INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD822
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V （最小值）
高
开关速度
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE （ SAT ）
= 5.0V （最大值） @我
C
= 6A
应用
·设计
对于彩电行输出的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1500
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
600
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
5
V
I
C
集电极电流 - 连续
7
A
I
E
发射极电流 - 连续
-7
A
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
≤90℃
50
W
T
J
结温
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
