BA3259HFP,BA30E00WHFP
- 输入
/输出等效电路
BA3259HFP
技术说明
BA30E00WHFP
VCC
VCC
Vcc1
Vcc1
Vcc2
Vo1
Vo2
ADJ
Vo1
Vo2
ADJ
Fig.30
BA3259HFP I / O等效电路
Fig.31
BA30E00WHFP I / O等效电路
Explanation
外部元件
○BA3259HFP
1 ）工作电压（引脚1 ）
建议在陶瓷电容器具有约3.3μF的电容被置于Vcc和GND之间的
位置最接近销越好。
2 ）武（引脚4,5 ）
插入Vo和GND之间的电容器，以防止输出振荡。如果该电容可以振荡
电容的变化作为温度波动造成的。因此，建议在一个陶瓷电容器用
X5R或以上的温度系数和最大电容变化（由温度波动引起的）
±10％使用。该电容应该是1μF和1,000μF之间。 （参照图28 ）
○BA33E00HFP
1 ） VCC1 （引脚3 ）和VCC2 （引脚2 ）
将电容器1μF的VCC1和GND和VCC2和GND之间的电容。的电容值将变化
根据不同的应用。一定要实现的设计有足够的利润空间。
2 ） Vo1的（ 5脚）和Vo2的（引脚6 ）
插入Vo和GND之间的电容器，以防止振荡。该电容器可以有很大变化的电容
随温度的变化，从而不可能完全防止振荡。因此，使用钽铝
具有低ESR （等效串联电阻） ，以确保在低温性能好等特点电解电容
温度。输出振荡如果血沉过高或过低。参阅图4中的ESR特性。 29和
稳定工作区域内操作的集成电路。如果有一个突然的负载变化，使用电容器具有较高的
电容。建议47μF和1,000μF之间的电容。
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