BC856/857/858/859/860
典型特征
-50
-45
1000
I
C
[马] ，集电极电流
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
-0
-0
-2
-4
-6
-8
I
B
= - 400
A
I
B
= - 350
A
I
B
= - 250
A
I
B
= - 200
A
I
B
= - 150
A
I
B
= - 100
A
I
B
= - 50
A
10
-0.1
V
CE
= - 5V
h
FE
，直流电流增益
I
B
= - 300
A
100
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-1
-10
-100
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[马] ，集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
-10
-100
I
C
= 10 I
B
-1
V
BE
（SAT）
I
C
[马] ，集电极电流
V
CE
= - 5V
-10
-0.1
-1
V
CE
（SAT）
-0.01
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
I
C
[马] ，集电极电流
V
BE
[ V]时，基极发射极电压
图3.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
图4.基射极电压上
f
T
[兆赫] ，电流增益带宽积
1000
F = 1MHz的我
E
=0
F = 1MHz的我
E
=0
C
ob
[ pF的] ，电容
10
100
1
-1
-10
-100
10
-1
-10
V
CB
[V] ，集电极 - 基极电压
I
C
[马] ，集电极电流
图5.集电极输出电容
图6.电流增益带宽积
2002仙童半导体公司
修订版A2 ， 2002年8月
