TK7P50D
R
DS （ ON）
TC =
5
10
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
DR
– V
DS
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(
Ω)
4
3
3.5
2
7
反向漏电流
I
DR
(A)
1
ID
=
1.8 A
1
10
3
5
1
0.6
VGS
=
0,1 V
0.8
1.0
1.2
1.4
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
0.2
0.4
外壳温度
Tc
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
5
V
th
TC =
栅极阈值电压
V
th
(V)
（PF ）
1000
4
西塞
C
3
电容
100
科斯
2
常见的来源
1 VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
0
80
40
0
40
80
120
160
10
1
0.1
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
1
10
CRSS
100
漏源电压
V
DS
(V)
外壳温度
Tc
(°C)
P
D
TC =
V
DS
(V)
160
500
动态输入/输出
特征
(V)
栅源电压
V
GS
20
漏极功耗
P
D
(W)
400
VDS
200
VDD
=
100 V
16
120
漏源电压
300
400
12
80
200
VGS
100
常见的来源
ID
=
7 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
8
40
4
0
0
40
80
120
160
0
0
4
8
12
16
0
20
外壳温度
Tc
(°C)
总栅极电荷
Q
g
（ NC ）
4
2010-03-11
