SPI驱动器增强型继电器控制
TLE7236EM
功率级
6
功率级
该TLE7236EM是一个8信道的高侧和低侧的继电器开关。功率级是由N沟道建
垂直功率MOSFET晶体管。高侧开关的栅极由电荷泵控制。
6.1
输入电路
有两个输入引脚可以在TLE7236EM ，它可以被配置为用于输出的控制
阶段。输入配置寄存器的INXn参数提供了以下几种可能：
信道被关闭
信道，根据信号电平输入引脚IN1切换
信道，根据信号电平输入引脚IN2的切换
信道被接通
图4
示TLE7236EM的输入电路。
IN1
I
IN1
0
CHANNEL 7
CHANNEL 6
CHANNEL 5
第4频道
通道3
通道2
通道1
通道0
IN2
I
IN2
1
INX0
InputLogic.emf
图4
输入多路复用器
电流吸收到地确保了信道的情况下打开的输入引脚的开关。齐纳二极管保护
输入电路对ESD脉冲。
6.2
通道4和5
该TLE7236EM提供了两个自动配置高侧或低侧开关（通道4和5 ） 。他们调整
根据自动在源极和漏极潜能的诊断和保护功能。
在高侧配置中，负载连接在地，功率晶体管（步骤S4或S5 ）和源极之间。
功率晶体管（ D4和D5 ）的漏极可以连接到GND引脚电位和之间的任何潜在
VBB引脚的潜力。当漏极连接到VBB ，沟道行为类似于其它高侧通道。该
排水管也可以连接到一个5 V电源和源极引脚将被用作交换5 V电源线。
在低侧结构中，功率晶体管的源极被连接到GND。
该配置可被选择用于每一个单独地，这些通道的，所以这是可行的，以连接一个信道
在低侧，另一个在高侧配置。
数据表
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1.0版， 2010-02-18
