位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1472页 > APTLGT400A608G > APTLGT400A608G PDF资料 > APTLGT400A608G PDF资料1第5页
APTLGT400A608G
典型的IGBT性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
800
700
600
I
C
(A)
T
J
=25°C
反向偏置安全工作区
1000
800
500
400
300
200
100
T
J
=25°C
T
J
=150°C
I
C
(A)
V
DD
= 5V
V
IN
= 5V
600
400
200
0
T
J
=150°C
0
0
0.5
1
1.5
V
CE
(V)
2
2.5
3
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
(V)
能量损失VS集电极电流
V
CE
= 300V
V
DD
= 5V
V
IN
= 5V
T
J
= 150°C
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
50
40
30
20
10
0
0
100
200
300
I
C
(A)
400
500
V
CE
= 300V
D = 50%
V
DD
= 5V
V
IN
= 5V
T
J
= 150°C
T
C
=85°C
HARD
开关
24
EOFF
18
E（兆焦耳）
12
宙
6
受
内门
驱动电源
耗散
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800
I
C
(A)
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
热阻抗（ ℃/ W）
0.12
D = 0.9
0.7
0.08
0.5
0.04
0.3
0.1
0.05
0
0.00001
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
www.Microsemi.com
5-6
APTLGT400A608G - 牧师0 2011年2月
