初步
SLD-3091FZ
产品说明
Sirenza的微器件“
SLD-3091FZ
是一个强大的30瓦的高性能
LDMOS晶体管设计用于从10至2200MHz 。它是一个
用于要求高线性度和效率，在一个应用程序的最佳解决方案
低成本。将SLD - 3091FZ通常用在功率放大器，中继器，
和无线电放大器应用。功率晶体管制造用
Sirenza的高性能XeMOS II
TM
流程。
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
30瓦离散LDMOS FET陶瓷
法兰式包
功能示意图
产品特点
ESD
保护
30瓦输出P
1dB
单极性电源电压
高增益：18分贝915MHz的
高效率：在30W CW 45 ％
XeMOS II LDMOS
集成的ESD保护， 1B
应用
案例法兰=接地
关键RF规格
符号
频率
收益
效率
IRL
线性
R
TH
参数
操作的频率
30瓦CW ， 915兆赫
漏极效率为30瓦CW ， 915兆赫
基站PA驱动器
中继器
广播功放
军事通信
GSM，CDMA， RFID，点至点
单位
兆赫
dB
%
dB
dBc的
瓦
摄氏度/ W
分钟。
10
典型值。
-
19
45
-15
-28
35
2.4
马克斯。
2200
输入回波损耗， 30瓦的输出功率， 915兆赫
3阶IMD在30瓦特PEP （双色） ， 915 MHz的
1dB压缩（P
1dB
） ， 915 MHz的
热阻（结到外壳）
rd
测试条件V
DS
= 28.0V ，我
DQ
≤ 300毫安，T
轮缘
= 25C
T
关键的DC参数
符号
g
m
V
GS
门槛
V
DS
击穿
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
R
DSON
参数
正向跨导@ 425毫安我
DS
I
DS
=3mA
1毫安我
DS
当前
输入电容（门源）V
GS
=0V, V
DS
=28V
反向电容（栅漏）V
GS
=0V, V
DS
=28V
输出电容（漏极至源极）V
GS
=0V, V
DS
=28V
漏极到源极电阻，V
GS
=10V, V
DS
=250mV
单位
毫安/ V
伏特
伏特
pF
pF
pF
民
典型值。
1650
3.3
65
66
1.4
30
0.2
最大
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，并且所有这些
信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的微器件
不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的微型器件公司全球版权所有。
303 S.科技法庭，
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 104668 C版本
