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A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD114835/ALD114935
QUAD /双N沟道耗尽型EPAD
VGS （ TH） = -3.50V
精密匹配的一对MOSFET阵列
应用
B型的功能性替代（ NC）继电器
零电源故障安全电路
备用电池电路
电源故障检测器
故障安全信号检测
源极跟随器和缓冲器
精密电流镜
精密电流源
Capacitives探头
传感器接口
充电检测器
充电集成商
差分放大器的输入级
高边开关
峰值检测器
采样和保持
报警系统
电流倍增器
模拟开关
模拟多路复用器
电压比较器
电平转换器
销刀豆网络gurations
ALD114835
IC *
G
N1
D
N1
S
12
V
-
D
N4
G
N4
IC *
1
2
3
4
5
6
7
8
V
-
V
-
V
-
M4
M3
M1
M2
e
TM
EPAD
E
N
AB
LE
D
概述
ALD114835 / ALD114935是高精度单片四核/双耗尽模式
N沟道MOSFET ，在使用ALD的证明EPAD CMOS工厂匹配
技术。这些器件适用于低电压，小信号的应用
系统蒸发散。他们是优秀的功能替代常闭继电器AP-
褶皱的，因为它们通常是接通（导通），而不施加任何力，但
可以关闭或调节时的系统电源被接通。这些
MOSFET具有独特的特性，当栅极接地，能操作
阿婷在电阻模式为低漏极电压电平与在当前
源模式更高的电压等级，并提供恒定的漏极电流。
ALD114835 / ALD114935 MOSFET是专为特殊设备elec-
Trical公司特征匹配。因为这些设备都是在相同的单片
芯片，它们也显示出优异的温度跟踪特性。他们是
多功能的设计组件为广泛的模拟等应用的
作为基本构建块为电流源，差分放大器的输入级，
传输门电路，以及多路转换器的应用程序。除了匹配对electri-
校准特征，每一个单独的MOSFET也展品很好地控制纸张
rameters ，使得用户能够依赖于紧密设计的限制。甚至从单位
不同批次和生产日期不同有相应的好
匹配的特征。
这些耗尽型器件是专为最低的失调电压和differ-
无穷区间的热响应，并且它们被设计用于转换和放大
在单5V应用到+/- 5V系统中的低输入偏置电流，低
输入电容和开关速度快是期望的。这些设备展
良好控制的关断和亚阈值charactersitics ，因此可以是
在依赖于亚阈值特性的设计中使用。
该ALD114835 / ALD114935适用于高精度应用这
需要非常高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。
样品计算直流电流增益中的3毫安和栅极的漏电流
30PA的输入漏电流= 100,000,000 。它建议用户
对于大多数的应用中，连接V +连接到最正电压和
V相和IC引脚到系统中的最负的电压。所有其他引脚必须
有内随时这些电压范围的电压。
特点
耗尽型（常开）
精确的栅极阈值电压： -3.50V +/- 0.05V
额定
DS （ ON）
@V
GS
540Ω的= 0.0V
匹配的MOSFET MOSFET的特性
严格的批次控制参数
低输入电容
V
GS （ TH）
比赛（V
OS
） - 为20mV
高输入阻抗 - 10
12
典型
正，零，负V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
直流电流增益>10
8
低输入和输出泄漏电流
订购信息
（ “L”的后缀
表示无铅（ RoHS指令） ）
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
16-Pin
SOIC
包
16-Pin
塑料DIP
包
8-Pin
SOIC
包
8-Pin
塑料DIP
包
V
-
V
-
16
15
14
IC *
G
N2
D
N2
V
+
S
34
D
N3
G
N3
IC *
V
+
13
12
11
10
9
SCL ， PCL套餐
ALD114935
IC *
G
N1
D
N1
S
12
1
2
3
4
M1
M2
V-
V-
8
7
6
IC *
G
N2
D
N2
V-
V-
SAL ， PAL套餐
5
ALD114835SCL ALD114835PCL ALD114935SAL ALD114935PAL
*联系工厂的工业温度范围或用户指定的阈值电压值
* IC引脚内部连接，
连接到V-
修订版2.1 2012先进的线性器件，公司415塔斯曼车道，桑尼维尔，CA 94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
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