
15
20
25
30
35
45
0
15
BD676
BD676A
30
图1.电源温度降额
45
45
45
符号
θ
JC
BD678
BD678A
60
TC ，外壳温度（ ° C）
- 55至+ 150
60
60
40
0.32
75
0.1
4.0
5.0
BD680
BD680A
90
80
80
3.13
最大
105
BD682
100
100
120
135
_
C / W
瓦
W/
_
C
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
150
165
4.0安培
达林顿
功率晶体管
PNP硅
45 ，60， 80 ， 100伏
40瓦
BD676
BD676A
BD678
BD678A
BD680
BD680A
BD682
CASE 77-08
TO- 225AA型
订购此文件
通过BD676 / D
1
BD676 BD676A BD678 BD678A BD680 BD682 BD680A
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
动态特性
基本特征
DC电流增益（1）
（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
小信号电流增益（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0伏， F = 1.0兆赫）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 1.5 ADC ， IB = 30 MADC ）
（ IC = 2.0 ADC ， IB = 40 MADC ）
基射极电压上（ 1 ）
（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
发射极截止电流（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB =额定BVCEO ， IE = 0 ）
（ VCB =额定BVCEO ， IE = 0 ， TC = 100 ° C）
集电极截止电流（ VCE =半额定VCEO ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 0 ）
2
0.05
1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
1.0
2.0
0.1
0.2
0.5
TC = 25°C
2.0
5.0
10
50
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图2.直流安全工作区
焊线LIMIT
热限制在Tc = 25℃
二次击穿极限
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
BD676 ， 676A
BD678 ， 678a上
BD680 ， 680A
BD682
特征
PNP
BD676 ， 676A
BD678 ， 678a上
BD680 ， 680A
BD682
图3.达林顿电路原理图
BASE
100
BD678 ， 680 ， 682
BD676A ， 678a上， 680A
BD676 ， 676A
BD678 ， 678a上
BD680 ， 680A
BD682
BD678 ， 680 ， 682
BD676A ， 678a上， 680A
BD676 ， 678 ， 680 ， 682
BD676A ， 678a上， 680A
[
8.0 k
[
120
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管的平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE lim-
该晶体管的其必须为可靠操作被观察
化;例如，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于局限性的功率
系统蒸发散了二次击穿的罚款。
集热器
辐射源
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
BVCEO
ICBO
ICEO
IEBO
的hFE
的hFE
民
45
60
80
100
750
750
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
500
2.5
2.5
2.5
2.8
2.0
0.2
2.0
—
—
—
—
—
—
—
MADC
MADC
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
—
BD676 BD676A BD678 BD678A BD680 BD682 BD680A
包装尺寸
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.055
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
–––
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.39
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
–––
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-08
TO- 225AA型
ISSUE V
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
BD676 BD676A BD678 BD678A BD680 BD682 BD680A
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*BD676/D*
BD676/D
目录
BD6xxx
目录
1
2
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
2.2
典型的特性（曲线） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
3
4
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP Darligton功率晶体管
描述
·采用TO- 126封装
·补充输入BD675 / BD677 / BD679
·达林顿
·高直流电流增益
应用
·对于用作输出设备
补充通用
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
BD676/BD678/BD680
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
参数
BD676
V
CBO
集电极 - 基极电压
BD678
BD680
BD676
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD678
BD680
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极基极电压连续
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-45
-60
-80
-45
-60
-80
-5
-4
-0.1
40
150
-55~150
V
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
3.13
单位
/W
PNP BD676 ， BD678 ， BD680 ， BD682
NPN BD675 ， BD677 ， BD679 ， BD681
硅达林顿功率
晶体管
该BD676 - BD678 - BD680 - BD682是单片PNP eptaxial基晶体管
达林顿电路，用于音频和视频应用。
它们被安装在JEDEC的TO -126塑料封装。
NPN补充是BD675 ， BD677 ， BD679 ， BD681 。
绝对最大额定值
符号
-V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
评级
BD676
BD678
BD680
BD682
BD676
BD678
BD680
BD682
-I
C
-I
CM
-I
BM
@ T
mb
= 25°C
价值
45
60
80
100
45
60
80
100
5
4
6
0.1
40
150
-65到+150
单位
V
-V
CBO
-V
EBO
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流（峰值）
总功耗
结温
储存温度
V
V
A
A
瓦
°C
°C
-I
C
-I
B
P
T
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
THJ - MB
R
THJ -A
评级
热阻，结到mouting基地
热阻，结到环境中的自由空气
价值
3.12
100
单位
K / W
K / W
半导体COMSET
1
PNP BD676 ， BD678 ， BD680 ， BD682
NPN BD675 ， BD677 ， BD679 ， BD681
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
I
E
=0 , -
V
CB
= -V
CBOMAX
=45 V
I
E
=0 , -
V
CB
= -V
CBOMAX
=60 V
I
E
=0 , -
V
CB
= -V
CBOMAX
=80 V
I
E
=0 , -
V
CB
= -V
CBOMAX
=100 V
I
E
=0 ,
-
V
CB
=
-½V
CBOMAX
=
45V,T
j
= 150°C
I
E
=0 ,
-
V
CB
=
-½V
CBOMAX
=
60V,T
j
= 150°C
I
E
=0 ,
-
V
CB
=
-½V
CBOMAX
=
80V,T
j
= 150°C
I
E
=0 ,
-
V
CB
=
-½V
CBOMAX
=
100V,T
j
= 150°C
I
B
=0 , -
V
CE
= -½V
CEOMAX
=60 V
I
C
=0, -V
EB
=5 V
-I
C
= 1.5 A ， -I
B
= 6毫安
-V
CE
= 3 V ， -I
C
± 500毫安
-V
CE
= 3 V ， -I
C
=1,5 A
-V
CE
= 3 V ， -I
C
=4 A
-V
CE
= 3 V ， -I
C
=1,5 A
-V
CE
= 3 V ， -I
C
= 1.5 A， F = 1兆赫
-V
CE
= 3 V ， -I
C
=1,5 A
I
F
=1,5 A
-V
CE
= 50 V，T
P
= 20ms的，非共和国，无
散热器
BD676
BD678
BD680
BD682
BD676
BD678
BD680
BD682
BD676
BD678
BD680
BD682
最小值典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
750
-
-
10
-
-
0,8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2200
-
650
-
-
60
1,5
-
0,3
1,5
M
单位
x
0,2
0,2
0,2
0,2
1
1
1
1
0,2
0,2
0,2
0,2
5
2,5
-
-
-
2,5
-
-
-
-
1.5
5
mA
-I
CBO
集电极截止电流
-I
首席执行官
-I
EBO
-V
CE （ SAT ）
h
FE
-V
BE
h
fe
f
的hFE
V
F
集电极截止电流
发射极截止offcurrent
集电极 - 发射极饱和
电压
直流电流增益
mA
mA
V
基射极电压（ 1&2 ）
小信号电流增益
Ut的截止频率
二极管的正向电压
第二击穿
-I
（SB）
集电极电流
开启时间
t
on
-I
CON
= 1,5A ， -I
BON
= I
B关
= 6毫安，
打开-O FF时间
t
关闭
脉冲条件下测得的1 ：
t
P
<300s,
δ
<2%.
2.
V
BE
降低了约3,6毫伏/ K随温度的升高。
V
千赫
V
A
s
半导体COMSET
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP Darligton功率晶体管
描述
·采用TO- 126封装
·补充输入BD675 / BD677 / BD679
·达林顿
·高直流电流增益
应用
·对于用作输出设备
补充通用
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
BD676/BD678/BD680
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
参数
BD676
V
CBO
集电极 - 基极电压
BD678
BD680
BD676
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD678
BD680
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极基极电压连续
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-45
-60
-80
-45
-60
-80
-5
-4
-0.1
40
150
-55~150
V
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
3.13
单位
/W
BD676 ， BD676A ， BD678 ，
BD678A ， BD680 ， BD680A ，
BD682 ， BD682T
塑料中功率
硅PNP达林顿
该系列塑料，中等功率硅PNP达林顿
晶体管可被用作在互补输出设备
通用放大器应用。
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益 -
h
FE
= 750 （最小值） @我
C
= 1.5和2.0 ADC
整体结构
BD676 ， 676A ， 678 ， 678a上， 680 ， 680A 682是互补的
与BD675 ， 675A ， 677 ， 677A ， 679 ， 679A ， 681
BD678 ， 678a上， 680 ， 680A相当于MJE 700 ， 701 ， 702 ， 703
无铅套票*
4.0 AMP达林顿
功率晶体管
PNP硅
45 ，60， 80 ， 100伏， 40瓦
TO225AA
CASE 77
风格1
3 2
1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BD676 ， BD676A
BD678 ， BD678A
BD680 ， BD680A
BD682
集电极 - 基极电压
BD676 ， BD676A
BD678 ， BD678A
BD680 ， BD680A
BD682
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
器件总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
45
60
80
100
V
CB
45
60
80
100
V
EB
I
C
I
B
P
D
40
0.32
T
J
, T
英镑
-55到+150
W
W / ℃，
°C
5.0
4.0
0.1
VDC
ADC
ADC
BD6xx =器件代码
XX = 76 ， 76A ， 78 ， 78A ，
80 ， 80A ， 82 ，或82T
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
VDC
YWW
BD6xxG
YWW
B
BD6xxG
价值
单位
VDC
标记DIAGRAMS
热特性
特征
热阻，
结到外壳
符号
R
QJC
最大
3.13
单位
° C / W
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
2005年10月 - 12牧师
出版订单号：
BD676/D
BD676 ， BD676A ， BD678 ， BD678A ， BD680 ， BD680A ， BD682 ， BD682T
PD ，功耗（瓦）
40
35
30
25
20
15
10
5.0
0
15
30
45
60
75
90
105
120
135
150
165
IC ，集电极电流（ AMP ）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极击穿电压（注1 ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 0)
BD676 ， 676A
BD678 ， 678a上
BD680 ， 680A
BD682
BV
首席执行官
45
60
80
100
VDC
集电极截止电流（V
CE
=半额定V
首席执行官
, I
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=额定BV
首席执行官
, I
E
= 0)
(V
CB
=额定BV
首席执行官
. I
E
= 0, T
C
= 100°C)
I
首席执行官
I
CBO
500
0.2
2.0
2.0
MADC
MADC
发射极截止电流（V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
I
EBO
MADC
基本特征
直流电流增益（注1 ）
(I
C
= 1.5 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
h
FE
BD676 ， 678 ， 680 ， 682
BD676A ， 678a上， 680A
BD678 ， 680 ， 682
BD676A ， 678a上， 680A
BD678 ， 680 ， 682
BD676A ， 678a上， 680A
750
750
集电极 - 发射极饱和电压（注1 ）
(I
C
= 1.5 ADC ，我
B
= 30 MADC ）
(I
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 40 MADC ）
基射极电压上（注1 ）
(I
C
= 1.5 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
2.5
2.8
2.5
2.5
VDC
VDC
动态特性
小信号电流增益（I
C
= 1.5 ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0兆赫）
h
fe
1.0
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
50
45
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
T
C
= 25°C
焊线LIMIT
热限制AT＆T
C
= 25°C
二次击穿极限
BD676 ， 676A
BD678 ， 678a上
BD680 ， 680A
BD682
100
0.05
1.0
T
C
，外壳温度（ ° C）
2.0
5.0
10
20
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图1.电源温度降额
图2.直流安全工作区
有对的功率处理能力两方面的局限性
一个晶体管平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;例如，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
http://onsemi.com
2
BD676 ， BD676A ， BD678 ， BD678A ， BD680 ， BD680A ， BD682 ， BD682T
PNP
BD676 ， 676A
BD678 ， 678a上
BD680 ， 680A
BD682
BASE
[
8.0 k
集热器
[
120
辐射源
图3.达林顿电路原理图
订购信息
设备
BD676
BD676G
BD676A
BD676AG
BD678
BD678G
BD678A
BD678AG
BD680
BD680G
BD680A
BD680AG
BD682
BD682G
BD682T
BD682TG
包
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
航运
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
50单位/铁
50单位/铁
http://onsemi.com
3
BD676 ， BD676A ， BD678 ， BD678A ， BD680 ， BD680A ， BD682 ， BD682T
包装尺寸
TO225AA
CASE 77-09
ISSUE
B
U
Q
F
M
C
A
1 2 3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 077-01 THRU -08陈旧，新标准
07709.
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.065
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.65
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
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4
BD676/D
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