BD33C0AWFP ， BD50C0AWFP
注意事项
对于使用
1.
技术说明
绝对最大额定值
超过绝对最大额定值（例如，输入电压或者工作温度范围），使用IC的可
导致损坏IC 。假设不应该作出关于IC的状态（例如，短模式或开放
模式）时，这种损坏将受到影响。如果业务价值预计将超过该设备的最大额定值，
考虑添加保护电路（如保险丝），以消除损坏IC的风险。
在这些规范中描述的电特性可能会发生变化，这取决于温度，电源电压，外部
电路和其他条件。因此，一定要检查所有相关因素，包括瞬态特性。
GND电位
GND端子的电位必须在所有工作条件下在系统中的最小电势。
确保没有管脚是在低于GND之间的电压在任何时间，不管瞬态特性。
接地布线图形
当同时使用小信号和大电流接地痕迹，两个接地线应分开走线，但
连接到应用程序内的单个接地电位，以避免变形，在小信号接地
引起的大电流。也确保了外部元件的GND痕迹不会引起变异的GND
电压。电源线和接地线必须尽可能短而粗越好，以减少线路阻抗。
国米脚短裤和安装错误
定向和定位的IC，适用于安装在印刷电路板时要小心。安装不当，可能会导致
中损坏IC 。之间的输出引脚或输出引脚和电源或GND引脚之间的短路（由
焊接不良或异物） ，可能会导致损坏IC 。
运行在强电磁场
在强电磁场使用本产品可能会造成IC误动作。应注意在行使
应用强电磁场可能存在。
应用电路板测试
当一个应用程序板测试集成电路，电容器直接连接到低阻抗针可能使集成电路
向应力。完全每个过程或步骤后，请务必放电电容。该IC的电源应该始终
连接或从在评价过程中的夹具或固定装置中取出之前完全关闭。为了防止
静电放电损坏，接地IC装配在运输和存储过程中使用类似的预防措施。
考虑热
使用热设计，允许足够的余量在光的钯在实际操作条件。
认为电脑不超过实际工作条件下钯。 （ ≧钯PC）
TJMAX ：最高结温= 150 ℃以下，Ta：周边温度[ ℃ ]
θJA
：包的氛围[ ℃ / W]的热阻， PD：封装功耗[W] ，
邮编：功耗[W] ， VCC：输入电压VO ：输出电压， IO：负载，IB ：偏置电流
封装功耗
功耗
：钯（W） = （TJMAX - 钽） / θJA
：PC （W ） = （VCC - VO） × IO +的Vcc ×磅
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
VCC引脚
插入电容（VO ≧ 5V ：电容≧ 1μF ，武\u003c 5V ：电容≧ 2.2μF ）之间的Vcc和GND引脚。
适当的电容值由应用程序而异。一定要允许有足够余量的输入电平。
电容
IC
陶瓷电容，低ESR电容
www.rohm.com
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
9/12
2011.07 - Rev.A的
