初步
SLD-3091FZ
产品说明
Sirenza的微器件“
SLD-3091FZ
是一个强大的30瓦的高性能
LDMOS晶体管设计用于从10至2200MHz 。它是一个
用于要求高线性度和效率，在一个应用程序的最佳解决方案
低成本。将SLD - 3091FZ通常用在功率放大器，中继器，
和无线电放大器应用。功率晶体管制造用
Sirenza的高性能XeMOS II
TM
流程。
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
30瓦离散LDMOS FET陶瓷
法兰式包
功能示意图
产品特点
ESD
保护
30瓦输出P
1dB
单极性电源电压
高增益：18分贝915MHz的
高效率：在30W CW 45 ％
XeMOS II LDMOS
集成的ESD保护， 1B
应用
案例法兰=接地
关键RF规格
符号
频率
收益
效率
IRL
线性
R
TH
参数
操作的频率
30瓦CW ， 915兆赫
漏极效率为30瓦CW ， 915兆赫
基站PA驱动器
中继器
广播功放
军事通信
GSM，CDMA， RFID，点至点
单位
兆赫
dB
%
dB
dBc的
瓦
摄氏度/ W
分钟。
10
典型值。
-
19
45
-15
-28
35
2.4
马克斯。
2200
输入回波损耗， 30瓦的输出功率， 915兆赫
3阶IMD在30瓦特PEP （双色） ， 915 MHz的
1dB压缩（P
1dB
） ， 915 MHz的
热阻（结到外壳）
rd
测试条件V
DS
= 28.0V ，我
DQ
≤ 300毫安，T
轮缘
= 25C
T
关键的DC参数
符号
g
m
V
GS
门槛
V
DS
击穿
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
R
DSON
参数
正向跨导@ 425毫安我
DS
I
DS
=3mA
1毫安我
DS
当前
输入电容（门源）V
GS
=0V, V
DS
=28V
反向电容（栅漏）V
GS
=0V, V
DS
=28V
输出电容（漏极至源极）V
GS
=0V, V
DS
=28V
漏极到源极电阻，V
GS
=10V, V
DS
=250mV
单位
毫安/ V
伏特
伏特
pF
pF
pF
民
典型值。
1650
3.3
65
66
1.4
30
0.2
最大
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，并且所有这些
信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的微器件
不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的微型器件公司全球版权所有。
303 S.科技法庭，
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 104668 C版本
初步
SLD- 3091FZ 30瓦的LDMOS FET
质量指标
参数
ESD额定值
描述
人体模型
等级
1B
引脚说明
针＃
1
2
轮缘
功能
门
漏
源， GND
描述
晶体管RF输入和栅极偏置电压。栅极偏置电压必须进行温度补偿，以保持恒定
偏置电流在整个工作温度范围内。必须小心，以防止视频瞬时超过了
建议的最大输入功率或电压。
晶体管的RF输出和漏极偏压。典型的电压为28V 。
需要在封装的底面露出区域被机械地连接到电路板的接地平面
最佳的热和RF性能。请参阅推荐安装说明。
引脚图
ESD
保护
销1
销2
注1 ：
栅极电压必须被施加到器件上，同时或之后
应用漏电压，以防止潜在的破坏性
振荡。偏置电压不应该被施加到转录
体管，除非它被适当地终止在两个输入和输出。
注2 ：
所需的V
GS
对应于一个特定的I
DQ
会有所不同
设备到设备由于正常的管芯到管芯的变化在阈值
老电压LDMOS晶体管。
注3 ：
阈值电压（V
gsth
）的LDMOS晶体管随
器件温度。外部温度补偿
是必需的。见Sirenza的应用笔记AN- 067 LDMOS
偏温度补偿。
案例法兰=接地
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
DS
)
栅极电压（V
GS
)
RF输入功率
负载阻抗连续运行无
损坏
输出设备通道温度
焊接温度在回流焊
工作温度范围
存储温度范围
价值
35
20
+36
10:1
+200
+270
-20至+90
-40至+100
单位
V
V
DBM
VSWR
C
C
C
C
此装置的操作超出这些限制的任何一个可能引起perma-
新界东北的伤害。为了保证可靠的连续运行看典型设定值
1页表中指定。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
303 S.科技法庭
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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初步
SLD- 3091FZ 30瓦的LDMOS FET
在900 MHz的应用电路典型性能曲线
CW增益，效率与噘
VDD = 28V ， IDQ = 0.3A ，频率= 912 MHz的
22
21
20
19
18
增益（dB ）
17
16
15
14
13
12
11
10
0
60
55
50
45
40
35
增益（dB ） ，效率（％ ）
30
25
20
15
10
5
0
0
2音频增益，效率，线性度VS噘
VDD = 28V ， IDQ = 0.3A ，频率= 912兆赫，台达F = 1兆赫
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
IMD （ DBC）
45
40
35
30
25
效率（％）
收益
效率
20
15
10
5
0
收益
IM3
IM7
效率
IM5
-60
-65
-70
10
20
的Pout （W）的
30
40
50
5
10
15
噘嘴（W PEP ）
20
25
30
CW增益，效率， IRL与频率VDD = 28V ， IDQ = 0.3A ，
Pout=30W
60
50
增益（dB ） ，效率（％ ）
40
30
20
10
0
885
0
-5
输入回波损耗（dB ）
2音频增益，效率，线性度和IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 0.3A ，噘= 30W PEP ，台达F = 1兆赫
60
50
增益（dB ） ，效率（％ ）
40
30
20
10
0
885
895
905
915
925
935
频率（MHz）
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
945
IMD （ DBC） ， IRL （分贝）
收益
IM3
IM7
效率
IM5
IRL
收益
效率
IRL
-10
-15
-20
-25
-30
945
895
905
915
925
935
频率（MHz）
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SLD- 3091FZ 30瓦的LDMOS FET
典型性能曲线在900 MHz的应用电路在整个温度范围
CW增益VS噘了温度
VDD = 28V ， IDQ = 300毫安，频率= 920 MHz的
22
21
20
19
效率与噘了温度
VDD = 28V ， IDQ = 300毫安，频率= 912 MHz的
50
40
效率（％）
增益（dB ）
18
17
16
15
14
13
0
10
20
的Pout （W）的
30
40
t-=85
t=25
t=-25
30
t-=85
t=25
t=-25
20
10
0
0
10
20
的Pout （W）的
30
40
IMD3 VS噘了温度
VDD = 28V ， IDQ = 300毫安，频率= 912 MHz的
-20
-25
-30
-35
IMD3 （ DBC）
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
0
5
10
噘嘴（W AVG）
15
20
t-=-25
t=25
t=-85
2音效率与噘了温度
VDD = 28V ， IDQ = 300毫安，频率= 912 MHz的
40
35
30
效率（％）
25
20
15
10
5
0
0
5
10
噘嘴（W AVG）
15
20
t-=-25
t=25
t=-85
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初步
SLD- 3091FZ 30瓦的LDMOS FET
阻抗数据
频率（MHz）
850
895
960
Z
来源
0.9 - j 0.7
0.8 - j 0.7
0.7 - j 0.9
Z
负载
2.6 - j 0.5
2.4 - j 0.4
2.3 - j 0.1
阻抗参考引线键合/ PCB接口。
设备
被测
输入
匹配
网
来源
产量
匹配
网
LOAD
Z
来源
和Z
负载
是呈现给SLD- 3091FZ最佳阻抗
当在28V工作， IDQ = 300毫安，噘= 30瓦PEP
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初步
SLD-3091FZ
产品说明
Sirenza的微器件“
SLD-3091FZ
是一个强大的30瓦的高性能
LDMOS晶体管设计用于从10至2200MHz 。它是一个
用于要求高线性度和效率，在一个应用程序的最佳解决方案
低成本。将SLD - 3091FZ通常用在功率放大器，中继器，
和无线电放大器应用。功率晶体管制造用
Sirenza的高性能XeMOS II
TM
流程。
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
30瓦离散LDMOS FET陶瓷
法兰式包
功能示意图
产品特点
ESD
保护
30瓦输出P
1dB
单极性电源电压
高增益：18分贝915MHz的
高效率：在30W CW 45 ％
XeMOS II LDMOS
集成的ESD保护， 1B
应用
案例法兰=接地
关键RF规格
符号
频率
收益
效率
IRL
线性
R
TH
参数
操作的频率
30瓦CW ， 915兆赫
漏极效率为30瓦CW ， 915兆赫
基站PA驱动器
中继器
广播功放
军事通信
GSM，CDMA， RFID，点至点
单位
兆赫
dB
%
dB
dBc的
瓦
摄氏度/ W
分钟。
10
典型值。
-
19
45
-15
-28
35
2.4
马克斯。
2200
输入回波损耗， 30瓦的输出功率， 915兆赫
3阶IMD在30瓦特PEP （双色） ， 915 MHz的
1dB压缩（P
1dB
） ， 915 MHz的
热阻（结到外壳）
rd
测试条件V
DS
= 28.0V ，我
DQ
≤ 300毫安，T
轮缘
= 25C
T
关键的DC参数
符号
g
m
V
GS
门槛
V
DS
击穿
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
R
DSON
参数
正向跨导@ 425毫安我
DS
I
DS
=3mA
1毫安我
DS
当前
输入电容（门源）V
GS
=0V, V
DS
=28V
反向电容（栅漏）V
GS
=0V, V
DS
=28V
输出电容（漏极至源极）V
GS
=0V, V
DS
=28V
漏极到源极电阻，V
GS
=10V, V
DS
=250mV
单位
毫安/ V
伏特
伏特
pF
pF
pF
民
典型值。
1650
3.3
65
66
1.4
30
0.2
最大
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，并且所有这些
信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的微器件
不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的微型器件公司全球版权所有。
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1
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初步
SLD- 3091FZ 30瓦的LDMOS FET
质量指标
参数
ESD额定值
描述
人体模型
等级
1B
引脚说明
针＃
1
2
轮缘
功能
门
漏
源， GND
描述
晶体管RF输入和栅极偏置电压。栅极偏置电压必须进行温度补偿，以保持恒定
偏置电流在整个工作温度范围内。必须小心，以防止视频瞬时超过了
建议的最大输入功率或电压。
晶体管的RF输出和漏极偏压。典型的电压为28V 。
需要在封装的底面露出区域被机械地连接到电路板的接地平面
最佳的热和RF性能。请参阅推荐安装说明。
引脚图
ESD
保护
销1
销2
注1 ：
栅极电压必须被施加到器件上，同时或之后
应用漏电压，以防止潜在的破坏性
振荡。偏置电压不应该被施加到转录
体管，除非它被适当地终止在两个输入和输出。
注2 ：
所需的V
GS
对应于一个特定的I
DQ
会有所不同
设备到设备由于正常的管芯到管芯的变化在阈值
老电压LDMOS晶体管。
注3 ：
阈值电压（V
gsth
）的LDMOS晶体管随
器件温度。外部温度补偿
是必需的。见Sirenza的应用笔记AN- 067 LDMOS
偏温度补偿。
案例法兰=接地
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
DS
)
栅极电压（V
GS
)
RF输入功率
负载阻抗连续运行无
损坏
输出设备通道温度
焊接温度在回流焊
工作温度范围
存储温度范围
价值
35
20
+36
10:1
+200
+270
-20至+90
-40至+100
单位
V
V
DBM
VSWR
C
C
C
C
此装置的操作超出这些限制的任何一个可能引起perma-
新界东北的伤害。为了保证可靠的连续运行看典型设定值
1页表中指定。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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2
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SLD- 3091FZ 30瓦的LDMOS FET
在900 MHz的应用电路典型性能曲线
CW增益，效率与噘
VDD = 28V ， IDQ = 0.3A ，频率= 912 MHz的
22
21
20
19
18
增益（dB ）
17
16
15
14
13
12
11
10
0
60
55
50
45
40
35
增益（dB ） ，效率（％ ）
30
25
20
15
10
5
0
0
2音频增益，效率，线性度VS噘
VDD = 28V ， IDQ = 0.3A ，频率= 912兆赫，台达F = 1兆赫
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
IMD （ DBC）
45
40
35
30
25
效率（％）
收益
效率
20
15
10
5
0
收益
IM3
IM7
效率
IM5
-60
-65
-70
10
20
的Pout （W）的
30
40
50
5
10
15
噘嘴（W PEP ）
20
25
30
CW增益，效率， IRL与频率VDD = 28V ， IDQ = 0.3A ，
Pout=30W
60
50
增益（dB ） ，效率（％ ）
40
30
20
10
0
885
0
-5
输入回波损耗（dB ）
2音频增益，效率，线性度和IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 0.3A ，噘= 30W PEP ，台达F = 1兆赫
60
50
增益（dB ） ，效率（％ ）
40
30
20
10
0
885
895
905
915
925
935
频率（MHz）
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
945
IMD （ DBC） ， IRL （分贝）
收益
IM3
IM7
效率
IM5
IRL
收益
效率
IRL
-10
-15
-20
-25
-30
945
895
905
915
925
935
频率（MHz）
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典型性能曲线在900 MHz的应用电路在整个温度范围
CW增益VS噘了温度
VDD = 28V ， IDQ = 300毫安，频率= 920 MHz的
22
21
20
19
效率与噘了温度
VDD = 28V ， IDQ = 300毫安，频率= 912 MHz的
50
40
效率（％）
增益（dB ）
18
17
16
15
14
13
0
10
20
的Pout （W）的
30
40
t-=85
t=25
t=-25
30
t-=85
t=25
t=-25
20
10
0
0
10
20
的Pout （W）的
30
40
IMD3 VS噘了温度
VDD = 28V ， IDQ = 300毫安，频率= 912 MHz的
-20
-25
-30
-35
IMD3 （ DBC）
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
0
5
10
噘嘴（W AVG）
15
20
t-=-25
t=25
t=-85
2音效率与噘了温度
VDD = 28V ， IDQ = 300毫安，频率= 912 MHz的
40
35
30
效率（％）
25
20
15
10
5
0
0
5
10
噘嘴（W AVG）
15
20
t-=-25
t=25
t=-85
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阻抗数据
频率（MHz）
850
895
960
Z
来源
0.9 - j 0.7
0.8 - j 0.7
0.7 - j 0.9
Z
负载
2.6 - j 0.5
2.4 - j 0.4
2.3 - j 0.1
阻抗参考引线键合/ PCB接口。
设备
被测
输入
匹配
网
来源
产量
匹配
网
LOAD
Z
来源
和Z
负载
是呈现给SLD- 3091FZ最佳阻抗
当在28V工作， IDQ = 300毫安，噘= 30瓦PEP
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