【2兆位/ 4兆位/ 8兆位（ X16 ）多用途闪存SST39LF200A / SST39LF400A】,IC型号SST39VF400A,SST39VF400A PDF资料,SST39VF400A经销商,ic,电子元器件-51电子网

2兆位/ 4兆位/ 8兆位（ X16 ）多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

SST39LF / VF200A / 400A / 800A3.0 & 2.7V 2MB / 4MB / 8Mb的（ X16 ）强积金的回忆

数据表

产品特点：

组织为128K X16 / X16 256K / 512K X16

单电压读写操作

- 3.0-3.6V的SST39LF200A / 400A / 800A

- 2.7-3.6V的SST39VF200A / 400A / 800A

卓越的可靠性

- 耐力： 100,000次（典型值）

- 大于100年数据保存时间

低功耗

- 工作电流：20 mA（典型值）

- 待机电流： 3 μA （典型值）

扇区擦除功能

- 统一2K字扇区

块擦除功能

- 统一32K字块

快速读取访问时间

- 45和55纳秒的SST39LF200A / 400A

- 55纳秒的SST39LF800A

- 70和90纳秒的SST39VF200A / 400A / 800A

锁存地址和数据

快速擦除和字编程

- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）

- 字编程时间： 14 μs（典型值）

- 芯片重写时间：

2秒钟（典型值） SST39LF / VF200A

4秒（典型值） SST39LF / VF400A

8秒（典型值） SST39LF / VF800A

自动写时序

- 内部V

GENERATION

检测写操作结束的

- 触发位

- 数据＃投票

CMOS I / O兼容性

JEDEC标准

- 闪存EEPROM的引脚及指令集

封装

- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）

- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）

产品说明

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A设备是128K X16 / X16 256K / 512K x16的CMOS

多用途闪存（ MPF）与SST的亲制造

专有的高性能CMOS SuperFlash技术。

分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入

实现更高的可靠性和可制造性与比较

另一种方法。该SST39LF200A / 400A / 800A

写（编程或擦除）以3.0-3.6V的电源。该

SST39VF200A / 400A / 800A写（编程或擦除）与

2.7-3.6V供电。这些器件符合JEDEC

标准引脚为X16的回忆。

具有高性能的字编程能力，

SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A器件提供14典型字编程时间

微秒。该器件使用翻转位或数据＃查询检测

在完成编程或擦除操作。要亲

TECT防止误写入，他们有片上硬件

和软件数据保护方案。设计，制造

factured ，并测试了广泛的应用范围，

这些器件还具有有保证的耐力

10,000次。数据保留的额定功率为大于100

年。

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A设备适合于需要conve-应用

对个别及程序，配置经济升级，

或数据存储器。对于所有的系统应用程序，它们显

着地提高性能和可靠性，同时降低

功耗。他们本能地使用更少的能源能很好地协同

荷兰国际集团擦除和编程比其他闪存技术。

当编程闪存设备，在总能源

SUMED是所施加电压的函数，电流和

应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则

SuperFlash技术的编程电流小，

具有更短的擦除时间，总的能量过程中消耗

任何擦除或编程操作小于替代

闪存技术。这些器件还可以提高灵活性

同时降低成本为程序，数据和配置

存储的应用程序。

SuperFlash技术提供固定的擦除和亲

克倍，独立擦除的数量/程序

已经发生的周期。因此，系统软件

或硬件没有被修改或降额，是

必要时与其他闪存技术，其擦除

并积累了擦除/编程亲次数的增加

克周期。

为了满足表面贴装的要求， SST39LF200A /

400A / 800A和SST39VF200A / 400A / 800A提供的

两个48引脚TSOP封装， 48球TFBGA封装

老少皆宜。参见图1和图2的引脚排列。

2001硅存储技术公司

S71117-04-000 6/01

360

在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

规格若有变更，恕不另行通知。

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

设备操作

命令用于启动存储器操作功能

该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备

采用标准的微处理器写序列。一个COM

命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃

低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿

或CE ＃，先到为准过去。数据总线被锁存

WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。

读

该SST39LF200A的读操作/ 400A / 800A和

SST39VF200A / 400A / 800A通过CE＃和OE ＃控制，

既要低的系统，以获得从所述数据

输出。 CE＃用于器件选择。当CE＃为

高，芯片被取消选中，只有待机功耗所配置

SUMED 。 OE＃为输出控制，用于栅极的数据

从输出引脚。数据总线处于高阻

状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。参考读

对于进一步的细节周期的时序图（图3）。

通过执行一个6字节的COM启动擦除操作

与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列

扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除

通过执行一个6字节的命令开始运行

序列块擦除命令（ 50H ）和块

地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块

地址被锁存的6个WE＃的下降沿

脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的

第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除

第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了

擦除操作可以通过数据＃确定

查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序

荷兰国际集团的波形。在扇区中发出的任何命令

或块擦除操作将被忽略。

芯片擦除操作

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了全片擦除操作，这使得

用户能够擦除整个存储器阵列的“1”状态。这

是有用的，当整个装置必须迅速删除。

通过执行六发起的芯片擦除操作

与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）

在最后一个字节序列地址5555H 。擦除

操作开始的6个WE＃上升沿或

CE＃，以先到为准。在擦除操作，

唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表

4，用于在指令序列，图8为时序图，

和图19的流程图。任何命令发出很好地协同

荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。

字编程操作

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A编程就一个字，用字的基础。前

编程时，必须确保该扇区，其中

正被编程的存在的话，被完全擦除。

在编程操作包括三个步骤。第一

步骤是软件数据亲的3字节装入序列

保护。第二步骤是要加载的字地址，字

数据。在字编程操作时，地址

被锁存， CE＃或WE＃的下降沿，

为准过去。该数据被锁存的上升

任CE ＃或WE ＃边沿，以先到为准。该

第三步是内部编程操作，这是initi-

后ated的第4个WE ＃或CE ＃，上升沿，而─

先出现。编程操作，一旦启动，将

将在20 μs内完成。请参阅图4和图5为WE＃

和CE ＃控制的编程操作时序图

图16为流程图。在程序操作

化，唯一有效的读操作是数据＃查询和翻转位。

在内部编程操作，主机可以自由地

执行其他任务。在发出的任何命令

内部编程操作都将被忽略。

写操作状态检测

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了两种软件方法来检测完成

一个写（编程或擦除）循环中，为了优化

系统的写入周期时间。软件检测包含

两个状态位：数据＃查询（ DQ

），并触发位（ DQ

写操作结束检测模式后上升启用

边WE＃，启动内部编程或擦除

操作。

非易失性写操作的实际完成是asynchro-

知性与系统;因此，无论是数据＃查询或

切换位读可以同时配合完成

的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能

获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组

flict有两种DQ

或者DQ

。为了防止杂散

排斥，如果错误的结果发生时，软件例程

应包括循环读取访问单元

附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则

设备已完成写周期，否则rejec-

化是有效的。

扇区/块擦除操作

在扇区（或块）擦除操作使系统

以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个

块）的基础。该SST39LF200A / 400A / 800A和

SST39VF200A / 400A / 800A提供两个扇区擦除和

块擦除模式。扇区结构是基于

统一扇区大小的2K字。块擦除模式

基于对32K字的均匀的块大小。在扇区

2001硅存储技术公司

S71117-04-000 6/01

360

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

数据＃投票（ DQ

)

当SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A /

400A / 800A的内部程序操作，任何

试图读取DQ

将产生的补

真正的数据。一旦程序操作完成后， DQ

将产生真正的数据。该设备然后准备进行下一次

操作。在内部擦除操作，任何企图

阅读DQ

会产生一个'0'。一旦内部擦除操作

化完成后， DQ

将产生一个'1'。数据＃投票

是后4个WE ＃（或CE ＃）的上升沿有效脉冲

对于编程操作。对于扇区，块或片擦除，

数据＃查询后的第6个WE ＃上升沿有效

（或CE ＃）脉冲。参见图6数据＃投票时间dia-

克和图17的流程图。

软件数据保护（ SDP ）

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了JEDEC核准的软件数据保护

对于所有数据修改操作化计划，即计划

和擦除。任何程序运行需要列入

三字节序列。这三个字节装入序列

用于启动编程操作，提供最佳

保护防止意外写操作，例如，在

在系统上电或断电。任何擦除操作

需要包含六个字节序列。本组

设备附带的软件数据保护per-

manently启用。请参阅表4为特定的软件

命令代码。在SDP命令序列，无效

命令会中止器件内TRC阅读模式。

DQ的内容

-DQ

可以是V

或V

外，无其它

值，在任何SDP命令序列。

切换位（ DQ

)

在内部编程或擦除操作，有关的任何

secutive尝试读出的DQ

会产生交变1秒

和为0，即，切换0. 1至当内部

编程或擦除操作完成后， DQ

位会

停止切换。该设备然后准备下一次操作

化。切换位后的第四个上升沿有效。

WE＃（或CE ＃）脉冲编程操作。对于扇区，

块擦除或芯片擦除，切换位后上涨有效

6个WE＃（或CE ＃）脉冲的边缘。参见图7为切换

位的时序图和图17为一个流程图。

通用闪存接口（ CFI ）

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A还包含CFI信息来形容煤焦

该装置的Cucumis Sativus查阅全文。为了进入CFI查询

模式下，系统必须写3字节的序列，同

与98H软件ID进入命令（ CFI查询的COM

命令），以解决5555H中的最后一个字节序列。一旦

该器件进入CFI查询模式，系统可以

在经过9在表5中给出的地址读出的CFI数据。

该系统必须写入CFI退出命令返回到

读取CFI查询模式模式。

数据保护

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了硬件和软件功能来亲

从意外写TECT非易失性数据。

硬件数据保护

噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5

NS不会启动写周期。

上电/掉电检测：写操作

抑制当V

小于1.5V 。

写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃

高会抑制写操作。这可以防止不经意

在上电或掉电ENT写道。

2001硅存储技术公司

S71117-04-000 6/01

360

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

产品标识

产品标识模式标识的设备上进行

在SST39LF / VF200A ， SST39LF / VF400A和SST39LF /

VF800A和制造商为SST。该模式可以是

通过软件操作进行访问。用户可以使用

软件产品标识操作来识别一部分

（即，使用的设备ID ），使用多个时

制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表4

软件的操作，如图11的软件ID进入

和读取时序图，图18为软件

ID进入命令序列流程图。

表1 ：P

RODUCT

DENTIFICATION

ABLE

地址

制造商ID

器件ID

SST39LF/VF200A

SST39LF/VF400A

SST39LF/VF800A

0001H

2789H

2780H

2781H

T1.3 360

产品标识模式退出/

CFI模式退出

为了返回到标准的读模式中，软件

产品标识模式必须退出。出口是accom-

通过发出软件ID退出命令plished

序列，将设备返回到读取模式。

该命令也可以被用于将设备复位为

后因疏忽瞬态条件下阅读模式

显然导致设备运行异常，如：

不正确读出。请注意，该软件ID退出/

一个内部计划中CFI退出命令被忽略或

擦除操作。参见表4软件命令

码，图13为时序波形和图18的

流程图。

数据

00BFH

0000H

2001硅存储技术公司

S71117-04-000 6/01

360

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

UNCTIONAL

LOCK

IAGRAM

X解码器

超快闪

内存

内存地址

地址缓冲器&门锁

y解码器

CE＃

OE ＃

WE＃

DQ15 - DQ0

360 ILL B1.2

控制逻辑

I / O缓冲器和数据锁存器

SST39LF / VF800A SST39LF / VF400A SST39LF / VF200A

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

A18

A17

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

A17

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

SST39LF / VF200A SST39LF / VF400A SST39LF / VF800A

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

标准引脚

顶视图

死亡最多

SST39LF200A/400A/800A

SST39VF200A/400A/800A

360 ILL F01.2

图1 ：P

SSIGNMENTS FOR

48-

领导

TSOP

2001硅存储技术公司

S71117-04-000 6/01

360

2兆位/ 4兆位/ 8兆位（ X16 ）多用途闪存

微芯片技术公司

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A / 800A器件128K

X16 / X16 256K / 512K x16的CMOS多用途闪存（ MPF）与制造

SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术。分裂栅

单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和制造

turability与其他方法相比。该SST39LF200A / 400A / 800A

写（编程或擦除）以3.0-3.6V的电源。该SST39VF200A / 400A /

800A写（编程或擦除）用2.73.6V电源。这些设备CON组

形式JEDEC标准引脚排列X16的回忆。

产品特点：

组织为128K X16 / X16 256K / 512K X16

单电压读写操作

- 3.0-3.6V的SST39LF200A / 400A / 800A

- 2.7-3.6V的SST39VF200A / 400A / 800A

快速擦除和字编程

- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）

- 字编程时间： 14 μs（典型值）

- 芯片重写时间：

2秒钟（典型值） SST39LF / VF200A

4秒（典型值） SST39LF / VF400A

8秒（典型值） SST39LF / VF800A

卓越的可靠性

- 耐力： 100,000次（典型值）

- 大于100年数据保存时间

低功耗

（在14 MHz时的典型值）

- 工作电流：9 mA（典型值）

- 待机电流： 3 μA （典型值）

自动写时序

- 内部V

GENERATION

检测写操作结束的

- 触发位

- 数据＃投票

扇区擦除功能

- 统一2K字扇区

CMOS I / O兼容性

JEDEC标准

- 闪存EEPROM的引脚及指令集

块擦除功能

- 统一32K字块

快速读取访问时间

- 55纳秒的SST39LF200A / 400A / 800A

- 70纳秒的SST39VF200A / 400A / 800A

封装

- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）

- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）

- 48球WFBGA （ 4× 6毫米）

- 48焊球XFLGA （ 4× 6毫米） - 4和8Mbit的

锁存地址和数据

所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准

2011硅存储技术公司

www.microchip.com

DS25001A

03/11

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

微芯片技术公司

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

产品说明

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A / 800A器件128K X16 / X16 256K /

512K x16的CMOS多用途闪存（ MPF）与SST专有的高性能制造

CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的

与其他方法相比，可靠性和可制造性。该SST39LF200A / 400A / 800A

写（编程或擦除）以3.0-3.6V的电源。该SST39VF200A / 400A / 800A写入（计划

或擦除）用2.73.6V电源。这些器件符合JEDEC标准引脚排列X16

回忆。

拥有高性能的字编程时， SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A器件提供14微秒的典型字编程时间。该器件使用翻转位或数据＃

轮询检测完成计划或擦除操作。为了防止意外

写，他们有片上硬件和软件数据保护方案。设计，制造，

并测试了广泛的应用范围，这些器件提供了一个保证典型

续航能力为10万次。数据保留的额定功率为100年以上。

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A / 800A设备适合于应用

要求程序，配置或数据存储器的方便和经济的更新。对于所有系统

的应用程序，它们显著提高性能和可靠性，同时降低了功耗。

他们擦除和编程过程中会本能地使用更少的能源比其他闪存技术。当

编程的闪存设备，所消耗的总能量是所施加电压的函数，电流

和应用的时间。因为对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术使用较少电流

租方案，并擦除时间更短，在任何擦除或编程所消耗的总能量

操作低于其他闪存技术。这些器件还可以提高灵活性，同时小写

荷兰国际集团的成本为程序，数据和配置存储应用。

SuperFlash技术提供固定的擦除和编程时间，独立的数

删除/已发生的项目周期。因此，系统软件或硬件不

要修改或降额，这一点不同于其他闪存技术，其擦除和亲

克次上调，累计擦除/编程周期。

为了满足表面贴装的要求， SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A / 800A

48引脚TSOP封装， 48球TFBGA封装以及微型封装提供。看

图2 ，图3和4为引脚分配。

2011硅存储技术公司

DS25001A

03/11

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

微芯片技术公司

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

框图

X解码器

超快闪

内存

内存地址

地址缓冲锁存

y解码器

CE＃

OE ＃

WE＃

- DQ

1117 B1.2

控制逻辑

I / O缓冲器和数据锁存器

图1：

功能框图

引脚分配

800A

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

A18

A17

400A

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

A17

SST39LF/VF200A

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

SST39LF/VF200A

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

400A

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

800A

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

标准引脚

顶视图

死亡最多

1117 48 - TSOP P01.3

图2：

引脚分配为48引脚TSOP

2011硅存储技术公司

DS25001A

03/11

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

微芯片技术公司

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

TOP VIEW （球朝下）

SST39LF/VF200A

A13 A12 A14

A10

A15 A16 NC DQ15 VSS

A11 DQ7 DQ14 DQ13 DQ6

NC DQ5 DQ12 VDD DQ4

1117 48 - TFBGA P02 2.0

WE＃ NC

NC DQ2 DQ10 DQ11 DQ3

DQ0 DQ8 DQ9 DQ1

A0 CE ＃ OE ＃ VSS

TOP VIEW （球朝下）

SST39LF/VF400A

SST39LF/VF800A

A13 A12 A14

A10

A15 A16 NC DQ15 VSS

A11 DQ7 DQ14 DQ13 DQ6

NC DQ5 DQ12 VDD DQ4

1117 48 - TFBGA P02 4.0

A13 A12 A14

A10

A18

A15 A16 NC DQ15 VSS

A11 DQ7 DQ14 DQ13 DQ6

NC DQ5 DQ12 VDD DQ4

1117 48 - TFBGA P02 8.0

WE＃ NC

A17

WE＃ NC

A17

NC DQ2 DQ10 DQ11 DQ3

DQ0 DQ8 DQ9 DQ1

A0 CE ＃ OE ＃ VSS

NC DQ2 DQ10 DQ11 DQ3

DQ0 DQ8 DQ9 DQ1

A0 CE ＃ OE ＃ VSS

图3：

引脚分配48球TFBGA

2011硅存储技术公司

DS25001A

03/11

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

微芯片技术公司

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

TOP VIEW （球朝下）

SST39VF200A

WE＃

A10

A11

A13

A12

A14

A15

CE＃

DQ8 DQ10

OE ＃ DQ9

DQ4 DQ11 A16

DQ5 DQ6 DQ7

1117年48 xflga P03 2.0

DQ0 DQ1 DQ2 DQ3

DQ12 DQ13 DQ14 DQ15 V

TOP VIEW （球朝下）

SST39LF/VF400A

A17

WE＃

A10

A11

A13

A12

A14

A15

CE＃

DQ8 DQ10

OE ＃ DQ9

DQ4 DQ11 A16

DQ5 DQ6 DQ7

1117年48 xflga P03 4.0

1117年48 xflga P03 8.0

DQ0 DQ1 DQ2 DQ3

DQ12 DQ13 DQ14 DQ15 V

TOP VIEW （球朝下）

SST39LF/VF800A

A18

A17

WE＃

A10

A11

A13

A12

A14

A15

CE＃

DQ8 DQ10

OE ＃ DQ9

DQ4 DQ11 A16

DQ5 DQ6 DQ7

DQ0 DQ1 DQ2 DQ3

DQ12 DQ13 DQ14 DQ15 V

图4：

引脚分配为48球WFBGA和48焊球XFLGA

2011硅存储技术公司

DS25001A

03/11

2兆位/ 4兆位/ 8兆位（ X16 ）多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

SST39LF / VF200A / 400A / 800A3.0 & 2.7V 2MB / 4MB / 8Mb的（ X16 ）强积金的回忆

数据表

产品特点：

组织为128K X16 / X16 256K / 512K X16

单电压读写操作

- 3.0-3.6V的SST39LF200A / 400A / 800A

- 2.7-3.6V的SST39VF200A / 400A / 800A

卓越的可靠性

- 耐力： 100,000次（典型值）

- 大于100年数据保存时间

低功耗

（在14 MHz时的典型值）

- 工作电流：9 mA（典型值）

- 待机电流： 3 μA （典型值）

扇区擦除功能

- 统一2K字扇区

块擦除功能

- 统一32K字块

快速读取访问时间

- 45和55纳秒的SST39LF200A

- 55纳秒的SST39LF400A / 800A

- 70纳秒的SST39VF200A / 400A / 800A

锁存地址和数据

快速擦除和字编程

- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）

- 字编程时间： 14 μs（典型值）

- 芯片重写时间：

2秒钟（典型值） SST39LF / VF200A

4秒（典型值） SST39LF / VF400A

8秒（典型值） SST39LF / VF800A

自动写时序

- 内部V

GENERATION

检测写操作结束的

- 触发位

- 数据＃投票

CMOS I / O兼容性

JEDEC标准

- 闪存EEPROM的引脚及指令集

封装

- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）

- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）

- 48球WFBGA （ 4× 6毫米）

- 48焊球XFLGA （ 4× 6毫米）的4M和8M

所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准

产品说明

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A设备是128K X16 / X16 256K / 512K x16的CMOS

多用途闪存（ MPF）与SST propri-制造

etary ，高性能CMOS SuperFlash技术。

分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入

实现更高的可靠性和可制造性与比较

另一种方法。该SST39LF200A / 400A / 800A

写（编程或擦除）以3.0-3.6V的电源。

该SST39VF200A / 400A / 800A写（编程或擦除）

用2.7-3.6V电源。这些器件符合

JEDEC标准引脚为X16的回忆。

特色

高性能

字编程，

该

SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A器件提供14典型字编程时间

微秒。该器件使用翻转位或数据＃查询检测

在完成编程或擦除操作。要亲

TECT防止误写入，他们有片上硬件

和软件数据保护方案。设计，制造

factured ，并测试了广泛的应用范围，

这些器件提供了一个保证典型endur-

ANCE 10万次。数据保留的额定功率为更大

超过100年。

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A设备适合于需要CON-应用

近便和计划经济的升级，组态

化或数据存储器。对于所有系统应用，它们

显著提高性能和可靠性，同时低

化工e圈的功耗。他们本能地使用更少的能源

擦除和编程比其他闪存技时

吉斯。当编程闪存设备，总能量

消耗是所施加电压的函数，电流和

应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则

SuperFlash技术的编程电流小，

具有擦除时间更短，总的能量消耗能很好地协同

荷兰国际集团的任何擦除或编程操作小于替代

闪存技术。这些器件还可以提高灵活性

同时降低成本为程序，数据和组态

灰存储应用。

SuperFlash技术提供固定的擦除和亲

克倍，独立擦除的数量/程序

已经发生的周期。因此，系统软件

或硬件没有被修改或降额，是

必要时与其他闪存技术，其

擦除和编程累积次数的增加

擦除/编程周期。

在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

规格若有变更，恕不另行通知。

2007硅存储技术公司

S71117-09-000

2/07

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

为了满足表面贴装的要求， SST39LF200A /

400A / 800A和SST39VF200A / 400A / 800A提供的

48引脚TSOP封装， 48球TFBGA封装为

以及微封装。参见图2 ，图3和4，用于针

分配。

扇区/块擦除操作

在扇区（或块）擦除操作使系统

以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个

块）的基础。该SST39LF200A / 400A / 800A和

SST39VF200A / 400A / 800A提供两个扇区擦除和

块擦除模式。扇区结构是基于

统一扇区大小的2K字。块擦除模式

基于对32K字的均匀的块大小。在扇区

通过执行一个6字节的COM启动擦除操作

与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列

扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除

通过执行一个6字节的命令开始运行

序列块擦除命令（ 50H ）和块

地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块

地址被锁存的6个WE＃的下降沿

脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的

第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除

第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了

擦除操作可以通过数据＃确定

查询或翻转位的方法。见图11和12，用于

时序波形。在见第期间发出的任何命令

tor-或块擦除操作将被忽略。

设备操作

命令用于启动存储器操作功能

该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备

采用标准的微处理器写序列。一个COM

命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃

低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿

或CE ＃，先到为准过去。数据总线被锁存

WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。

读

该SST39LF200A的读操作/ 400A / 800A和

SST39VF200A / 400A / 800A通过CE＃和OE ＃控制，

既要低的系统，以获得从所述数据

输出。 CE＃用于器件选择。当CE＃为

高，芯片被取消选中，只有待机功耗所配置

SUMED 。 OE＃为输出控制，用于栅极的数据

从输出引脚。数据总线处于高阻

状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。参考读

对于进一步的细节周期的时序图（图5）。

芯片擦除操作

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了全片擦除操作，这使得

用户能够擦除整个存储器阵列的“1”状态。这

是有用的，当整个装置必须迅速删除。

通过执行六发起的芯片擦除操作

与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）

在最后一个字节序列地址5555H 。擦除

操作开始的6个WE＃上升沿或

CE＃，以先到为准。在擦除操作，

唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表

4，用于在指令序列中，图10为时序图，

和图21的流程图。任何命令发出很好地协同

荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。

字编程操作

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A编程就一个字，用字的基础。前

编程，其中单词存在一定的扇区

完全擦除。程序操作完成

三个步骤。第一步是3字节装入序列

软件数据保护。第二步骤是要加载

字地址和文字数据。在字编程

操作时，地址被锁存的下降沿

CE＃或WE＃，先到为准最后。该数据是

锁存， CE＃或WE ＃的上升沿，取

先发生。第三步是内部编程操作

这是在第4个WE＃上升沿启动或

CE＃，以先到为准。编程操作，一旦

开始，将在20 μs内完成。参见图6和

7 WE＃和CE ＃控制的编程操作时序

图和图18的流程图。在计划

操作时，唯一有效的读操作是数据＃投票和瓶酒

GLE位。在内部编程操作，主机

自由地执行其他任务。发出的任何命令

内部程序运行过程中被忽略。

写操作状态检测

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了两种软件方法来检测完成

一个写（编程或擦除）循环中，为了优化

系统的写入周期时间。软件检测包含

两个状态位：数据＃查询（ DQ

），并触发位（ DQ

写操作结束检测模式后上升启用

边WE＃，启动内部编程或擦除

操作。

2007硅存储技术公司

S71117-09-000

2/07

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

非易失性写操作的实际完成是asynchro-

知性与系统;因此，无论是数据＃查询或

切换位读可以同时配合完成

的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能

获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组

flict有两种DQ

或者DQ

。为了防止杂散

排斥，如果错误的结果发生时，软件例程

应包括循环读取访问单元

附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则

设备已完成写周期，否则rejec-

化是有效的。

数据保护

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了硬件和软件功能来亲

从意外写TECT非易失性数据。

硬件数据保护

噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5

NS不会启动写周期。

上电/掉电检测：写操作

抑制当V

小于1.5V 。

写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃

高会抑制写操作。这可以防止不经意

在上电或掉电ENT写道。

数据＃投票（ DQ

)

当SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A /

400A / 800A的内部程序操作，任何

试图读取DQ

将产生的补

真正的数据。一旦程序操作完成后， DQ

将产生真正的数据。请注意，即使DQ

五月

有效数据立即完成的下面

内部写操作，其余数据输出可

仍然是无效的：在整个数据总线上的有效数据将出现

在间隔之后的后续读周期

1微秒。在内部擦除操作，任何尝试读取

会产生一个'0'。一旦内部擦除操作

完成后， DQ的

将产生一个'1'。该数据＃查询

之后的第4个WE ＃（或CE ＃）的上升沿有效脉冲

程序操作。对于扇区，块或片擦除时，

之后的6个WE＃上升沿数据＃投票是有效的（或

CE＃）脉冲。参见图8为数据＃查询时序图

图19为一个流程图。

软件数据保护（ SDP ）

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了JEDEC核准的软件数据保护

对于所有数据修改操作化计划，即计划

和擦除。任何程序运行需要列入

三字节序列。这三个字节装入序列

用于启动编程操作，提供最佳

保护防止意外写操作，例如，在

在系统上电或断电。任何擦除操作

需要包含六个字节序列。本组

设备附带的软件数据保护per-

manently启用。请参阅表4为特定的软件

命令代码。在SDP命令序列，无效

命令会中止器件内TRC阅读模式。

DQ的内容

-DQ

可以是V

或V

外，无其它

值，在任何SDP命令序列。

切换位（ DQ

)

在内部编程或擦除操作，有关的任何

secutive尝试读出的DQ

会产生交变1秒

和为0，即，切换0. 1至当内部

编程或擦除操作完成后， DQ

位会

停止切换。该设备然后准备下一次操作

化。切换位后的第四个上升沿有效。

WE＃（或CE ＃）脉冲编程操作。对于扇区，

块擦除或芯片擦除，切换位后上涨有效

6个WE＃（或CE ＃）脉冲的边缘。图9显示切换

位的时序图和图19为一个流程图。

通用闪存接口（ CFI ）

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A还包含CFI信息来形容煤焦

该装置的Cucumis Sativus查阅全文。为了进入CFI查询

模式下，系统必须写3字节的序列，同

与98H软件ID进入命令（ CFI查询的COM

命令），以解决5555H中的最后一个字节序列。一旦

该器件进入CFI查询模式，系统可以

在经过9在表5中给出的地址读出的CFI数据。

该系统必须写入CFI退出命令返回到

读取CFI查询模式模式。

2007硅存储技术公司

S71117-09-000

2/07

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

产品标识

产品标识模式标识的设备上进行

在SST39LF / VF200A ， SST39LF / VF400A和SST39LF /

VF800A和制造商为SST。该模式可以是

通过软件操作进行访问。用户可以使用

软件产品标识操作来识别一部分

（即，使用的设备ID ），使用多个时

制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表4

软件的操作，图13为软件ID进入

和读取时序图，图20为软件

ID进入命令序列流程图。

表1 ：产品标识

地址

制造商ID

器件ID

SST39LF/VF200A

SST39LF/VF400A

SST39LF/VF800A

0001H

2789H

2780H

2781H

T1.3 1117

产品标识模式退出/

CFI模式退出

为了返回到标准的读模式中，软件

产品标识模式必须退出。出口是accom-

通过发出软件ID退出命令plished

序列，将设备返回到读取模式。

该命令也可以被用于将设备复位为

后因疏忽瞬态条件下阅读模式

显然导致设备运行异常，如：

不正确读出。请注意，该软件ID退出/

一个内部计划中CFI退出命令被忽略或

擦除操作。参见表4软件命令

码，图15为时序波形，图20为一

流程图。

数据

00BFH

0000H

X解码器

超快闪

内存

内存地址

地址缓冲器&门锁

y解码器

CE＃

OE ＃

WE＃

DQ15 - DQ0

1117 B1.2

控制逻辑

I / O缓冲器和数据锁存器

图1 ：功能框图

2007硅存储技术公司

S71117-09-000

2/07

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

SST39LF / VF800A SST39LF / VF400A SST39LF / VF200A

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

A18

A17

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

A17

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

SST39LF / VF200A SST39LF / VF400A SST39LF / VF800A

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

标准引脚

顶视图

死亡最多

1117 48 - TSOP P01.2

图2 ：引脚分配为48引脚TSOP

TOP VIEW （球朝下）

SST39LF/VF200A

A13 A12 A14

A10

A15 A16 NC DQ15 VSS

A11 DQ7 DQ14 DQ13 DQ6

NC DQ5 DQ12 VDD DQ4

1117 48 - TFBGA P02_2.0

WE＃ NC

NC DQ2 DQ10 DQ11 DQ3

DQ0 DQ8 DQ9 DQ1

A0 CE ＃ OE ＃ VSS

TOP VIEW （球朝下）

SST39LF/VF400A

SST39LF/VF800A

A13 A12 A14

A10

A15 A16 NC DQ15 VSS

A11 DQ7 DQ14 DQ13 DQ6

NC DQ5 DQ12 VDD DQ4

1117 48 - TFBGA P02_4.0

A13 A12 A14

A10

A18

A15 A16 NC DQ15 VSS

A11 DQ7 DQ14 DQ13 DQ6

NC DQ5 DQ12 VDD DQ4

1117 48 - TFBGA P02_8.0

WE＃ NC

A17

WE＃ NC

A17

NC DQ2 DQ10 DQ11 DQ3

DQ0 DQ8 DQ9 DQ1

A0 CE ＃ OE ＃ VSS

NC DQ2 DQ10 DQ11 DQ3

DQ0 DQ8 DQ9 DQ1

A0 CE ＃ OE ＃ VSS

图3 ：引脚分配48球TFBGA

2007硅存储技术公司

S71117-09-000

2/07

2兆位/ 4兆位/ 8兆位（ X16 ）多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

SST39LF / VF200A / 400A / 800A3.0 & 2.7V 2MB / 4MB / 8Mb的（ X16 ）强积金的回忆

数据表

产品特点：

组织为128K X16 / X16 256K / 512K X16

单电压读写操作

- 3.0-3.6V的SST39LF200A / 400A / 800A

- 2.7-3.6V的SST39VF200A / 400A / 800A

卓越的可靠性

- 耐力： 100,000次（典型值）

- 大于100年数据保存时间

低功耗

- 工作电流：20 mA（典型值）

- 待机电流： 3 μA （典型值）

扇区擦除功能

- 统一2K字扇区

块擦除功能

- 统一32K字块

快速读取访问时间

- 45和55纳秒的SST39LF200A / 400A

- 55纳秒的SST39LF800A

- 70和90纳秒的SST39VF200A / 400A / 800A

锁存地址和数据

快速擦除和字编程

- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）

- 字编程时间： 14 μs（典型值）

- 芯片重写时间：

2秒钟（典型值） SST39LF / VF200A

4秒（典型值） SST39LF / VF400A

8秒（典型值） SST39LF / VF800A

自动写时序

- 内部V

GENERATION

检测写操作结束的

- 触发位

- 数据＃投票

CMOS I / O兼容性

JEDEC标准

- 闪存EEPROM的引脚及指令集

封装

- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）

- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）

产品说明

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A设备是128K X16 / X16 256K / 512K x16的CMOS

多用途闪存（ MPF）与SST的亲制造

专有的高性能CMOS SuperFlash技术。

分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入

实现更高的可靠性和可制造性与比较

另一种方法。该SST39LF200A / 400A / 800A

写（编程或擦除）以3.0-3.6V的电源。该

SST39VF200A / 400A / 800A写（编程或擦除）与

2.7-3.6V供电。这些器件符合JEDEC

标准引脚为X16的回忆。

具有高性能的字编程能力，

SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A器件提供14典型字编程时间

微秒。该器件使用翻转位或数据＃查询检测

在完成编程或擦除操作。要亲

TECT防止误写入，他们有片上硬件

和软件数据保护方案。设计，制造

factured ，并测试了广泛的应用范围，

这些器件还具有有保证的耐力

10,000次。数据保留的额定功率为大于100

年。

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A设备适合于需要conve-应用

对个别及程序，配置经济升级，

或数据存储器。对于所有的系统应用程序，它们显

着地提高性能和可靠性，同时降低

功耗。他们本能地使用更少的能源能很好地协同

荷兰国际集团擦除和编程比其他闪存技术。

当编程闪存设备，在总能源

SUMED是所施加电压的函数，电流和

应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则

SuperFlash技术的编程电流小，

具有更短的擦除时间，总的能量过程中消耗

任何擦除或编程操作小于替代

闪存技术。这些器件还可以提高灵活性

同时降低成本为程序，数据和配置

存储的应用程序。

SuperFlash技术提供固定的擦除和亲

克倍，独立擦除的数量/程序

已经发生的周期。因此，系统软件

或硬件没有被修改或降额，是

必要时与其他闪存技术，其擦除

并积累了擦除/编程亲次数的增加

克周期。

为了满足表面贴装的要求， SST39LF200A /

400A / 800A和SST39VF200A / 400A / 800A提供的

两个48引脚TSOP封装， 48球TFBGA封装

老少皆宜。参见图1和图2的引脚排列。

2001硅存储技术公司

S71117-04-000 6/01

360

在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

规格若有变更，恕不另行通知。

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

设备操作

命令用于启动存储器操作功能

该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备

采用标准的微处理器写序列。一个COM

命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃

低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿

或CE ＃，先到为准过去。数据总线被锁存

WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。

读

该SST39LF200A的读操作/ 400A / 800A和

SST39VF200A / 400A / 800A通过CE＃和OE ＃控制，

既要低的系统，以获得从所述数据

输出。 CE＃用于器件选择。当CE＃为

高，芯片被取消选中，只有待机功耗所配置

SUMED 。 OE＃为输出控制，用于栅极的数据

从输出引脚。数据总线处于高阻

状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。参考读

对于进一步的细节周期的时序图（图3）。

通过执行一个6字节的COM启动擦除操作

与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列

扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除

通过执行一个6字节的命令开始运行

序列块擦除命令（ 50H ）和块

地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块

地址被锁存的6个WE＃的下降沿

脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的

第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除

第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了

擦除操作可以通过数据＃确定

查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序

荷兰国际集团的波形。在扇区中发出的任何命令

或块擦除操作将被忽略。

芯片擦除操作

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了全片擦除操作，这使得

用户能够擦除整个存储器阵列的“1”状态。这

是有用的，当整个装置必须迅速删除。

通过执行六发起的芯片擦除操作

与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）

在最后一个字节序列地址5555H 。擦除

操作开始的6个WE＃上升沿或

CE＃，以先到为准。在擦除操作，

唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表

4，用于在指令序列，图8为时序图，

和图19的流程图。任何命令发出很好地协同

荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。

字编程操作

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A编程就一个字，用字的基础。前

编程时，必须确保该扇区，其中

正被编程的存在的话，被完全擦除。

在编程操作包括三个步骤。第一

步骤是软件数据亲的3字节装入序列

保护。第二步骤是要加载的字地址，字

数据。在字编程操作时，地址

被锁存， CE＃或WE＃的下降沿，

为准过去。该数据被锁存的上升

任CE ＃或WE ＃边沿，以先到为准。该

第三步是内部编程操作，这是initi-

后ated的第4个WE ＃或CE ＃，上升沿，而─

先出现。编程操作，一旦启动，将

将在20 μs内完成。请参阅图4和图5为WE＃

和CE ＃控制的编程操作时序图

图16为流程图。在程序操作

化，唯一有效的读操作是数据＃查询和翻转位。

在内部编程操作，主机可以自由地

执行其他任务。在发出的任何命令

内部编程操作都将被忽略。

写操作状态检测

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了两种软件方法来检测完成

一个写（编程或擦除）循环中，为了优化

系统的写入周期时间。软件检测包含

两个状态位：数据＃查询（ DQ

），并触发位（ DQ

写操作结束检测模式后上升启用

边WE＃，启动内部编程或擦除

操作。

非易失性写操作的实际完成是asynchro-

知性与系统;因此，无论是数据＃查询或

切换位读可以同时配合完成

的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能

获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组

flict有两种DQ

或者DQ

。为了防止杂散

排斥，如果错误的结果发生时，软件例程

应包括循环读取访问单元

附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则

设备已完成写周期，否则rejec-

化是有效的。

扇区/块擦除操作

在扇区（或块）擦除操作使系统

以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个

块）的基础。该SST39LF200A / 400A / 800A和

SST39VF200A / 400A / 800A提供两个扇区擦除和

块擦除模式。扇区结构是基于

统一扇区大小的2K字。块擦除模式

基于对32K字的均匀的块大小。在扇区

2001硅存储技术公司

S71117-04-000 6/01

360

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

数据＃投票（ DQ

)

当SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A /

400A / 800A的内部程序操作，任何

试图读取DQ

将产生的补

真正的数据。一旦程序操作完成后， DQ

将产生真正的数据。该设备然后准备进行下一次

操作。在内部擦除操作，任何企图

阅读DQ

会产生一个'0'。一旦内部擦除操作

化完成后， DQ

将产生一个'1'。数据＃投票

是后4个WE ＃（或CE ＃）的上升沿有效脉冲

对于编程操作。对于扇区，块或片擦除，

数据＃查询后的第6个WE ＃上升沿有效

（或CE ＃）脉冲。参见图6数据＃投票时间dia-

克和图17的流程图。

软件数据保护（ SDP ）

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了JEDEC核准的软件数据保护

对于所有数据修改操作化计划，即计划

和擦除。任何程序运行需要列入

三字节序列。这三个字节装入序列

用于启动编程操作，提供最佳

保护防止意外写操作，例如，在

在系统上电或断电。任何擦除操作

需要包含六个字节序列。本组

设备附带的软件数据保护per-

manently启用。请参阅表4为特定的软件

命令代码。在SDP命令序列，无效

命令会中止器件内TRC阅读模式。

DQ的内容

-DQ

可以是V

或V

外，无其它

值，在任何SDP命令序列。

切换位（ DQ

)

在内部编程或擦除操作，有关的任何

secutive尝试读出的DQ

会产生交变1秒

和为0，即，切换0. 1至当内部

编程或擦除操作完成后， DQ

位会

停止切换。该设备然后准备下一次操作

化。切换位后的第四个上升沿有效。

WE＃（或CE ＃）脉冲编程操作。对于扇区，

块擦除或芯片擦除，切换位后上涨有效

6个WE＃（或CE ＃）脉冲的边缘。参见图7为切换

位的时序图和图17为一个流程图。

通用闪存接口（ CFI ）

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A还包含CFI信息来形容煤焦

该装置的Cucumis Sativus查阅全文。为了进入CFI查询

模式下，系统必须写3字节的序列，同

与98H软件ID进入命令（ CFI查询的COM

命令），以解决5555H中的最后一个字节序列。一旦

该器件进入CFI查询模式，系统可以

在经过9在表5中给出的地址读出的CFI数据。

该系统必须写入CFI退出命令返回到

读取CFI查询模式模式。

数据保护

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了硬件和软件功能来亲

从意外写TECT非易失性数据。

硬件数据保护

噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5

NS不会启动写周期。

上电/掉电检测：写操作

抑制当V

小于1.5V 。

写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃

高会抑制写操作。这可以防止不经意

在上电或掉电ENT写道。

2001硅存储技术公司

S71117-04-000 6/01

360

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

产品标识

产品标识模式标识的设备上进行

在SST39LF / VF200A ， SST39LF / VF400A和SST39LF /

VF800A和制造商为SST。该模式可以是

通过软件操作进行访问。用户可以使用

软件产品标识操作来识别一部分

（即，使用的设备ID ），使用多个时

制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表4

软件的操作，如图11的软件ID进入

和读取时序图，图18为软件

ID进入命令序列流程图。

表1 ：P

RODUCT

DENTIFICATION

ABLE

地址

制造商ID

器件ID

SST39LF/VF200A

SST39LF/VF400A

SST39LF/VF800A

0001H

2789H

2780H

2781H

T1.3 360

产品标识模式退出/

CFI模式退出

为了返回到标准的读模式中，软件

产品标识模式必须退出。出口是accom-

通过发出软件ID退出命令plished

序列，将设备返回到读取模式。

该命令也可以被用于将设备复位为

后因疏忽瞬态条件下阅读模式

显然导致设备运行异常，如：

不正确读出。请注意，该软件ID退出/

一个内部计划中CFI退出命令被忽略或

擦除操作。参见表4软件命令

码，图13为时序波形和图18的

流程图。

数据

00BFH

0000H

2001硅存储技术公司

S71117-04-000 6/01

360

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

UNCTIONAL

LOCK

IAGRAM

X解码器

超快闪

内存

内存地址

地址缓冲器&门锁

y解码器

CE＃

OE ＃

WE＃

DQ15 - DQ0

360 ILL B1.2

控制逻辑

I / O缓冲器和数据锁存器

SST39LF / VF800A SST39LF / VF400A SST39LF / VF200A

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

A18

A17

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

A17

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

SST39LF / VF200A SST39LF / VF400A SST39LF / VF800A

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

标准引脚

顶视图

死亡最多

SST39LF200A/400A/800A

SST39VF200A/400A/800A

360 ILL F01.2

图1 ：P

SSIGNMENTS FOR

48-

领导

TSOP

2001硅存储技术公司

S71117-04-000 6/01

360

2兆位/ 4兆位/ 8兆位（ X16 ）多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

SST39LF / VF200A / 400A / 800A3.0 & 2.7V 2MB / 4MB / 8Mb的（ X16 ）强积金的回忆

数据表

产品特点：

组织为128K X16 / X16 256K / 512K X16

单电压读写操作

- 3.0-3.6V的SST39LF200A / 400A / 800A

- 2.7-3.6V的SST39VF200A / 400A / 800A

卓越的可靠性

- 耐力： 100,000次（典型值）

- 大于100年数据保存时间

低功耗

- 工作电流：20 mA（典型值）

- 待机电流： 3 μA （典型值）

扇区擦除功能

- 统一2K字扇区

块擦除功能

- 统一32K字块

快速读取访问时间

- 45和55纳秒的SST39LF200A / 400A

- 55纳秒的SST39LF800A

- 70和90纳秒的SST39VF200A / 400A / 800A

锁存地址和数据

快速擦除和字编程

- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）

- 字编程时间： 14 μs（典型值）

- 芯片重写时间：

2秒钟（典型值） SST39LF / VF200A

4秒（典型值） SST39LF / VF400A

8秒（典型值） SST39LF / VF800A

自动写时序

- 内部V

GENERATION

检测写操作结束的

- 触发位

- 数据＃投票

CMOS I / O兼容性

JEDEC标准

- 闪存EEPROM的引脚及指令集

封装

- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）

- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）

产品说明

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A设备是128K X16 / X16 256K / 512K x16的CMOS

多用途闪存（ MPF）与SST的亲制造

专有的高性能CMOS SuperFlash技术。

分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入

实现更高的可靠性和可制造性与比较

另一种方法。该SST39LF200A / 400A / 800A

写（编程或擦除）以3.0-3.6V的电源。该

SST39VF200A / 400A / 800A写（编程或擦除）与

2.7-3.6V供电。这些器件符合JEDEC

标准引脚为X16的回忆。

具有高性能的字编程能力，

SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A器件提供14典型字编程时间

微秒。该器件使用翻转位或数据＃查询检测

在完成编程或擦除操作。要亲

TECT防止误写入，他们有片上硬件

和软件数据保护方案。设计，制造

factured ，并测试了广泛的应用范围，

这些器件还具有有保证的耐力

10,000次。数据保留的额定功率为大于100

年。

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A设备适合于需要conve-应用

对个别及程序，配置经济升级，

或数据存储器。对于所有的系统应用程序，它们显

着地提高性能和可靠性，同时降低

功耗。他们本能地使用更少的能源能很好地协同

荷兰国际集团擦除和编程比其他闪存技术。

当编程闪存设备，在总能源

SUMED是所施加电压的函数，电流和

应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则

SuperFlash技术的编程电流小，

具有更短的擦除时间，总的能量过程中消耗

任何擦除或编程操作小于替代

闪存技术。这些器件还可以提高灵活性

同时降低成本为程序，数据和配置

存储的应用程序。

SuperFlash技术提供固定的擦除和亲

克倍，独立擦除的数量/程序

已经发生的周期。因此，系统软件

或硬件没有被修改或降额，是

必要时与其他闪存技术，其擦除

并积累了擦除/编程亲次数的增加

克周期。

为了满足表面贴装的要求， SST39LF200A /

400A / 800A和SST39VF200A / 400A / 800A提供的

两个48引脚TSOP封装， 48球TFBGA封装

老少皆宜。参见图1和图2的引脚排列。

2001硅存储技术公司

S71117-04-000 6/01

360

在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

规格若有变更，恕不另行通知。

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

设备操作

命令用于启动存储器操作功能

该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备

采用标准的微处理器写序列。一个COM

命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃

低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿

或CE ＃，先到为准过去。数据总线被锁存

WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。

读

该SST39LF200A的读操作/ 400A / 800A和

SST39VF200A / 400A / 800A通过CE＃和OE ＃控制，

既要低的系统，以获得从所述数据

输出。 CE＃用于器件选择。当CE＃为

高，芯片被取消选中，只有待机功耗所配置

SUMED 。 OE＃为输出控制，用于栅极的数据

从输出引脚。数据总线处于高阻

状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。参考读

对于进一步的细节周期的时序图（图3）。

通过执行一个6字节的COM启动擦除操作

与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列

扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除

通过执行一个6字节的命令开始运行

序列块擦除命令（ 50H ）和块

地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块

地址被锁存的6个WE＃的下降沿

脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的

第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除

第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了

擦除操作可以通过数据＃确定

查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序

荷兰国际集团的波形。在扇区中发出的任何命令

或块擦除操作将被忽略。

芯片擦除操作

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了全片擦除操作，这使得

用户能够擦除整个存储器阵列的“1”状态。这

是有用的，当整个装置必须迅速删除。

通过执行六发起的芯片擦除操作

与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）

在最后一个字节序列地址5555H 。擦除

操作开始的6个WE＃上升沿或

CE＃，以先到为准。在擦除操作，

唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表

4，用于在指令序列，图8为时序图，

和图19的流程图。任何命令发出很好地协同

荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。

字编程操作

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A编程就一个字，用字的基础。前

编程时，必须确保该扇区，其中

正被编程的存在的话，被完全擦除。

在编程操作包括三个步骤。第一

步骤是软件数据亲的3字节装入序列

保护。第二步骤是要加载的字地址，字

数据。在字编程操作时，地址

被锁存， CE＃或WE＃的下降沿，

为准过去。该数据被锁存的上升

任CE ＃或WE ＃边沿，以先到为准。该

第三步是内部编程操作，这是initi-

后ated的第4个WE ＃或CE ＃，上升沿，而─

先出现。编程操作，一旦启动，将

将在20 μs内完成。请参阅图4和图5为WE＃

和CE ＃控制的编程操作时序图

图16为流程图。在程序操作

化，唯一有效的读操作是数据＃查询和翻转位。

在内部编程操作，主机可以自由地

执行其他任务。在发出的任何命令

内部编程操作都将被忽略。

写操作状态检测

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了两种软件方法来检测完成

一个写（编程或擦除）循环中，为了优化

系统的写入周期时间。软件检测包含

两个状态位：数据＃查询（ DQ

），并触发位（ DQ

写操作结束检测模式后上升启用

边WE＃，启动内部编程或擦除

操作。

非易失性写操作的实际完成是asynchro-

知性与系统;因此，无论是数据＃查询或

切换位读可以同时配合完成

的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能

获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组

flict有两种DQ

或者DQ

。为了防止杂散

排斥，如果错误的结果发生时，软件例程

应包括循环读取访问单元

附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则

设备已完成写周期，否则rejec-

化是有效的。

扇区/块擦除操作

在扇区（或块）擦除操作使系统

以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个

块）的基础。该SST39LF200A / 400A / 800A和

SST39VF200A / 400A / 800A提供两个扇区擦除和

块擦除模式。扇区结构是基于

统一扇区大小的2K字。块擦除模式

基于对32K字的均匀的块大小。在扇区

2001硅存储技术公司

S71117-04-000 6/01

360

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

数据＃投票（ DQ

)

当SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A /

400A / 800A的内部程序操作，任何

试图读取DQ

将产生的补

真正的数据。一旦程序操作完成后， DQ

将产生真正的数据。该设备然后准备进行下一次

操作。在内部擦除操作，任何企图

阅读DQ

会产生一个'0'。一旦内部擦除操作

化完成后， DQ

将产生一个'1'。数据＃投票

是后4个WE ＃（或CE ＃）的上升沿有效脉冲

对于编程操作。对于扇区，块或片擦除，

数据＃查询后的第6个WE ＃上升沿有效

（或CE ＃）脉冲。参见图6数据＃投票时间dia-

克和图17的流程图。

软件数据保护（ SDP ）

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了JEDEC核准的软件数据保护

对于所有数据修改操作化计划，即计划

和擦除。任何程序运行需要列入

三字节序列。这三个字节装入序列

用于启动编程操作，提供最佳

保护防止意外写操作，例如，在

在系统上电或断电。任何擦除操作

需要包含六个字节序列。本组

设备附带的软件数据保护per-

manently启用。请参阅表4为特定的软件

命令代码。在SDP命令序列，无效

命令会中止器件内TRC阅读模式。

DQ的内容

-DQ

可以是V

或V

外，无其它

值，在任何SDP命令序列。

切换位（ DQ

)

在内部编程或擦除操作，有关的任何

secutive尝试读出的DQ

会产生交变1秒

和为0，即，切换0. 1至当内部

编程或擦除操作完成后， DQ

位会

停止切换。该设备然后准备下一次操作

化。切换位后的第四个上升沿有效。

WE＃（或CE ＃）脉冲编程操作。对于扇区，

块擦除或芯片擦除，切换位后上涨有效

6个WE＃（或CE ＃）脉冲的边缘。参见图7为切换

位的时序图和图17为一个流程图。

通用闪存接口（ CFI ）

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A还包含CFI信息来形容煤焦

该装置的Cucumis Sativus查阅全文。为了进入CFI查询

模式下，系统必须写3字节的序列，同

与98H软件ID进入命令（ CFI查询的COM

命令），以解决5555H中的最后一个字节序列。一旦

该器件进入CFI查询模式，系统可以

在经过9在表5中给出的地址读出的CFI数据。

该系统必须写入CFI退出命令返回到

读取CFI查询模式模式。

数据保护

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了硬件和软件功能来亲

从意外写TECT非易失性数据。

硬件数据保护

噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5

NS不会启动写周期。

上电/掉电检测：写操作

抑制当V

小于1.5V 。

写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃

高会抑制写操作。这可以防止不经意

在上电或掉电ENT写道。

2001硅存储技术公司

S71117-04-000 6/01

360

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

产品标识

产品标识模式标识的设备上进行

在SST39LF / VF200A ， SST39LF / VF400A和SST39LF /

VF800A和制造商为SST。该模式可以是

通过软件操作进行访问。用户可以使用

软件产品标识操作来识别一部分

（即，使用的设备ID ），使用多个时

制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表4

软件的操作，如图11的软件ID进入

和读取时序图，图18为软件

ID进入命令序列流程图。

表1 ：P

RODUCT

DENTIFICATION

ABLE

地址

制造商ID

器件ID

SST39LF/VF200A

SST39LF/VF400A

SST39LF/VF800A

0001H

2789H

2780H

2781H

T1.3 360

产品标识模式退出/

CFI模式退出

为了返回到标准的读模式中，软件

产品标识模式必须退出。出口是accom-

通过发出软件ID退出命令plished

序列，将设备返回到读取模式。

该命令也可以被用于将设备复位为

后因疏忽瞬态条件下阅读模式

显然导致设备运行异常，如：

不正确读出。请注意，该软件ID退出/

一个内部计划中CFI退出命令被忽略或

擦除操作。参见表4软件命令

码，图13为时序波形和图18的

流程图。

数据

00BFH

0000H

2001硅存储技术公司

S71117-04-000 6/01

360

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

UNCTIONAL

LOCK

IAGRAM

X解码器

超快闪

内存

内存地址

地址缓冲器&门锁

y解码器

CE＃

OE ＃

WE＃

DQ15 - DQ0

360 ILL B1.2

控制逻辑

I / O缓冲器和数据锁存器

SST39LF / VF800A SST39LF / VF400A SST39LF / VF200A

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

A18

A17

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

A17

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

SST39LF / VF200A SST39LF / VF400A SST39LF / VF800A

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

标准引脚

顶视图

死亡最多

SST39LF200A/400A/800A

SST39VF200A/400A/800A

360 ILL F01.2

图1 ：P

SSIGNMENTS FOR

48-

领导

TSOP

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360

2兆位/ 4兆位/ 8兆位（ X16 ）多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

SST39LF / VF200A / 400A / 800A3.0 & 2.7V 2MB / 4MB / 8Mb的（ X16 ）强积金的回忆

数据表

产品特点：

组织为128K X16 / X16 256K / 512K X16

单电压读写操作

- 3.0-3.6V的SST39LF200A / 400A / 800A

- 2.7-3.6V的SST39VF200A / 400A / 800A

卓越的可靠性

- 耐力： 100,000次（典型值）

- 大于100年数据保存时间

低功耗

（在14 MHz时的典型值）

- 工作电流：9 mA（典型值）

- 待机电流： 3 μA （典型值）

扇区擦除功能

- 统一2K字扇区

块擦除功能

- 统一32K字块

快速读取访问时间

- 55纳秒的SST39LF200A / 400A / 800A

- 70纳秒的SST39VF200A / 400A / 800A

锁存地址和数据

快速擦除和字编程

- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）

- 字编程时间： 14 μs（典型值）

- 芯片重写时间：

2秒钟（典型值） SST39LF / VF200A

4秒（典型值） SST39LF / VF400A

8秒（典型值） SST39LF / VF800A

自动写时序

- 内部V

GENERATION

检测写操作结束的

- 触发位

- 数据＃投票

CMOS I / O兼容性

JEDEC标准

- 闪存EEPROM的引脚及指令集

封装

- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）

- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）

- 48球WFBGA （ 4× 6毫米）

- 48焊球XFLGA （ 4× 6毫米） - 4和8Mbit的

所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准

产品说明

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A设备是128K X16 / X16 256K / 512K x16的CMOS

多用途闪存（ MPF）与SST propri-制造

etary ，高性能CMOS SuperFlash技术。

分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入

实现更高的可靠性和可制造性与比较

另一种方法。该SST39LF200A / 400A / 800A

写（编程或擦除）以3.0-3.6V的电源。

该SST39VF200A / 400A / 800A写（编程或擦除）

用2.7-3.6V电源。这些器件符合

JEDEC标准引脚为X16的回忆。

特色

高性能

字编程，

该

SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A器件提供14典型字编程时间

微秒。该器件使用翻转位或数据＃查询检测

在完成编程或擦除操作。要亲

TECT防止误写入，他们有片上硬件

和软件数据保护方案。设计，制造

factured ，并测试了广泛的应用范围，

这些器件提供了一个保证典型endur-

ANCE 10万次。数据保留的额定功率为更大

超过100年。

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A设备适合于需要CON-应用

近便和计划经济的升级，组态

化或数据存储器。对于所有系统应用，它们

显著提高性能和可靠性，同时低

化工e圈的功耗。他们本能地使用更少的能源

擦除和编程比其他闪存技时

吉斯。当编程闪存设备，总能量

消耗是所施加电压的函数，电流和

应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则

SuperFlash技术的编程电流小，

具有擦除时间更短，总的能量消耗能很好地协同

荷兰国际集团的任何擦除或编程操作小于替代

闪存技术。这些器件还可以提高灵活性

同时降低成本为程序，数据和组态

灰存储应用。

SuperFlash技术提供固定的擦除和亲

克倍，独立擦除的数量/程序

已经发生的周期。因此，系统软件

或硬件没有被修改或降额，是

必要时与其他闪存技术，其

擦除和编程累积次数的增加

擦除/编程周期。

在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

规格若有变更，恕不另行通知。

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S71117-12-000

04/10

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

为了满足表面贴装的要求， SST39LF200A /

400A / 800A和SST39VF200A / 400A / 800A提供的

48引脚TSOP封装， 48球TFBGA封装为

以及微封装。参见图2 ，图3和4，用于针

分配。

扇区/块擦除操作

在扇区（或块）擦除操作使系统

以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个

块）的基础。该SST39LF200A / 400A / 800A和

SST39VF200A / 400A / 800A提供两个扇区擦除和

块擦除模式。扇区结构是基于

统一扇区大小的2K字。块擦除模式

基于对32K字的均匀的块大小。在扇区

通过执行一个6字节的COM启动擦除操作

与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列

扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除

通过执行一个6字节的命令开始运行

序列块擦除命令（ 50H ）和块

地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块

地址被锁存的6个WE＃的下降沿

脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的

第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除

第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了

擦除操作可以通过数据＃确定

查询或翻转位的方法。见图11和12，用于

时序波形。在见第期间发出的任何命令

tor-或块擦除操作将被忽略。

设备操作

命令用于启动存储器操作功能

该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备

采用标准的微处理器写序列。一个COM

命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃

低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿

或CE ＃，先到为准过去。数据总线被锁存

WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。

读

该SST39LF200A的读操作/ 400A / 800A和

SST39VF200A / 400A / 800A通过CE＃和OE ＃控制，

既要低的系统，以获得从所述数据

输出。 CE＃用于器件选择。当CE＃为

高，芯片被取消选中，只有待机功耗所配置

SUMED 。 OE＃为输出控制，用于栅极的数据

从输出引脚。数据总线处于高阻

状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。参考读

对于进一步的细节周期的时序图（图5）。

芯片擦除操作

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了全片擦除操作，这使得

用户能够擦除整个存储器阵列的“1”状态。这

是有用的，当整个装置必须迅速删除。

通过执行六发起的芯片擦除操作

与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）

在最后一个字节序列地址5555H 。擦除

操作开始的6个WE＃上升沿或

CE＃，以先到为准。在擦除操作，

唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表

4，用于在指令序列中，图10为时序图，

和图21的流程图。任何命令发出很好地协同

荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。

字编程操作

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A编程就一个字，用字的基础。前

编程，其中单词存在一定的扇区

完全擦除。程序操作完成

三个步骤。第一步是3字节装入序列

软件数据保护。第二步骤是要加载

字地址和文字数据。在字编程

操作时，地址被锁存的下降沿

CE＃或WE＃，先到为准最后。该数据是

锁存， CE＃或WE ＃的上升沿，取

先发生。第三步是内部编程操作

这是在第4个WE＃上升沿启动或

CE＃，以先到为准。编程操作，一旦

开始，将在20 μs内完成。参见图6和

7 WE＃和CE ＃控制的编程操作时序

图和图18的流程图。在计划

操作时，唯一有效的读操作是数据＃投票和瓶酒

GLE位。在内部编程操作，主机

自由地执行其他任务。发出的任何命令

内部程序运行过程中被忽略。

写操作状态检测

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了两种软件方法来检测完成

一个写（编程或擦除）循环中，为了优化

系统的写入周期时间。软件检测包含

两个状态位：数据＃查询（ DQ

），并触发位（ DQ

写操作结束检测模式后上升启用

边WE＃，启动内部编程或擦除

操作。

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2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

非易失性写操作的实际完成是asynchro-

知性与系统;因此，无论是数据＃查询或

切换位读可以同时配合完成

的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能

获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组

flict有两种DQ

或者DQ

。为了防止杂散

排斥，如果错误的结果发生时，软件例程

应包括循环读取访问单元

附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则

设备已完成写周期，否则rejec-

化是有效的。

数据保护

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了硬件和软件功能来亲

从意外写TECT非易失性数据。

硬件数据保护

噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于

5纳秒不会启动写周期。

上电/掉电检测：写操作

抑制当V

小于1.5V 。

写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃

高会抑制写操作。这可以防止不经意

在上电或掉电ENT写道。

数据＃投票（ DQ

)

当SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A /

400A / 800A的内部程序操作，任何

试图读取DQ

将产生的补

真正的数据。一旦程序操作完成后， DQ

将产生真正的数据。请注意，即使DQ

五月

有效数据立即完成的下面

内部写操作，其余数据输出可

仍然是无效的：在整个数据总线上的有效数据将出现

在间隔之后的后续读周期

1微秒。在内部擦除操作，任何尝试读取

会产生一个'0'。一旦内部擦除操作

完成后， DQ的

将产生一个'1'。该数据＃查询

之后的第4个WE ＃（或CE ＃）的上升沿有效脉冲

程序操作。对于扇区，块或片擦除时，

之后的6个WE＃上升沿数据＃投票是有效的（或

CE＃）脉冲。参见图8为数据＃查询时序图

图19为一个流程图。

软件数据保护（ SDP ）

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了JEDEC核准的软件数据保护

对于所有数据修改操作化计划，即计划

和擦除。任何程序运行需要列入

三字节序列。这三个字节装入序列

用于启动编程操作，提供最佳

保护防止意外写操作，例如，在

在系统上电或断电。任何擦除操作

需要包含六个字节序列。本组

设备附带的软件数据保护per-

manently启用。请参阅表4为特定的软件

命令代码。在SDP命令序列，无效

命令会中止器件内TRC阅读模式。

DQ的内容

-DQ

可以是V

或V

外，无其它

值，在任何SDP命令序列。

切换位（ DQ

)

在内部编程或擦除操作，有关的任何

secutive尝试读出的DQ

会产生交变1秒

和为0，即，切换0. 1至当内部

编程或擦除操作完成后， DQ

位会

停止切换。该设备然后准备下一次操作

化。切换位后的第四个上升沿有效。

WE＃（或CE ＃）脉冲编程操作。对于扇区，

块擦除或芯片擦除，切换位后上涨有效

6个WE＃（或CE ＃）脉冲的边缘。图9显示切换

位的时序图和图19为一个流程图。

通用闪存接口（ CFI ）

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A还包含CFI信息来形容煤焦

该装置的Cucumis Sativus查阅全文。为了进入CFI查询

模式下，系统必须写3字节的序列，同

与98H软件ID进入命令（ CFI查询的COM

命令），以解决5555H中的最后一个字节序列。一旦

该器件进入CFI查询模式，系统可以

在经过9在表5中给出的地址读出的CFI数据。

该系统必须写入CFI退出命令返回到

读取CFI查询模式模式。

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2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

产品标识

产品标识模式标识的设备上进行

在SST39LF / VF200A ， SST39LF / VF400A和SST39LF /

VF800A和制造商为SST。该模式可以是

通过软件操作进行访问。用户可以使用

软件产品标识操作来识别一部分

（即，使用的设备ID ），使用多个时

制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表4

软件的操作，图13为软件ID进入

和读取时序图，图20为软件

ID进入命令序列流程图。

表1 ：产品标识

地址

制造商ID

器件ID

SST39LF/VF200A

SST39LF/VF400A

SST39LF/VF800A

0001H

2789H

2780H

2781H

T1.3 1117

产品标识模式退出/

CFI模式退出

为了返回到标准的读模式中，软件

产品标识模式必须退出。出口是accom-

通过发出软件ID退出命令plished

序列，将设备返回到读取模式。

该命令也可以被用于将设备复位为

后因疏忽瞬态条件下阅读模式

显然导致设备运行异常，如：

不正确读出。请注意，该软件ID退出/

一个内部计划中CFI退出命令被忽略或

擦除操作。参见表4软件命令

码，图15为时序波形，图20为一

流程图。

数据

00BFH

0000H

X解码器

超快闪

内存

内存地址

地址缓冲器&门锁

y解码器

CE＃

OE ＃

WE＃

- DQ

1117 B1.2

控制逻辑

I / O缓冲器和数据锁存器

图1 ：功能框图

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04/10

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

SST39LF / VF800A SST39LF / VF400A SST39LF / VF200A

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

A18

A17

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

A17

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

SST39LF / VF200A SST39LF / VF400A SST39LF / VF800A

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

标准引脚

顶视图

死亡最多

1117 48 - TSOP P01.2

图2 ：引脚分配为48引脚TSOP

TOP VIEW （球朝下）

SST39LF/VF200A

A13 A12 A14

A10

A15 A16 NC DQ15 VSS

A11 DQ7 DQ14 DQ13 DQ6

NC DQ5 DQ12 VDD DQ4

1117 48 - TFBGA P02_2.0

WE＃ NC

NC DQ2 DQ10 DQ11 DQ3

DQ0 DQ8 DQ9 DQ1

A0 CE ＃ OE ＃ VSS

TOP VIEW （球朝下）

SST39LF/VF400A

SST39LF/VF800A

A13 A12 A14

A10

A15 A16 NC DQ15 VSS

A11 DQ7 DQ14 DQ13 DQ6

NC DQ5 DQ12 VDD DQ4

1117 48 - TFBGA P02_4.0

A13 A12 A14

A10

A18

A15 A16 NC DQ15 VSS

A11 DQ7 DQ14 DQ13 DQ6

NC DQ5 DQ12 VDD DQ4

1117 48 - TFBGA P02_8.0

WE＃ NC

A17

WE＃ NC

A17

NC DQ2 DQ10 DQ11 DQ3

DQ0 DQ8 DQ9 DQ1

A0 CE ＃ OE ＃ VSS

NC DQ2 DQ10 DQ11 DQ3

DQ0 DQ8 DQ9 DQ1

A0 CE ＃ OE ＃ VSS

图3 ：引脚分配48球TFBGA

2010硅存储技术公司

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2兆位/ 4兆位/ 8兆位（ X16 ）多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

SST39LF / VF200A / 400A / 800A3.0 & 2.7V 2MB / 4MB / 8Mb的（ X16 ）强积金的回忆

数据表

产品特点：

组织为128K X16 / X16 256K / 512K X16

单电压读写操作

- 3.0-3.6V的SST39LF200A / 400A / 800A

- 2.7-3.6V的SST39VF200A / 400A / 800A

卓越的可靠性

- 耐力： 100,000次（典型值）

- 大于100年数据保存时间

低功耗

- 工作电流：20 mA（典型值）

- 待机电流： 3 μA （典型值）

扇区擦除功能

- 统一2K字扇区

块擦除功能

- 统一32K字块

快速读取访问时间

- 45和55纳秒的SST39LF200A / 400A

- 55纳秒的SST39LF800A

- 70和90纳秒的SST39VF200A / 400A / 800A

锁存地址和数据

快速擦除和字编程

- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）

- 字编程时间： 14 μs（典型值）

- 芯片重写时间：

2秒钟（典型值） SST39LF / VF200A

4秒（典型值） SST39LF / VF400A

8秒（典型值） SST39LF / VF800A

自动写时序

- 内部V

GENERATION

检测写操作结束的

- 触发位

- 数据＃投票

CMOS I / O兼容性

JEDEC标准

- 闪存EEPROM的引脚及指令集

封装

- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）

- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）

产品说明

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A设备是128K X16 / X16 256K / 512K x16的CMOS

多用途闪存（ MPF）与SST的亲制造

专有的高性能CMOS SuperFlash技术。

分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入

实现更高的可靠性和可制造性与比较

另一种方法。该SST39LF200A / 400A / 800A

写（编程或擦除）以3.0-3.6V的电源。该

SST39VF200A / 400A / 800A写（编程或擦除）与

2.7-3.6V供电。这些器件符合JEDEC

标准引脚为X16的回忆。

具有高性能的字编程能力，

SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A器件提供14典型字编程时间

微秒。该器件使用翻转位或数据＃查询检测

在完成编程或擦除操作。要亲

TECT防止误写入，他们有片上硬件

和软件数据保护方案。设计，制造

factured ，并测试了广泛的应用范围，

这些器件还具有有保证的耐力

10,000次。数据保留的额定功率为大于100

年。

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A设备适合于需要conve-应用

对个别及程序，配置经济升级，

或数据存储器。对于所有的系统应用程序，它们显

着地提高性能和可靠性，同时降低

功耗。他们本能地使用更少的能源能很好地协同

荷兰国际集团擦除和编程比其他闪存技术。

当编程闪存设备，在总能源

SUMED是所施加电压的函数，电流和

应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则

SuperFlash技术的编程电流小，

具有更短的擦除时间，总的能量过程中消耗

任何擦除或编程操作小于替代

闪存技术。这些器件还可以提高灵活性

同时降低成本为程序，数据和配置

存储的应用程序。

SuperFlash技术提供固定的擦除和亲

克倍，独立擦除的数量/程序

已经发生的周期。因此，系统软件

或硬件没有被修改或降额，是

必要时与其他闪存技术，其擦除

并积累了擦除/编程亲次数的增加

克周期。

为了满足表面贴装的要求， SST39LF200A /

400A / 800A和SST39VF200A / 400A / 800A提供的

两个48引脚TSOP封装， 48球TFBGA封装

老少皆宜。参见图1和图2的引脚排列。

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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

规格若有变更，恕不另行通知。

2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存

SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

设备操作

命令用于启动存储器操作功能

该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备

采用标准的微处理器写序列。一个COM

命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃

低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿

或CE ＃，先到为准过去。数据总线被锁存

WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。

读

该SST39LF200A的读操作/ 400A / 800A和

SST39VF200A / 400A / 800A通过CE＃和OE ＃控制，

既要低的系统，以获得从所述数据

输出。 CE＃用于器件选择。当CE＃为

高，芯片被取消选中，只有待机功耗所配置

SUMED 。 OE＃为输出控制，用于栅极的数据

从输出引脚。数据总线处于高阻

状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。参考读

对于进一步的细节周期的时序图（图3）。

通过执行一个6字节的COM启动擦除操作

与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列

扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除

通过执行一个6字节的命令开始运行

序列块擦除命令（ 50H ）和块

地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块

地址被锁存的6个WE＃的下降沿

脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的

第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除

第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了

擦除操作可以通过数据＃确定

查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序

荷兰国际集团的波形。在扇区中发出的任何命令

或块擦除操作将被忽略。

芯片擦除操作

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了全片擦除操作，这使得

用户能够擦除整个存储器阵列的“1”状态。这

是有用的，当整个装置必须迅速删除。

通过执行六发起的芯片擦除操作

与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）

在最后一个字节序列地址5555H 。擦除

操作开始的6个WE＃上升沿或

CE＃，以先到为准。在擦除操作，

唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表

4，用于在指令序列，图8为时序图，

和图19的流程图。任何命令发出很好地协同

荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。

字编程操作

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A编程就一个字，用字的基础。前

编程时，必须确保该扇区，其中

正被编程的存在的话，被完全擦除。

在编程操作包括三个步骤。第一

步骤是软件数据亲的3字节装入序列

保护。第二步骤是要加载的字地址，字

数据。在字编程操作时，地址

被锁存， CE＃或WE＃的下降沿，

为准过去。该数据被锁存的上升

任CE ＃或WE ＃边沿，以先到为准。该

第三步是内部编程操作，这是initi-

后ated的第4个WE ＃或CE ＃，上升沿，而─

先出现。编程操作，一旦启动，将

将在20 μs内完成。请参阅图4和图5为WE＃

和CE ＃控制的编程操作时序图

图16为流程图。在程序操作

化，唯一有效的读操作是数据＃查询和翻转位。

在内部编程操作，主机可以自由地

执行其他任务。在发出的任何命令

内部编程操作都将被忽略。

写操作状态检测

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了两种软件方法来检测完成

一个写（编程或擦除）循环中，为了优化

系统的写入周期时间。软件检测包含

两个状态位：数据＃查询（ DQ

），并触发位（ DQ

写操作结束检测模式后上升启用

边WE＃，启动内部编程或擦除

操作。

非易失性写操作的实际完成是asynchro-

知性与系统;因此，无论是数据＃查询或

切换位读可以同时配合完成

的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能

获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组

flict有两种DQ

或者DQ

。为了防止杂散

排斥，如果错误的结果发生时，软件例程

应包括循环读取访问单元

附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则

设备已完成写周期，否则rejec-

化是有效的。

扇区/块擦除操作

在扇区（或块）擦除操作使系统

以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个

块）的基础。该SST39LF200A / 400A / 800A和

SST39VF200A / 400A / 800A提供两个扇区擦除和

块擦除模式。扇区结构是基于

统一扇区大小的2K字。块擦除模式

基于对32K字的均匀的块大小。在扇区

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SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

数据＃投票（ DQ

)

当SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A /

400A / 800A的内部程序操作，任何

试图读取DQ

将产生的补

真正的数据。一旦程序操作完成后， DQ

将产生真正的数据。该设备然后准备进行下一次

操作。在内部擦除操作，任何企图

阅读DQ

会产生一个'0'。一旦内部擦除操作

化完成后， DQ

将产生一个'1'。数据＃投票

是后4个WE ＃（或CE ＃）的上升沿有效脉冲

对于编程操作。对于扇区，块或片擦除，

数据＃查询后的第6个WE ＃上升沿有效

（或CE ＃）脉冲。参见图6数据＃投票时间dia-

克和图17的流程图。

软件数据保护（ SDP ）

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了JEDEC核准的软件数据保护

对于所有数据修改操作化计划，即计划

和擦除。任何程序运行需要列入

三字节序列。这三个字节装入序列

用于启动编程操作，提供最佳

保护防止意外写操作，例如，在

在系统上电或断电。任何擦除操作

需要包含六个字节序列。本组

设备附带的软件数据保护per-

manently启用。请参阅表4为特定的软件

命令代码。在SDP命令序列，无效

命令会中止器件内TRC阅读模式。

DQ的内容

-DQ

可以是V

或V

外，无其它

值，在任何SDP命令序列。

切换位（ DQ

)

在内部编程或擦除操作，有关的任何

secutive尝试读出的DQ

会产生交变1秒

和为0，即，切换0. 1至当内部

编程或擦除操作完成后， DQ

位会

停止切换。该设备然后准备下一次操作

化。切换位后的第四个上升沿有效。

WE＃（或CE ＃）脉冲编程操作。对于扇区，

块擦除或芯片擦除，切换位后上涨有效

6个WE＃（或CE ＃）脉冲的边缘。参见图7为切换

位的时序图和图17为一个流程图。

通用闪存接口（ CFI ）

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A还包含CFI信息来形容煤焦

该装置的Cucumis Sativus查阅全文。为了进入CFI查询

模式下，系统必须写3字节的序列，同

与98H软件ID进入命令（ CFI查询的COM

命令），以解决5555H中的最后一个字节序列。一旦

该器件进入CFI查询模式，系统可以

在经过9在表5中给出的地址读出的CFI数据。

该系统必须写入CFI退出命令返回到

读取CFI查询模式模式。

数据保护

该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /

800A提供了硬件和软件功能来亲

从意外写TECT非易失性数据。

硬件数据保护

噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5

NS不会启动写周期。

上电/掉电检测：写操作

抑制当V

小于1.5V 。

写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃

高会抑制写操作。这可以防止不经意

在上电或掉电ENT写道。

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SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

产品标识

产品标识模式标识的设备上进行

在SST39LF / VF200A ， SST39LF / VF400A和SST39LF /

VF800A和制造商为SST。该模式可以是

通过软件操作进行访问。用户可以使用

软件产品标识操作来识别一部分

（即，使用的设备ID ），使用多个时

制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表4

软件的操作，如图11的软件ID进入

和读取时序图，图18为软件

ID进入命令序列流程图。

表1 ：P

RODUCT

DENTIFICATION

ABLE

地址

制造商ID

器件ID

SST39LF/VF200A

SST39LF/VF400A

SST39LF/VF800A

0001H

2789H

2780H

2781H

T1.3 360

产品标识模式退出/

CFI模式退出

为了返回到标准的读模式中，软件

产品标识模式必须退出。出口是accom-

通过发出软件ID退出命令plished

序列，将设备返回到读取模式。

该命令也可以被用于将设备复位为

后因疏忽瞬态条件下阅读模式

显然导致设备运行异常，如：

不正确读出。请注意，该软件ID退出/

一个内部计划中CFI退出命令被忽略或

擦除操作。参见表4软件命令

码，图13为时序波形和图18的

流程图。

数据

00BFH

0000H

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SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A

SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A

数据表

UNCTIONAL

LOCK

IAGRAM

X解码器

超快闪

内存

内存地址

地址缓冲器&门锁

y解码器

CE＃

OE ＃

WE＃

DQ15 - DQ0

360 ILL B1.2

控制逻辑

I / O缓冲器和数据锁存器

SST39LF / VF800A SST39LF / VF400A SST39LF / VF200A

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

A18

A17

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

A17

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

SST39LF / VF200A SST39LF / VF400A SST39LF / VF800A

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

A16

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VDD

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

标准引脚

顶视图

死亡最多

SST39LF200A/400A/800A

SST39VF200A/400A/800A

360 ILL F01.2

图1 ：P

SSIGNMENTS FOR

48-

领导

TSOP

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