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S T M6926
S amHop微电子 ORP 。
Mar.29 , 2007
双数控hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
40V
F ê乌尔(E S)
( m
)最大
I
D
8.5A
R
DS ( ON)
S UPER高密度电池设计低R
DS (ON
).
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
(E S) P rotected 。
D
1
8
16 @ V
的s
= 10V
18 @ V
的s
= 4.5V
D
1
7
D
2
6
D
2
5
S 0 - 8
1
1
2
3
4
S
1
G
1
S
2
G
2
ABS OLUTE最大R ATINGS (T
A
= 25°C除非另有说明)
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous @助教
-P ulsed
b
a
S ymbol
V
DS
V
GS
25 C
70 C
I
DM
I
S
P
D
TA = 70℃
T
J
, T
s TG
I
D
极限
40
20
8.5
7
32
1.7
2
1.44
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
工作结点和S torage
温度法兰
a
TA = 25℃
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ,结到环境
a
1
R
JA
62.5
C / W
STM6926
电气特性(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
5
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
c
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
V
DS
=32V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ,我
D
= 10A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 6A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V ,我
D
=10A
最小值典型值
C
最大单位
40
1
10
1
1.7
12
14
20
25
1500
220
145
23
22
88
27
28
12
3
6
3
V
uA
uA
V
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征
b
栅极阈值电压
漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
16
兆欧
18
兆欧
A
S
P
F
P
F
P
F
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
c
V
DS
=20V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
D(上)
t
t
D(关闭)
t
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
V
DD
= 15V
I
D
= 1A
V
GS
= 10V
R
= 6欧姆
V
DS
= 15V ,我
D
= 10A ,V
GS
=10V
V
DS
= 15V ,我
D
= 10A ,V
GS
=4.5V
V
DS
= 15V ,我
D
= 10A
V
GS
=10V
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
S T M6926
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
5
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ,是= 1.7A
最小典型最大单位
0.73
1.2
V
C
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
A. urface安装在FR 4局,T 10秒。
b.Pulse试验:脉宽300US ,占空比2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
60
V
的s
=4V
50
V
的s
=4.5 V
40
30
20
10
V
的s
=2.5V
V
的s
=10V
20
T J = 125℃
I
D
,排水光凭目前 (A )
I
D
,排水光凭目前 (A )
15
-55 C
10
25 C
V
的s
=3V
5
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
4.8
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.输出特性
24
1.75
图2.传输特性
R
DS ( ON)
,导通电阻
20
1.60
1.45
1.30
1.15
1.0
0
V
GS
=10V
I
D
=10A
R
DS ( ON)
(m
)
16
12
V
的s
=4.5V
V
的s
=10V
8
4
1
1
V
GS
=4.5V
I
D
=6A
5
10
15
20
25
30
0
25
50
75
100
125
150
TJ ( C)
I
D
,漏电流( A)
TJ ,结温( C)
图3.导通电阻与漏电流
与栅极电压
图4.导通电阻变化与
漏电流和温度
3
S T M6926
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时,归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50 -25
0
25
50
75
100 125
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
I
D
=250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
36
20.0
I
D
=10A
30
是,S环境允许的漏电流( A)
R
DS ( ON)
(m
)
10.0
25 C
24
125 C
18
12
75 C
6
0
25 C
125 C
75 C
1.0
0
2
4
6
8
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
的s
,G吃-S环境允许的电压(V )
V
S.D。
,B ODY二极管F orward V oltage ( V)
F igure 7.在-R es是tance VS 。
摹吃-S环境允许的V oltage
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
4
STM6926
2400
10
V
GS
,门源电压( V)
2000
8
6
4
2
0
V
DS
=15V
I
D
=10A
C,C apacitance (PF )
1600
1200
800
400
RS s
0
0
5
10
15
OS s
C为S
6
20
25
30
0
3
6
9
12
15
18
21
24
V
DS
,漏极至源极电压( V)
QG ,总栅极电荷( NC)
图9.电容
600
Tr
图10.栅极电荷
50
10
I
D
,漏电流( A)
(O
N)
LIM
it
切换时间(纳秒)
100
60
10
TD (关闭)
Tf
TD (上)
10
R
D
S
10
ms
0m
s
1
DC
1s
1
1
V DS = 15V , ID = 1A
V G S = 10V
0.1
0.03
V
GS
=10V
单脉冲
T
A
=25 C
0.1
1
10
30 50
6 10
60 100 300 600
RG ,栅极电阻(
)
V
DS
,漏源电压(V )
图11.switching特点
9
图12.最大安全
工作区
归一化瞬时
热阻
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
on
P
DM
t
1
t
2
1. R
thJA
(吨) = R (t)的R *
JAth
2. R
th
=请查阅技术资料
JA
3. T
JM-
T
A
= P
DM
* R
JA日
(t)
4.占空比D = T
1
/t
2
0.01
0.00001
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间(秒)
归瞬态热阻抗曲线
5
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