APTLGT400A608G
相脚
智能功率模块
V
CES
= 600V
I
C
= 400A @ T = 80℃
应用
电机控制
不间断电源
开关电源
扩音器
特点
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- RBSOA & SCSOA评分
集成的故障安全保护IGBT （驱动器）
- 顶部底部的输入信号联锁
- 隔离式DC / DC转换器
低杂散电感
M5电源连接器
高集成度
VBUS
0/VBUS
OUT
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
请参阅应用笔记APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1-6
APTLGT400A608G - 牧师0 2011年2月
好处
突出表现在高频率运行
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
非常高噪声抗扰度
（共模抑制> 25千伏/μs的）
电气隔离： 3750V的光电耦合器
2500V的变压器
与施密特触发器输入5V逻辑电平
单V
DD
=所需的5V电源
内部产生的二次辅助电源
(15V, -6V)
光电耦合器符合AEC -Q100测试quidelines
符合RoHS
INL
INH
GND
GND
VDD
VDD
APTLGT400A608G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
1.逆变器功率模块
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 150°C
最大额定值
600
600
400
800
1250
800A@550V
单位
V
A
W
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
V
DD
= V
IN
= 5V
I
C
= 400A
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
民
典型值
最大
0.3
1
1.9
单位
mA
V
1.5
1.7
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
T
r
T
f
T
r
T
f
E
on
E
关闭
I
sc
R
thJC
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
上升时间
下降时间
上升时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
短路数据
结到外壳热阻
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关（ 25 ° C）
V
DD
= V
IN
= 5V
V
公共汽车
= 300V ;我
C
= 400A
电感式开关（ 125°C ）
V
DD
= V
IN
= 5V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 400A
V
DD
= V
IN
= 5V; V
公共汽车
=360V
t
p
≤
6微秒;牛逼
j
= 150°C
民
典型值
24
1.6
0.8
45
55
25
70
3.5
14
2000
0.12
最大
单位
nF
ns
ns
mJ
A
° C / W
www.Microsemi.com
2-6
APTLGT400A608G - 牧师0 2011年2月
APTLGT400A608G
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
E
rr
R
thJC
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复能量
结到外壳热阻
I
F
= 400A
V
R
= 300V
I
F
= 400A
测试条件
V
R
=600V
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
民
600
典型值
最大
350
500
400
1.6
1.5
125
220
19
40
4.4
9.6
0.20
2
单位
V
A
A
V
ns
C
mJ
° C / W
的di / dt = 4800A / μs的
2.驱动
绝对最大额定值
符号
V
DD
V
INI
I
VDDMAX
f
最大
参数
电源电压
输入信号电压I = L，H
V
INI
= 0V岛= L &
V
DD
=5V, V
INH
= /V
INL
;
F
OUT
=到45kHz
最大开关频率
最大电源电流
最大额定值
5.5
5.5
0.35
2
45
单位
V
A
千赫
驱动器电气特性
符号
V
DD
V
INI （最大值）
V
INI （TH + ）
V
INI （ TH- ）
R
INI
T
D（上）
D
T
T
D（关闭）
PWD
PDD
V
ISOL
特征
工作电源电压
最大输入电压
正向阈值电压
负向阈值电压
输入电阻*
打开延迟时间
内置死区时间
关闭延迟时间
脉冲宽度失真
传播延迟差异
任何两个驱动器之间
初，次级绝缘
测试条件
民
4.5
-0.5
典型值
5
5
3.2
1
1
1100
600
750
最大
5.5
5.5
单位
V
V
k
ns
300
T
D（上）
- T
D（关闭）
-350
2500
350
ns
APTLGT400A608G - 牧师0 2011年2月
I = L，H
驱动+ IGBT
驱动+ IGBT
V
RMS
*低阻抗，保证了良好的噪声抑制。
www.Microsemi.com
3-6
APTLGT400A608G
3.包装特点
符号
V
ISOL
T
J
T
OP
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
工作结温范围
工作环境温度
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M5
M5
民
2500
-40
-40
-40
-40
2
2
典型值
最大
150
85
100
100
4.7
4
单位
V
°C
牛米
g
550
4. LP8封装外形
（单位：mm ）
镭3,2
www.Microsemi.com
4-6
APTLGT400A608G - 牧师0 2011年2月
APTLGT400A608G
典型的IGBT性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
800
700
600
I
C
(A)
T
J
=25°C
反向偏置安全工作区
1000
800
500
400
300
200
100
T
J
=25°C
T
J
=150°C
I
C
(A)
V
DD
= 5V
V
IN
= 5V
600
400
200
0
T
J
=150°C
0
0
0.5
1
1.5
V
CE
(V)
2
2.5
3
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
(V)
能量损失VS集电极电流
V
CE
= 300V
V
DD
= 5V
V
IN
= 5V
T
J
= 150°C
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
50
40
30
20
10
0
0
100
200
300
I
C
(A)
400
500
V
CE
= 300V
D = 50%
V
DD
= 5V
V
IN
= 5V
T
J
= 150°C
T
C
=85°C
HARD
开关
24
EOFF
18
E（兆焦耳）
12
宙
6
受
内门
驱动电源
耗散
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800
I
C
(A)
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
热阻抗（ ℃/ W）
0.12
D = 0.9
0.7
0.08
0.5
0.04
0.3
0.1
0.05
0
0.00001
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
www.Microsemi.com
5-6
APTLGT400A608G - 牧师0 2011年2月
QQ：2880707522 复制
