BD33C0AWFP ， BD50C0AWFP
10.
技术说明
输出引脚
有必要将每个输出端子和GND为了防止振荡，在输出端之间的电容器。可用
电容值范围从1μF至1000μF 。陶瓷电容器可被使用，只要它们的ESR值低
足以防止振荡（ 0.001Ω到20Ω ） 。在输入电压和负载条件的突然波动可能会影响
输出电压。输出电容值只能通过实际的测试足以确定
应用程序。
Vcc=4.3V
½
25V(BD33C0AWFP)/6V
½
25V(BD50C0AWFP)
Ta=-40
℃½
+105
℃
Cin=2.2
μ
F
½
100
μ
F COUT = 1
μ
F
½
100
μ
F
100
●
BD33C0AWFP
Vo=3.3V
Vcc=4.3V
½
25V
Io=0A
½
1A
Ta=-40
℃½
+105
℃
100
100
●
BD50C0AWFP
Vo=5V
Vcc=6V
½
25V
Io=0A
½
1A
Ta=-40
℃½
+105
℃
不稳定的工作范围
10
Cout_ESR （ Ω ）
CIN （ μF ）
稳定的工作区域
0.1
10
稳定的工作区域
CIN （ μF ）
1
10
稳定的工作区域
0.01
2.2
不稳定
工作区
0.001
0
200
400
600
800
1000
1
1
10
100
1
1
10
100
IO（毫安）
COUT （ μF ）
COUT （ μF ）
Cout_ESR VS IO（参考数据）
霉素VS Cout的（参考数据）
Vo
VCC
BD33C0AWFP(4.3V½25V)
BD50C0AWFP(6V½25V)
CIN
BD33C0AWFP (2.2μF½)
BD50C0AWFP (1.0μF½)
Cout(1.0μF½)
CTL
V
CTL
(5V)
GND
北卡罗来纳州
ESR
(0.001Ω½)
IO（ ROUT ）
操作
注10
11.
测量电路
CTL PIN
不要让芯片的电压电平使能引脚保持浮动水平，或在VthH和VTHL之间。否则，输出
电压将是不稳定的或不确定的。
为Vcc电压的急剧变化
由于MOS FET输出晶体管被用来当输入电压变化很陡，有可能引起大的电流。
当选择外部电路常数的值，请确保在实际应用中的操作
将这些条件考虑在内。
对于输出电压的无穷小波动。
在使用该输出电压的无穷小波动所造成的一些因素的应用（例如，干扰
噪声，输入电压波动，负载波动等） ，请采取足够的措施，以避免一些影响因素（例如
插入滤波器等）。
过电流保护电路（ OCP ）
该集成电路集成了操作根据在额定输出的集成过电流保护电路
的能力。此电路用来保护集成电路不受损坏，当负载变为短路。它也被设计以限制
输出电流（不闭锁）从一个大电容或其它的大和瞬时电流流动的情况下
组件。这些保护电路，可以有效地防止损坏，由于突然和意外事故的发生。
然而，该IC不应该在其特征在于以下连续的或可传递操作的应用程序中使用
保护电路。
热关断电路（ TSD ）
该IC集成了内置热关断电路，其目的是把IC完全关闭的情况下
热过载。它的目的不是要保护IC免受损坏或保证其运行。集成电路不应使用
此功能后已被激活，或者在假定该电路的操作，其中的应用程序。
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2011.07 - Rev.A的
