典型性能特性
输出特性
漏源导通电阻
()
5
漏源电流ON
（MA ）
漏源导通电阻
与漏源电流
2500
TA = 25°C
T
A
= +25°C
4
VGS-VGS(TH)=+5V
2000
1500
VGS = VGS （TH） + 4V
VGS-VGS(TH)=+4V
3
VGS-VGS(TH)=+3V
2
VGS-VGS(TH)=+2V
1000
500
VGS = VGS （ TH ） + 6V
1
VGS-VGS(TH)=+1V
0
0
2
4
6
8
10
0
10
100
1000
10000
漏源电压（ V）
漏源电流（ μA ）
正向传递特性
漏源电流ON
（MA ）
20
2.5
VGS （ TH） = -3.5V
跨导主场迎战
环境温度
跨
（毫安/ V）
15
T
A
= 25°C
V
DS
= +10V
VGS （ TH） = -1.3V
VGS （ TH） = -0.4V
2.0
1.5
1.0
0.5
0
10
VGS （ TH） = 0.0V
VGS （ TH） = + 0.2V
5
VGS （ TH） = + 1.4V
VGS （ TH） = + 0.8V
0
-4
-2
0
2
4
6
8
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
栅源电压（ V）
环境温度（ ℃）
阈下正向传递
特征
漏源电流
（ nA的）
10000
1000
VGS(TH)=-1.3V
TA = + 25°C
VDS=+0.1V
VGS(TH)=0.0V
阈下正向传递
特征
漏源电流
（ nA的）
100000
1000
100
10
1
0.1
V
DS
=0.1V
坡仅为110mV /十年
=
10
1
0.1
0.01
-4
-3
-2
VGS(TH)=-3.5V
VGS(TH)=+0.2V
VGS(TH)=+0.8V
VGS(TH)=+1.4V
100
VGS(TH)=-0.4V
0.01
V
GS （ TH）
0
1
2
-1
-0.5
V
GS （ TH）
-0.4
V
GS （ TH）
-0.3
V
GS （ TH）
-0.2
V
GS （ TH）
-0.1
V
GS （ TH）
栅源电压（ V）
栅源电压（ V）
ALD114835/ALD114935
先进的线性器件
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