STSJ25NF3LL
N沟道30V - 0.0085
- 25A PowerSO - 8
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STSJ25NF3LL
s
s
s
s
s
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
<0.0105
I
D
25 A
典型
DS
（上） = 0.0085
@ 10V
典型的Q
g
= 24 NC @ 4.5 V
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
改进的结CASE热
阻力
PowerSO-8
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。这种硅，封装
在提高热SO-8 封装，展品
最佳的导通电阻与栅极电荷与贸易
关闭加低
THJ -C 。
内部原理图
应用
s
专门设计和优化
高效率的CPU CORE DC / DC
转换器，用于移动PC
S
漏接触另在背面
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C (*)
漏电流（连续）在T
C
= 25°C (#)
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C (#)
价值
30
30
± 16
25
12
16
100
70
3
（*）受限于导线接合价值
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2003年10月
1/8
新的数据表，根据PCN DSG / CT / 2C13标记： 25NF3LL @
