飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
BC846 ; BC847 ; BC848
手册， halfpage
400
MGT723
的hFE
(1)
1200
手册， halfpage
VBE
（毫伏）
1000
(1)
MGT724
300
800
(2)
200
(2)
600
(3)
(3)
400
100
200
0
10
1
1
10
10
2
I C （毫安）
10
3
0
10
1
1
10
10
2
I C （毫安）
10
3
BC846A;
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
BC846A;
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.2
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.3
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
10
3
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
MGT725
手册， halfpage
1200
VBEsat
（毫伏）
1000
MGT726
(1)
800
(2)
10
2
(1)
(2)
(3)
600
(3)
400
200
10
10
1
1
10
10
2
I C （毫安）
10
3
0
10
1
1
10
10
2
I C （毫安）
10
3
BC846A;
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
BC846A;
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
Fig.5
基极 - 发射极饱和电压作为
集电极电流的函数;典型值。
2004年2月06日
5
