SSM2314GN
f=1.0MHz
12
1000
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
=3A
10
8
6
C（ pF）的
V
DS
=10V
V
DS
=12V
V
DS
=16V
C
国际空间站
100
4
C
OSS
C
RSS
2
0
0
2
4
6
8
10
1
5
9
13
17
21
25
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
归热响应（R
thJA
)
0.2
10
1ms
I
D
(A)
1
0.1
0.1
0.05
P
DM
0.01
10ms
100ms
1s
DC
1
10
100
t
单脉冲
T
0.01
0.1
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 270 ° C / W
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
15
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
=5V
I
D
，漏电流（ A）
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
10
Q
GD
5
收费
0
0
2
4
6
Q
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
2005年4月16日Rev.2.1
图12.栅极电荷电路
www.SiliconStandard.com
4 5
