SSM2314GN
N沟道增强模式功率MOSFET
低栅极电荷
简单的驱动要求
快速开关
无铅;符合RoHS标准。
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
20V
75m
3.5A
G
S
描述
该SSM2314GN是采用SOT- 23-3封装，其被广泛地用于低
功率商业和工业表面贴装应用。该装置是
适用于低电压应用，如DC / DC转换器和与
一般的开关应用。
D
S
SOT-23-3
G
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=70°C
I
DM
P
D
@ T
A
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
±
12
3.5
2.8
10
1.38
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
热数据
符号
R
θJA
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
90
单位
° C / W
2005年4月16日Rev.2.1
www.SiliconStandard.com
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