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3LN01M
参数
初步
符号
V
DSS
V
GSS
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
a
= 25°C)
评级
单位
漏源电压
V
30
栅源电压
V
±10
DC
0.15
漏电流
I
D
A
脉冲(注2 )
0.6
功耗
P
D
0.15
W
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注: 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度为10μs ≦ ,占空比≦ 1 %
电气特性
(T
a
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
截止阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
总栅极电荷
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=1mA
V
DS
=30V,V
GS
=0V
V
GS
=±8V, V
DS
=0V
V
DS
= 10V ,我
D
=100A
V
GS
= 4V ,我
D
=80mA
V
GS
= 2.5V ,我
D
=40mA
V
GS
= 1.5V ,我
D
=10mA
V
DS
= 10V ,我
D
=80mA
30
1
±10
0.4
2.9
3.7
6.4
0.22
7.0
5.9
2.3
1.58
0.26
0.31
19
65
155
120
0.87
1.2
1.3
3.7
5.2
12.8
典型值
最大单位
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
0.15
V
DS
=10V, V
GS
= 0 V , F = 1.0MHz的
V
DS
=10V, V
GS
= 10V ,我
D
=150mA
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D(上)
开启上升时间
t
R
请参阅特定网络版测试电路
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 150毫安,V
GS
=0V
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 3
QW-R502-285.a

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