2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存
SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
数据表
产品订购信息
设备
SST39xFxxxA
-
速度
XX
-
Suffix1
XX
-
Suffix2
XX
包修改
K = 48引脚或球
数字=模具修改
套餐类型
E = TSOP （12毫米X 20毫米）
B3 = TFBGA封装（ 0.8mm间距， 6× 8毫米）
U =未封装模具
温度范围
C =商业= 0 ° C至+ 70°C
E =扩展= -20 ° C至+ 85°C
I =工业= -40 ° C至+ 85°C
最低耐力
4 = 10,000次
读访问速度
45 = 45 ns的
55 = 55 ns的
70 = 70纳秒
90 = 90纳秒
器件密度
200 = 2兆
400 = 4兆位
800 = 8兆位
电压
L = 3.0-3.6V
V = 2.7-3.6V
2001硅存储技术公司
S71117-04-000 6/01
360
26
