BA3259HFP,BA30E00WHFP
技术说明
“功能
解释
1 ）两输入电源（ BA30E00WHFP ）
输入电压（ VCC1和VCC2 ）供电两个输出（ Vo1和Vo2的，分别） 。的功率耗散
之间的输入和输出管脚，可以根据使用来抑制每一输出。
效率比较：
5V单输入与5V / 3V两个输入
稳压器
与单个输入和两个输出端
稳压器
具有两个输入和两个输出端
（VO = 1.8V ，为Io1 = IO2 = 0.3A ）
常规
5V
VCC
REG1
Vo1
3.3 V / 0.3 A
Vo2
REG2
1.8 V / 0.3 A
输入和输出之间的功率损耗
（VCC
Vo1)
IO1 + （VCC
Vo2)
Io2
= (5
3.3)
0.3 + (5
1.8)
0.3
= 0.51W + 0.96W
= 1.47W
单5V输入的结果下降
效率
当前
5V
VCC
REG1
Vo1
3.3 V / 0.3 A
3V
REG2
Vo2
1.8 V / 0.3 A
输入和输出之间的功率损耗
(Vcc1
Vo1)
IO1 + （电源Vcc2
Vo2)
Io2
= (5
3.3)
0.3 + (5
1.8)
0.3
= 0.51W + 0.36W
= 0.87W
通过降低功率损耗
0.6W.
其他3V输入提高了效率
2 ）待机功能（ BA30E00WHFP ）
待机功能是通过EN引脚操作。输出被接通，在2.0 V或更高，并在0.8V或更低的关闭。
热
设计
如果IC是多余的电力消耗的条件下使用时，芯片的温度会升高，这将有
在IC上，电气特性，如在当前的能力降低的不利影响。此外，如果
温度超过T
JMAX
中，元件的劣化或损坏，可能会发生。实施适当的热设计，以确保
功耗是在允许的范围内，以防止瞬时集成电路损坏从热产生和
保持IC的长期运行的可靠性。参阅图1中的功率下降特性曲线。 27 。
“权力
消费PC（ W）计算方法：
○BA3259HFP
VCC
I
P
VCC
动力
Tr
调节器
VCC
动力
Tr
ICC
GND
3.3 V电源功耗
晶体管
Pc1=(Vcc
3.3)
Io1
Vo2的电源功耗
晶体管
3.3 V
Pc2=(Vcc
Vo2)
Io2
产量
Vo1
功耗由短路电流
Io1
Pc3=Vcc
ICC
0.8 V至
PC = Pc1型+ PC2 + PC3
3.3 V
产量
* VCC：外加电压
Vo2
IO1 ：在Vo1的侧负载电流
Io2
IO2 ：二氧化钒侧负载电流
ICC ：电路电流
○BA30E00WHFP
Vcc1
Vcc1
调节器
Vcc2
I
B
1
I
B
2
动力
Tr
Vcc2
动力
Tr
Icc1+Icc2
GND
功率晶体管的功耗
VOL1 （ 3.3 V输出）
Pc1=(Vcc1
Vo1)
Io1
功率晶体管的功耗
VO2 （可变输出）
3.3 V
Pc2=(Vcc2
Vo2)
Io2
产量
Io1
功耗由短路电流
Io1
Pc3=Vcc1
ICC1 +电源Vcc2
Icc2
0.8 V至
PC = Pc1型+ PC2 + PC3
3.3 V
IO2输出
* VCC1 ，电源Vcc2 ：外加电压
IO1 ：在3.3 V输出端负载电流
Io2
IO2 ：可变输出端负载电流
ICC1 ， ICC2 ：短路电流
国际刑事法院（短路电流）随负载。
参考
上述和实施适当的热设计，以使IC不会被的条件下使用
多余的功耗，Pd所有工作温度下。
10
板尺寸： 70毫米
70 mm
1.6 mm
9
（有散热孔由董事会成立）
板面面积： 10.5毫米
10.5 mm
8 (3) 7.3W
（1） 2层基板（背面铜箔区15毫米
15 mm)
（ 2 ） 2层电路板（背面铜箔面积： 70毫米
70 mm)
7
（ 3 ） 4层电路板（背面铜箔面积： 70毫米
70 mm)
6 (2) 5.5W
5
4
3 (1) 2.3W
2
1
0
0 25
50 75 100 125 150
环境温度：钽[° C]
功耗： PD [ W]
10.0
5.0
血沉[ Ω ]
2.0
1.0
0.5
0.2
不稳定区域
0.1
0.05
0.02
0.01
0
稳定区
200
400 600
IO [马]
10.0
5.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
800 1000
血沉[ Ω ]
不稳定区域
稳定区
不稳定区域
200
400 600
IO [马]
800 1000
图。 27环境温度与功率耗散
图28 BA3259HFP ESR
图29 BA30E00WHFP ESR
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2011.03 - Rev.B的
