S T M6926
S amHop微电子 ORP 。
Mar.29 ， 2007
双数控hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
40V
F ê乌尔（E S）
( m
）最大
I
D
8.5A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
（E S） P rotected 。
D
1
8
16 @ V
的s
= 10V
18 @ V
的s
= 4.5V
D
1
7
D
2
6
D
2
5
S 0 - 8
1
1
2
3
4
S
1
G
1
S
2
G
2
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous @助教
-P ulsed
b
a
S ymbol
V
DS
V
GS
25 C
70 C
I
DM
I
S
P
D
TA = 70℃
T
J
, T
s TG
I
D
极限
40
20
8.5
7
32
1.7
2
1.44
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
工作结点和S torage
温度法兰
a
TA = 25℃
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到环境
a
1
R
JA
62.5
C / W
