T8714VA
威世半导体
GaAlAs的红外发光二极管芯片的规格
特点
包装类型：芯片
-
包装形式：单芯片
技术：双异质
芯片尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 0.37 X 0.37
x 0.16
峰值波长：
λ
= 865 nm的
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据WEEE指令2002/96 / EC
和
in
21594-1
描述
T8714VA是红外线， 865 nm的发射中的GaAlAs二极管
双异质技术，具有较高的辐射功率和高
速度。阳极是在顶部的键合焊盘。
一般信息
数据表是基于一定的预定和假设的条件下， Vishay的光电子产品抽样检测，并
仅供说明之用。我们鼓励客户在实际执行测试提出了包装和使用
条件。 Vishay的光电子芯片产品都采用Vishay的光电子学为基础的质量保证程序测试，
使用Vishay的光电子成立工艺制造。估计，如在此所描述和阐述
数据表，半导体管芯会根据许多的包装，处理，使用和其它因素而变化。因此出售
模具可在同等基础标准封装的产品没有执行。
产品概述
部件
T8714VA
记
测试条件见表“基本特征”
I
e
（毫瓦/ SR）
4.2
（度）
> ± 80
λ
p
（纳米）
865
t
r
（纳秒）
13
订购信息
订购代码
T8714VA-SF-F
记
最小起订量：最小起订量
包装
晶片上锯箔
备注
最小起订量： 25000个
包装形式
芯片
绝对最大额定值
参数
正向电流
反向电压
正向电流浪涌
结温
工作温度范围
存储温度范围芯片
对铝箔存储温度范围
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
文档编号： 81130
修订版1.3 ， 29 -MAR- 10
如有技术问题，请联系：
optochipsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
t
p
= 100 s
测试条件
符号
I
F
V
R
I
FSM
T
j
T
AMB
T
stg1
T
stg2
价值
100
5
1
125
- 40至+ 100
- 40至+ 100
- 40至+ 50
单位
mA
V
A
°C
°C
°C
°C
