STSJ25NF3LL
N沟道30V - 0.009Ω - 25A PowerSO - 8
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STSJ25NF3LL
s
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
< 0.011
I
D
25 A
s
s
s
s
改进的结CASE热
阻力
典型
DS
（上） = 0.009Ω
典型的Q
g
= 21 NC
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
PowerSO-8
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征尺寸
”
条形基础的过程。这种硅，坐落在热 -
LY改进SO- 8封装，上重表现最佳
sistance与栅极电荷权衡加低
R
THJ -C
.
应用
s
专门设计和优化
高效率的CPU CORE DC / DC
转换器，用于移动PC
内部原理图
漏接触另在背面
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C (*)
漏电流（连续）在T
A
= 25°C (#)
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
A
= 25°C (#)
价值
30
30
± 16
25
12
16
100
70
3
（*）受限于导线接合价值
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
I
DM
(
l
)
P
合计
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
2002年3月
1/8
STSJ25NF3LL
热数据
Rthj -C
Rthj - AMB
T
j
T
英镑
热阻结案件最大
热阻结到环境最大（ ＃ ）
马克斯。工作结温
储存温度
1.8
42
150
- 55 150
° C / W
° C / W
°C
°C
（ ＃ ）当安装在1inch FR4板，铜2盎司，T
≤
10秒。
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 16V
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 12.5 A
分钟。
1
0.009
0.011
0.011
0.013
典型值。
马克斯。
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 5.5 A
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
20
1700
500
115
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/8
STSJ25NF3LL
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 12.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5 V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 15 V，I
D
= 25 A,
V
GS
= 4.5 V
分钟。
典型值。
47
60
21
10
8.4
28
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 24 V，I
D
= 12.5 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5 V
（见测试电路，图3 ）
分钟。
典型值。
34
24
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
I
SD
= 25 A，V
GS
= 0
I
SD
= 25 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 15 V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
40
52
2.4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
25
100
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/8
STSJ25NF3LL
N沟道30V - 0.0085
- 25A PowerSO - 8
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STSJ25NF3LL
s
s
s
s
s
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
<0.0105
I
D
25 A
典型
DS
（上） = 0.0085
@ 10V
典型的Q
g
= 24 NC @ 4.5 V
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
改进的结CASE热
阻力
PowerSO-8
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。这种硅，封装
在提高热SO-8 封装，展品
最佳的导通电阻与栅极电荷与贸易
关闭加低
THJ -C 。
内部原理图
应用
s
专门设计和优化
高效率的CPU CORE DC / DC
转换器，用于移动PC
S
漏接触另在背面
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C (*)
漏电流（连续）在T
C
= 25°C (#)
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C (#)
价值
30
30
± 16
25
12
16
100
70
3
（*）受限于导线接合价值
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2003年10月
1/8
新的数据表，根据PCN DSG / CT / 2C13标记： 25NF3LL @
STSJ25NF3LL
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 12.5 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图1 ）
V
DD
= 15V我
D
= 25A V
GS
=4.5V
（见测试电路，图2 ）
分钟。
典型值。
23
156
24
8.5
12
马克斯。
单位
ns
ns
33
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 12.5 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
27
28
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 25 A
V
GS
= 0
40
50
2.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
25
100
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 25 A
V
DD
= 25 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图3 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/8
QQ：2880707522 复制
