飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
BC846 ; BC847 ; BC848
手册， halfpage
1200
MGT731
的hFE
1000
(1)
1200
手册， halfpage
VBE
（毫伏）
1000
(1)
MGT732
800
(2)
800
(2)
600
600
400
(3)
400
(3)
200
200
0
10
1
1
10
10
2
I C （毫安）
10
3
0
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
I C （毫安）
BC847C;
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
BC847C;
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
图10直流电流增益集电极的函数
电流;典型值。
图11基极 - 发射极电压的函数
集电极电流;典型值。
10
4
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
3
MGT733
手册， halfpage
V
1200
BESAT
（毫伏）
1000
MGT734
(1)
800
(2)
600
(3)
10
2
(1)
400
200
(3) (2)
10
10
1
1
10
10
2
I C （毫安）
10
3
0
10
1
1
10
10
2
I C （毫安）
10
3
BC847C;
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
BC847C;
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
图12集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
图13基极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
2004年2月06日
7
