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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第883页 > TK7P50D
TK7P50D
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
（ π - MOSⅦ ）
TK7P50D
开关稳压器的应用
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 1.0
（典型值）。
高正向转移导纳：
Y
fs
= 2.5秒（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 500 V)
增强型： V
th
= 2.4 4.4 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
6.6
±
0.2
5.34
±
0.13
1.08±0.2
单位：mm
0.58MAX
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
0.07
±
0.07
1.52
特征
漏源电压
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
500
±30
7
28
100
105
7
10
150
55
150
单位
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1
1.
2.
2
3
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
门
漏
（HEAT
汇）
3.源
2.3
±
0.1
0.76
±
0.12
JEDEC
JEITA
东芝
2-7K1A
重量：0.58克（典型值）。
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人可靠性数据（即
可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
1.25
125
单位
内部连接
2
° C / W
° C / W
注1：请使用上的条件的设备，该通道的温度低于150℃。
注2 ： V
DD
= 90 V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 3.64 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AR
= 7 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
3
1
2010-03-11
+0.25
0.12
1.14MAX
1.01MAX
2.29
6.1
±
0.12
+0.4
10.0
0.6
TK7P50D
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
≈
400 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
7 A
税
≤
1%, t
w
=
10
μs
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
50
Ω
I
D
=
3.5 A
V
OUT
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±30
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
500 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
3.5 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
3.5 A
民
500
2.4
0.7
典型值。
1.0
2.5
600
4
70
18
40
8
55
12
7
5
最大
±1
10
4.4
1.22
pF
单位
μA
μA
V
V
Ω
S
ns
R
L
=
57
Ω
V
DD
≈
200 V
nC
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
7 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
7 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
1200
7
最大
7
28
1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
（注4 ）
TK7P50D
产品型号（或缩写代码）
LOT号
注4 ：
*
每周码： （四位数）
制造周
（ 01年第一周，持续到52或53 ）
制造年份
（日历年的最后2digits ）
2
2010-03-11
TK7P50D
I
D
– V
DS
5
10
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
8
7.25
10
8
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
7.75
I
D
– V
DS
(A)
(A)
漏电流I
D
4
7
8
漏电流I
D
3
6.75
6.5
6
7.5
7.25
2
6.25
6
4
7
6.75
1
VGS
=
5 .5V
0
0
2
6.5
VGS
=
6V
2
4
6
8
10
0
0
10
20
30
40
50
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
V
DS
– V
GS
V
DS
(V)
12
常见的来源
Tc
=
25℃
脉冲测试
7
10
(A)
8
10
漏电流I
D
漏源电压
8
6
6
4
25
2
100
Tc
= 55
°C
0
4
3.5
ID = 1.8 A
2
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
– I
D
10
R
DS （ ON）
– I
D
10
正向转移导纳
Y
fs
(S)
Tc
= 55
°C
1
25
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
100
1
VGS
=
10, 15 V
0.1
0.1
1
10
0.1
0.1
1
10
100
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3
2010-03-11
TK7P50D
R
DS （ ON）
TC =
5
10
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
DR
– V
DS
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(
Ω)
4
3
3.5
2
7
反向漏电流
I
DR
(A)
1
ID
=
1.8 A
1
10
3
5
1
0.6
VGS
=
0,1 V
0.8
1.0
1.2
1.4
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
0.2
0.4
外壳温度
Tc
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
5
V
th
TC =
栅极阈值电压
V
th
(V)
（PF ）
1000
4
西塞
C
3
电容
100
科斯
2
常见的来源
1 VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
0
80
40
0
40
80
120
160
10
1
0.1
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
1
10
CRSS
100
漏源电压
V
DS
(V)
外壳温度
Tc
(°C)
P
D
TC =
V
DS
(V)
160
500
动态输入/输出
特征
(V)
栅源电压
V
GS
20
漏极功耗
P
D
(W)
400
VDS
200
VDD
=
100 V
16
120
漏源电压
300
400
12
80
200
VGS
100
常见的来源
ID
=
7 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
8
40
4
0
0
40
80
120
160
0
0
4
8
12
16
0
20
外壳温度
Tc
(°C)
总栅极电荷
Q
g
（ NC ）
4
2010-03-11
TK7P50D
r
th
– t
w
归一化瞬态热
阻抗
日（T ）
/R
TH（ CH-C ）
10
1
Duty=0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
单脉冲
PDM
t
T
0.02 0.01
0.01
10μ
100μ
1m
10m
100m
税
=
t/T
RTH （ CH-C ）
=
1.25 ° C / W
1
10
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
ID MAX（脉冲）
*
150
E
AS
– T
ch
10
ID MAX（连续）
100
μs
*
雪崩能量
E
AS
（兆焦耳）
120
(A)
90
I
D
1
漏电流
直流操作
Tc
=
25°C
1毫秒
*
60
0.1
30
0.01
* ：单不重复
曲线必须降低
线性地增加
温度。
VDSS最大
脉冲TC = 25℃
0
25
50
75
100
125
150
CHANNEL温辐射（初始）
T
ch
(°C)
15 V
0
V
V
DD
B
VDSS
I
AR
V
DS
0.001
1
10
100
1000
漏源电压
V
DS
(V)
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
90 V，L
=
3.64 mH的
波形
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
VDD
2
VDSS
5
2010-03-11
TK7P50D
硅N沟道MOS型（ π - MOSⅦ ）
开关稳压器的应用
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 1.0
（典型值）。
高正向转移导纳：
Y
fs
= 2.5秒（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 500 V)
增强型： V
th
= 2.4 4.4 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
6.6
±
0.2
5.34
±
0.13
1.08±0.2
单位：mm
0.58MAX
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
0.07
±
0.07
1.52
特征
漏源电压
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
500
±30
7
28
100
105
7
10
150
55
150
单位
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1
1.
2.
2
3
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
门
漏
（HEAT
汇）
3.源
2.3
±
0.1
0.76
±
0.12
JEDEC
JEITA
东芝
2-7K1A
重量：0.58克（典型值）。
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人可靠性数据（即
可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
1.25
125
单位
内部连接
2
° C / W
° C / W
注1：请使用上的条件的设备，该通道的温度低于150℃。
注2 ： V
DD
= 90 V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 3.64 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AR
= 7 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
3
1/5
www.freescale.net.cn
+0.25
0.12
1.14MAX
1.01MAX
2.29
6.1
±
0.12
+0.4
10.0
0.6
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
≈
400 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
7 A
税
≤
1%, t
w
=
10
μs
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
50
Ω
I
D
=
3.5 A
V
OUT
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±30
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
500 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
3.5 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
3.5 A
民
500
2.4
0.7
典型值。
1.0
2.5
600
4
70
18
40
8
55
12
7
5
最大
±1
10
4.4
1.22
pF
单位
μA
μA
V
V
Ω
S
ns
R
L
=
57
Ω
V
DD
≈
200 V
nC
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
7 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
7 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
1200
7
最大
7
28
1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
（注4 ）
TK7P50D
产品型号（或缩写代码）
LOT号
注4 ：
*
每周码： （四位数）
制造周
（ 01年第一周，持续到52或53 ）
制造年份
（日历年的最后2digits ）
2/5
www.freescale.net.cn
I
D
– V
DS
5
10
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
8
7.25
10
I
D
– V
DS
8
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
7.75
(A)
(A)
漏电流I
D
4
7
8
漏电流I
D
3
6.75
6.5
6
7.5
7.25
2
6.25
6
4
7
6.75
1
VGS
=
5 .5V
0
0
2
6.5
VGS
=
6V
2
4
6
8
10
0
0
10
20
30
40
50
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
V
DS
– V
GS
V
DS
(V)
12
常见的来源
Tc
=
25℃
脉冲测试
7
10
(A)
8
10
漏电流I
D
漏源电压
8
6
6
4
25
2
100
Tc
= 55
°C
0
4
3.5
ID = 1.8 A
2
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
– I
D
10
R
DS （ ON）
– I
D
10
正向转移导纳
Y
fs
(S)
Tc
= 55
°C
1
25
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
100
1
VGS
=
10, 15 V
0.1
0.1
1
10
0.1
0.1
1
10
100
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3/5
www.freescale.net.cn
R
DS （ ON）
TC =
5
10
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
DR
– V
DS
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(
Ω)
4
3
3.5
2
7
反向漏电流
I
DR
(A)
1
ID
=
1.8 A
1
10
3
5
1
0.6
VGS
=
0,1 V
0.8
1.0
1.2
1.4
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
0.2
0.4
外壳温度
Tc
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
5
V
th
TC =
栅极阈值电压
V
th
(V)
（PF ）
1000
4
西塞
C
3
电容
100
科斯
2
常见的来源
1 VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
0
80
40
0
40
80
120
160
10
1
0.1
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
1
10
CRSS
100
漏源电压
V
DS
(V)
外壳温度
Tc
(°C)
P
D
TC =
V
DS
(V)
160
500
动态输入/输出
特征
(V)
栅源电压
V
GS
20
漏极功耗
P
D
(W)
400
VDS
200
VDD
=
100 V
16
120
漏源电压
300
400
12
80
200
VGS
100
常见的来源
ID
=
7 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
8
40
4
0
0
40
80
120
160
0
0
4
8
12
16
0
20
外壳温度
Tc
(°C)
总栅极电荷
Q
g
（ NC ）
4/5
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r
th
– t
w
归一化瞬态热
阻抗
日（T ）
/R
TH（ CH-C ）
10
1
Duty=0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
单脉冲
PDM
t
T
0.02 0.01
0.01
10μ
100μ
1m
10m
100m
税
=
t/T
RTH （ CH-C ）
=
1.25 ° C / W
1
10
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
ID MAX（脉冲）
*
150
E
AS
– T
ch
10
ID MAX（连续）
100
μs
*
雪崩能量
E
AS
（兆焦耳）
120
(A)
90
I
D
1
漏电流
直流操作
Tc
=
25°C
1毫秒
*
60
0.1
30
0.01
* ：单不重复
曲线必须降低
线性地增加
温度。
VDSS最大
脉冲TC = 25℃
0
25
50
75
100
125
150
CHANNEL温辐射（初始）
T
ch
(°C)
15 V
0
V
V
DD
B
VDSS
I
AR
V
DS
0.001
1
10
100
1000
漏源电压
V
DS
(V)
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
90 V，L
=
3.64 mH的
波形
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
VDD
2
VDSS
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