BC846ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10 mA）的
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集电极发射极击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
BC847A ， B，C BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B ，
BC849B ， BC850B
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
110
200
420
580
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
660
220
450
800
0.25
0.6
700
770
V
V
mV
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
15
5.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
I
CBO
nA
mA
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
基地发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
基地发射极电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C
BC849B ，C ， BC850B ，C
f
T
C
敖包
NF
100
4.5
10
4.0
兆赫
pF
dB
图1 。
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2
BC846ALT1系列
BC847 ， BC848 ， BC849 ， BC850
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.5
50
2.0
5.0 10
1.0
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
图1.归DC电流增益
2.0
T
A
= 25°C
1.6
I
C
= 200毫安
1.2
0.8
0.4
0
I
C
=
I
C
=
10毫安20毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
1.0
图2. “饱和度”和“开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
3.0
C
ob
2.0
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
图4.基射极温度系数
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
1.0
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
20
4.0 6.0 8.0 10
V
R
，反向电压（伏）
40
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
30
50
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
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3
BC846ALT1系列
订购信息
设备
BC846ALT1
BC846ALT3
BC846BLT1
BC846BLT3
BC847ALT1
BC847ALT1G
BC847BLT1
BC847CLT1
BC847CLT1G
BC847CLT3
BC847CLT3G
BC848ALT1
BC848ALT1G
BC848BLT1
BC848BLT3
BC848CLT1
BC848CLT1G
BC849BLT1
BC849BLT3
BC849CLT1
BC849CLT1G
BC850BLT1
BC850CLT1
BC850CLT1G
记号
1A
1A
1B
1B
1E
1E
1F
1G
1G
1G
1G
1J
1J
1K
1K
1L
1L
2B
2B
2C
2C
2F
2G
2G
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-
阳离子小册子， BRD8011 / D 。
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5
SMD通用
晶体管（ NPN ）
BC846/BC847/BC848
SMD通用晶体管（ NPN ）
特点
NPN硅外延平面晶体管
开关和放大器应用
机械数据
案例：
终端：
重量：
SOT -23 ，塑料包装
每MIL -STD- 202G ，方法208
0.008克
SOT-23
标识信息
BC846A
标识代码
1A
BC846B
1B
BC847A
1E
BC847B
1F
BC847C
1G
BC848A
1J
BC848B
1K
BC848C
1L
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
存储温度范围
BC846
80
65
6
BC847
50
45
6
100
350
150
-55到+150
BC848
30
30
5
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
注1
条件
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
J
T
英镑
注意：
1.包装安装在99.5％氧化铝10 ×8× 0.6毫米。
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话： （ 800 ） -TAITRON
传真： （ 800 ） -TAITFA
(800)-824-8766
(800)-824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本A / AH 2008-05-29
第1页3
SMD通用晶体管（ NPN ）
BC846/BC847/BC848
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
I
CBO
集电极 - 发射极截止电流
BC846 / 7/8 ，后缀“A”
BC846 / 7/8 ，后缀“B”
BC847 / 8 ，后缀“C”
-
-
-
-
110
200
420
-
-
90
150
270
180
290
520
0.09
0.2
0.7
0.9
0.66
-
300
2.5
1.0
15
-
-
-
220
450
800
0.25
nA
V
CB
=30V,
I
E
=0
V
CE
=5V,
I
C
=10A
h
FE
直流电流增益
BC846 / 7/8 ，后缀“A”
BC846 / 7/8 ，后缀“B”
BC847 / 8 ，后缀“C”
V
CE
=5V,
I
C
=2mA
I
C
=10mA,
I
B
=0.5mA
V
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
-
-
0.6
-
I
C
=100mA,
I
B
=5mA
I
C
=10mA,
I
B
=0.5mA
V
V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
-
0.58
-
0.7
I
C
=100mA,
I
B
=5mA
V
CE
=5V,
I
C
=2mA
V
V
BE（上）
f
T
C
ob
NF
基射极电压上
-
电流增益带宽积
集电极输出电容
噪声系数
-
-
-
0.75
-
4.5
10
V
CE
=5V,
I
C
=10mA
兆赫
pF
dB
V
CE
=5V,
I
C
=10mA,
f
=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0,
f
=1MHz
V
CE
=5V,
I
C
=0.2mA,
R
G
= 2KΩ中，f = 1KHz的
版本A / AH 2008-05-29
www.taitroncomponents.com
分页： 1 2 3
SMD通用晶体管（ NPN ）
BC846/BC847/BC848
尺寸（mm）
SOT-23
如何联系我们：
美国总部
28040西哈里森PARKWAY ，瓦伦西亚，CA 91355-4162
联系电话： （ 800 ） TAITRON （ 800 ） 824-8766 （ 661 ） 257-6060
传真： （ 800 ） TAITFAX （ 800 ） 824-8329 （ 661 ） 257-6415
电子邮件：
taitron@taitroncomponents.com
Http://www.taitroncomponents.com
TAITRON组件墨西哥， S.A .DE C.V。
中央大道5000室内5 PARQUE工业ATITALAQUIA ，伊达尔戈CP
42970 MEXICO
电话： + 52-55-5560-1519
传真： + 52-55-5560-2190
TAITRON组件INCORPORATED REPRESENTAES DO BRASIL LTDA
RUA DOMINGOS DE MORAIS ， 2777 ， 2.ANDAR ， SALA 24 SADE - 圣保罗 - SP 04035-001 BRAZIL
电话： + 55-11-5574-7949
传真： + 55-11-5572-0052
TAITRON组件INCORPORATED上海代表处
首都银行大厦1160西延安路， SUITE 1503 ，上海， 200052 ，中国
电话： + 86-21-5424-9942
传真： + 86-21-5424-9931
版本A / AH 2008-05-29
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第3页3
Pb
RoHS指令
合规
BC846A,B
BC847A,B,C
BC848A,B,C
0.2瓦NPN塑封装晶体管
SOT-23
特点
非常适合自动插入
外延平面片建设
对于开关，自动对焦驱动器和放大器
应用
可互补NPN型（ BC856 ）
符合AEC -Q101标准高
可靠性
机械数据
案例： SOT -23 ，模压塑料
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端：每MIIL - STD- 202焊接的，
方法208
无铅电镀
标志着&极性：见下图
重量： 0.008克（约
)
最大额定值
类型编号
尺寸以英寸（毫米）
T
A
= 25℃ ，除非另有规定
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CM
P
CM
V
EBO
I
CBO
BC846
80
65
BC847
50
45
0.1
0.2
6
0.1
BC848
30
30
单位
V
V
A
W
V
uA
集电极 - 基极击穿电压
I
C
=为10uA ，我
E
=0
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 10毫安，我
B
=0
集电极电流
o
功耗（环境温度Tamb = 25℃） （注1 ）
I
E
=为10uA ，我
C
=0
V
CB
= 70V我
E
=0
V
CB
= 50V我
E
=0
V
CB
= 30V我
E
=0
集电极截止电流
V
CE
= 60V我
B
=0
V
CE
= 45V我
B
=0
V
CE
= 30V我
B
=0
发射极截止电流
V
EB
= 5V I
C
=0
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 100mA时我
B
=5mA
基射极饱和电压
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
基射极电压
V
CE
= 5V I
C
=2mA
V
CE
= 5V I
C
=10mA
跃迁频率V
CE
= 5V I
C
= 10毫安F = 100MHz的
工作和存储温度范围
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
0.1
0.1
0.1
I
首席执行官
I
EBO
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
f
T
0.1
0.1
0.1
0.5
1.1
700
770
100
-55到+ 150
uA
uA
V
V
mV
兆赫
o
C
类型编号
直流电流增益BC846A ， 847A ， 848A
BC846B ， 847B ， 848B V
CE
= 5V I
C
=2mA
BC847C / BC848C
T
J
, T
英镑
符号
H
FE(1)
民
110
200
420
最大
220
450
800
单位
器件标识
BC846A = 1A ， BC846B = 1B ， BC847A = 1E ， BC847B = 1F ， BC847C = 1G ， BC848A = 1J ， BC848B = 1K ， BC848C = 1L
注1 ：晶体管安装在一FR4印刷电路板。
版本： B07
额定值和特性曲线（ BC846A ，B ， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C ）
FIG.1-归一化直流电流增益
2.0
1.0
FIG.2- "SATURATION"和"ON"电压不
1.5
V
CE
= 10V
T
A
= 25 C
O
0.9
0.8
T
A
= 25
O
C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
10
/
I
B
=
V
=10
h
FE
归一化直流电流增益
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
V，电压（V ）
0.7
V
BE（上）
@
V
CE
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
V
CE （ SAT ）
@
I
C
/ I
B
=10
0.2
0
.2
0
.5
1
2
5
10
20
50
100
200
I
C
，集电极电流（ MADC ）
0
0.1
0 0
.2 .3
0
.5
1
2
3
5
10
20 30
50
100
I
C
，集电极电流（ MADC ）
FIG.3-集电极饱和区
2.0
1.8
0.8
FIG.4-基射极温度系数
-55
O
C
+125
O
C
温度系数（毫伏/℃ ）
O
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
T
A
= 25
O
C
I
C
=
10
mA
I
C
=
20
mA
I
C
=
50毫安
I
C
=
200毫安
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.02
1.2
1.6
I
C
=
百毫安
2.0
2.4
VB
,
2.8
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
3.2
0.2
1.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
FIG.5-电容
f
T
，电流增益 - 带宽积（兆赫）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
400
FIG.6-电流增益 - 带宽积
T
A
= 25
O
C
300
V
CE
= 10V
T
A
= 25
O
C
200
C，电容（pF ）
5.0
4.0
3.0
C
ib
100
80
60
50
40
30
C
ob
2.0
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
3.0 4.0
6.0 8.0 10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
20
0
.5
0 7 1.0
.
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
I
C
，集电极电流（ MADC ）
版本：
B07
额定值和特性曲线（ BC846A ，B ， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C ）
Fig.7-直流电流增益
2.0
1.5
1.0
FIG.8- "ON"电压不
V
CE
= 10V
T
A
= 25 C
O
0.9
0.8
T
A
= 25
O
C
=10
h
FE
归一化直流电流增益
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V
BE （ SAT ）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
@
I
C
/ I
B
V
E
V
BE
@
C
= 5.0 V
V
CE （ SAT ）
@
I
C
/ I
B
=10
200
0.1 0
.2
0
.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0
I
C
，集电极电流（毫安）
0 0
.2 .3
0
.5
1
2
3
5
10
20 30
50
100
I
C
，集电极电流（毫安）
FIG.9-集电极饱和区
2.0
1.8
-1.0
FIG.10-基射极温度系数
-55
O
C
+125
O
C
温度系数（毫伏/℃ ）
O
T
A
= 25
O
C
-1.4
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.02
I
C
=
10
mA
I
C
=
20
mA
I
C
=
50毫安
I
C
=
百毫安
I
C
=
200毫安
-1.8
VB
对于V
BE
-2.2
VB
,
-2.6
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
-3.0
0.2
1.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
FIG.11-电容
40
FIG.12-电流增益 - 带宽积
1000
T
A
= 25
O
C
20
f
T
，电流增益 - 带宽积（兆赫）
V
CE
= 5V
500
400
300
200
T
A
= 25
O
C
C，电容（pF ）
C
ib
10
8.0
6.0
100
80
60
50
40
30
20
C
ob
4.0
2.0
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
2.0
4.0 6.0
10
20 30 40 60
100
V
R
，反向电压（伏）
10
0 01
.
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
版本：
B07
SMD通用
晶体管（ NPN ）
BC846/BC847/BC848
SMD通用晶体管（ NPN ）
特点
NPN硅外延平面晶体管
开关和放大器应用
机械数据
案例：
终端：
重量：
SOT -23 ，塑料包装
每MIL -STD- 202G ，方法208
0.008克
SOT-23
标识信息
BC846A
标识代码
1A
BC846B
1B
BC847A
1E
BC847B
1F
BC847C
1G
BC848A
1J
BC848B
1K
BC848C
1L
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
存储温度范围
BC846
80
65
6
BC847
50
45
6
100
350
150
-55到+150
BC848
30
30
5
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
注1
条件
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
J
T
英镑
注意：
1.包装安装在99.5％氧化铝10 ×8× 0.6毫米。
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话： （ 800 ） -TAITRON
传真： （ 800 ） -TAITFA
(800)-824-8766
(800)-824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本A / AH 2008-05-29
第1页3
SMD通用晶体管（ NPN ）
BC846/BC847/BC848
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
I
CBO
集电极 - 发射极截止电流
BC846 / 7/8 ，后缀“A”
BC846 / 7/8 ，后缀“B”
BC847 / 8 ，后缀“C”
-
-
-
-
110
200
420
-
-
90
150
270
180
290
520
0.09
0.2
0.7
0.9
0.66
-
300
2.5
1.0
15
-
-
-
220
450
800
0.25
nA
V
CB
=30V,
I
E
=0
V
CE
=5V,
I
C
=10A
h
FE
直流电流增益
BC846 / 7/8 ，后缀“A”
BC846 / 7/8 ，后缀“B”
BC847 / 8 ，后缀“C”
V
CE
=5V,
I
C
=2mA
I
C
=10mA,
I
B
=0.5mA
V
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
-
-
0.6
-
I
C
=100mA,
I
B
=5mA
I
C
=10mA,
I
B
=0.5mA
V
V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
-
0.58
-
0.7
I
C
=100mA,
I
B
=5mA
V
CE
=5V,
I
C
=2mA
V
V
BE（上）
f
T
C
ob
NF
基射极电压上
-
电流增益带宽积
集电极输出电容
噪声系数
-
-
-
0.75
-
4.5
10
V
CE
=5V,
I
C
=10mA
兆赫
pF
dB
V
CE
=5V,
I
C
=10mA,
f
=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0,
f
=1MHz
V
CE
=5V,
I
C
=0.2mA,
R
G
= 2KΩ中，f = 1KHz的
版本A / AH 2008-05-29
www.taitroncomponents.com
分页： 1 2 3
SMD通用晶体管（ NPN ）
BC846/BC847/BC848
尺寸（mm）
SOT-23
如何联系我们：
美国总部
28040西哈里森PARKWAY ，瓦伦西亚，CA 91355-4162
联系电话： （ 800 ） TAITRON （ 800 ） 824-8766 （ 661 ） 257-6060
传真： （ 800 ） TAITFAX （ 800 ） 824-8329 （ 661 ） 257-6415
电子邮件：
taitron@taitroncomponents.com
Http://www.taitroncomponents.com
TAITRON组件墨西哥， S.A .DE C.V。
中央大道5000室内5 PARQUE工业ATITALAQUIA ，伊达尔戈CP
42970 MEXICO
电话： + 52-55-5560-1519
传真： + 52-55-5560-2190
TAITRON组件INCORPORATED REPRESENTAES DO BRASIL LTDA
RUA DOMINGOS DE MORAIS ， 2777 ， 2.ANDAR ， SALA 24 SADE - 圣保罗 - SP 04035-001 BRAZIL
电话： + 55-11-5574-7949
传真： + 55-11-5572-0052
TAITRON组件INCORPORATED上海代表处
首都银行大厦1160西延安路， SUITE 1503 ，上海， 200052 ，中国
电话： + 86-21-5424-9942
传真： + 86-21-5424-9931
版本A / AH 2008-05-29
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第3页3
SMD通用
晶体管（ NPN ）
BC846/BC847/BC848
SMD通用晶体管（ NPN ）
特点
NPN硅外延平面晶体管
开关和放大器应用
机械数据
案例：
终端：
重量：
SOT -23 ，塑料包装
每MIL -STD- 202G ，方法208
0.008克
SOT-23
标识信息
BC846A
标识代码
1A
BC846B
1B
BC847A
1E
BC847B
1F
BC847C
1G
BC848A
1J
BC848B
1K
BC848C
1L
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
存储温度范围
BC846
80
65
6
BC847
50
45
6
100
350
150
-55到+150
BC848
30
30
5
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
注1
条件
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
J
T
英镑
注意：
1.包装安装在99.5％氧化铝10 ×8× 0.6毫米。
TAITRON零部件股份有限公司
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联系电话： （ 800 ） -TAITRON
传真： （ 800 ） -TAITFA
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SMD通用晶体管（ NPN ）
BC846/BC847/BC848
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
I
CBO
集电极 - 发射极截止电流
BC846 / 7/8 ，后缀“A”
BC846 / 7/8 ，后缀“B”
BC847 / 8 ，后缀“C”
-
-
-
-
110
200
420
-
-
90
150
270
180
290
520
0.09
0.2
0.7
0.9
0.66
-
300
2.5
1.0
15
-
-
-
220
450
800
0.25
nA
V
CB
=30V,
I
E
=0
V
CE
=5V,
I
C
=10A
h
FE
直流电流增益
BC846 / 7/8 ，后缀“A”
BC846 / 7/8 ，后缀“B”
BC847 / 8 ，后缀“C”
V
CE
=5V,
I
C
=2mA
I
C
=10mA,
I
B
=0.5mA
V
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
-
-
0.6
-
I
C
=100mA,
I
B
=5mA
I
C
=10mA,
I
B
=0.5mA
V
V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
-
0.58
-
0.7
I
C
=100mA,
I
B
=5mA
V
CE
=5V,
I
C
=2mA
V
V
BE（上）
f
T
C
ob
NF
基射极电压上
-
电流增益带宽积
集电极输出电容
噪声系数
-
-
-
0.75
-
4.5
10
V
CE
=5V,
I
C
=10mA
兆赫
pF
dB
V
CE
=5V,
I
C
=10mA,
f
=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0,
f
=1MHz
V
CE
=5V,
I
C
=0.2mA,
R
G
= 2KΩ中，f = 1KHz的
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SMD通用晶体管（ NPN ）
BC846/BC847/BC848
尺寸（mm）
SOT-23
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第3页3
BC846ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10 mA）的
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集电极发射极击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
BC847A ， B，C BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B ，
BC849B ， BC850B
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
110
200
420
580
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
660
220
450
800
0.25
0.6
700
770
V
V
mV
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
15
5.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
I
CBO
nA
mA
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
基地发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
基地发射极电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C
BC849B ，C ， BC850B ，C
f
T
C
敖包
NF
100
4.5
10
4.0
兆赫
pF
dB
图1 。
http://onsemi.com
2
BC846ALT1系列
BC847 ， BC848 ， BC849 ， BC850
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.5
50
2.0
5.0 10
1.0
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
图1.归DC电流增益
2.0
T
A
= 25°C
1.6
I
C
= 200毫安
1.2
0.8
0.4
0
I
C
=
I
C
=
10毫安20毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
1.0
图2. “饱和度”和“开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
3.0
C
ob
2.0
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
图4.基射极温度系数
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
1.0
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
20
4.0 6.0 8.0 10
V
R
，反向电压（伏）
40
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
30
50
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
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3
BC846ALT1系列
订购信息
设备
BC846ALT1
BC846ALT3
BC846BLT1
BC846BLT3
BC847ALT1
BC847ALT1G
BC847BLT1
BC847CLT1
BC847CLT1G
BC847CLT3
BC847CLT3G
BC848ALT1
BC848ALT1G
BC848BLT1
BC848BLT3
BC848CLT1
BC848CLT1G
BC849BLT1
BC849BLT3
BC849CLT1
BC849CLT1G
BC850BLT1
BC850CLT1
BC850CLT1G
记号
1A
1A
1B
1B
1E
1E
1F
1G
1G
1G
1G
1J
1J
1K
1K
1L
1L
2B
2B
2C
2C
2F
2G
2G
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
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（无铅）
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（无铅）
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（无铅）
3000 /磁带&卷轴
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万/磁带&卷轴
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