S T M6926
S amHop微电子 ORP 。
Mar.29 , 2007
双数控hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
40V
F ê乌尔(E S)
( m
)最大
I
D
8.5A
R
DS ( ON)
S UPER高密度电池设计低R
DS (ON
).
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
(E S) P rotected 。
D
1
8
16 @ V
的s
= 10V
18 @ V
的s
= 4.5V
D
1
7
D
2
6
D
2
5
S 0 - 8
1
1
2
3
4
S
1
G
1
S
2
G
2
ABS OLUTE最大R ATINGS (T
A
= 25°C除非另有说明)
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous @助教
-P ulsed
b
a
S ymbol
V
DS
V
GS
25 C
70 C
I
DM
I
S
P
D
TA = 70℃
T
J
, T
s TG
I
D
极限
40
20
8.5
7
32
1.7
2
1.44
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
工作结点和S torage
温度法兰
a
TA = 25℃
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ,结到环境
a
1
R
JA
62.5
C / W
S T M6926
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
5
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ,是= 1.7A
最小典型最大单位
0.73
1.2
V
C
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
A. urface安装在FR 4局,T 10秒。
b.Pulse试验:脉宽300US ,占空比2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
60
V
的s
=4V
50
V
的s
=4.5 V
40
30
20
10
V
的s
=2.5V
V
的s
=10V
20
T J = 125℃
I
D
,排水光凭目前 (A )
I
D
,排水光凭目前 (A )
15
-55 C
10
25 C
V
的s
=3V
5
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
4.8
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.输出特性
24
1.75
图2.传输特性
R
DS ( ON)
,导通电阻
归
20
1.60
1.45
1.30
1.15
1.0
0
V
GS
=10V
I
D
=10A
R
DS ( ON)
(m
)
16
12
V
的s
=4.5V
V
的s
=10V
8
4
1
1
V
GS
=4.5V
I
D
=6A
5
10
15
20
25
30
0
25
50
75
100
125
150
TJ ( C)
I
D
,漏电流( A)
TJ ,结温( C)
图3.导通电阻与漏电流
与栅极电压
图4.导通电阻变化与
漏电流和温度
3
S T M6926
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时,归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50 -25
0
25
50
75
100 125
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
I
D
=250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
36
20.0
I
D
=10A
30
是,S环境允许的漏电流( A)
R
DS ( ON)
(m
)
10.0
25 C
24
125 C
18
12
75 C
6
0
25 C
125 C
75 C
1.0
0
2
4
6
8
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
的s
,G吃-S环境允许的电压(V )
V
S.D。
,B ODY二极管F orward V oltage ( V)
F igure 7.在-R es是tance VS 。
摹吃-S环境允许的V oltage
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
4