UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
3LN01M
初步
功率MOSFET
N沟道硅
MOSFET的通用
开关设备
应用
描述
该
3LN01M
UTC采用先进技术提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。此器件的总的目的是为开关器件
应用程序。
特点
* R
DS （ ON）
= 3.7 @V
GS
= 4 V
*超低栅极电荷（典型值1.58 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型2.3 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
无铅：
3LN01ML
无卤： 3LN01MG
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
正常
3LN01M-AL3-R
订购数量
无铅
3LN01ML-AL3-R
无卤
3LN01MG-AL3-R
包
SOT-323
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
www.unisonic.com.tw
2008 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R502-285.a
