SPI驱动器增强型继电器控制
TLE7236EM
电气特性
4.3
热阻
注意：此热数据是根据JEDEC JESD51标准产生的。
欲了解更多信息，请访问
www.jedec.org 。
热阻
1)
POS机。
4.3.1
4.3.2
4.3.3
4.3.4
4.3.5
4.3.6
4.3.7
参数
结到外壳，底部
结到外壳，顶部
结到引脚（ 6,7,18或19 ）
结到环境
（ 1s0p ，最小的足迹）
结到环境
(1s0p+300mm
2
铜）
结到环境
(1s0p+600mm
2
铜）
结到环境（ 2S2P ）
符号
分钟。
限值
典型值。
–
–
–
95
50
40
31
马克斯。
4
35
12
–
–
–
–
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
2)
2)
2)
3)
单位
条件
R
thJC ，回
R
thJC ，顶
R
thJpin
R
thJA ，分
R
thJA,300
R
thJA,600
R
thJA,2s2p
–
–
–
–
–
–
–
4)
5)
6)
1 ）不受生产测试
2 ）指定
R
thJSP
值的一冷板设置自然对流模拟（所有引脚都固定到环境温度） 。
T
a
= 85
°C.
CH1到CH8被耗散1 W功率（ 0.125 W分别） 。
3 ）指定
R
thJA
根据JEDEC JESD51-2值，在-3在FR4 1s0p电路板自然对流;该产品
（芯片+封装）进行了数值模拟在76.2 X 114.3 ×1.5 mm的电路板以最小的占位面积的覆铜面积和70
m
厚度。
T
a
= 85
°C,
CH1到CH8被耗散1 W功率（ 0.125 W分别） 。
4 ）指定
R
thJA
根据JEDEC JESD51-2值，在-3在FR4 1s0p电路板自然对流;该产品
（芯片+封装）进行了数值模拟在76.2 X 114.3 ×1.5 mm的电路板具有300mm的额外heatspreading铜区
2
70
m
厚度。
T
a
= 85
°C,
CH1到CH8被耗散1 W功率（ 0.125 W分别） 。
5 ）指定
R
thJA
根据JEDEC JESD51-2值，在-3在FR4 1s0p电路板自然对流;该产品
（芯片+封装）进行了数值模拟在76.2 X 114.3 ×1.5 mm的电路板具有600mm的额外heatspreading铜区
2
70
m
厚度。
T
a
= 85
°C,
CH1到CH8被耗散1 W功率（ 0.125 W分别） 。
6 ）指定
R
thJA
根据JEDEC JESD51-2值， -7日在FR4 2S2P板自然对流;该产品
（芯片+封装）进行了数值模拟在76.2 X 114.3 ×1.5 mm的电路板有2个内部铜层（2× 70
m
铜， 2× 35
m
铜） 。
T
a
= 85
°C,
CH1到CH8被耗散1 W功率（ 0.125 W分别） 。
数据表
12
1.0版， 2010-02-18
