BC856/857/858/859/860
BC856/857/858/859/860
开关和放大器应用
适用于自动插入厚薄膜电路
低噪声： BC859 ， BC860
补到BC846 BC850 ...
3
2
1
SOT-23
1.底座2.辐射源3.收藏家
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
： BC856
： BC857 / 860
： BC858 / 859
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
： BC856
： BC857 / 860
： BC858 / 859
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散功率
结温
储存温度
-65
-45
-30
-5
-100
310
150
-65 ~ 150
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
-80
-50
-30
V
V
V
参数
价值
单位
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
CBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
NF
参数
集电极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
： BC856 /八百五十八分之八百五十七
： BC859 / 860
： BC859
： BC860
测试条件
V
CB
= -30V ，我
E
=0
V
CE
= -5V ，我
C
= -2mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -2mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA
f=100MHz
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -5V ，我
C
= -200A
F = 1kHz时，R
G
=2K
V
CE
= -5V ，我
C
= -200A
R
G
= 2KΩ ， F = 30 15000Hz
2
1
1.2
1.2
-600
分钟。
110
-90
-250
-700
-900
-660
150
6
10
4
4
2
-750
-800
典型值。
马克斯。
-15
800
-300
-650
mV
mV
mV
mV
mV
mV
兆赫
pF
dB
dB
dB
dB
单位
nA
2002仙童半导体公司
修订版A2 ， 2002年8月
