INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD822
最大
单位
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 6A ;我
B
= 1.2A
B
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 6A ;我
B
= 1.2A
B
1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 500V ;我
E
= 0
10
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
1.0
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
8
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
165
pF
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 10V
3
兆赫
t
f
下降时间
I
C
= 6A ，我
B
结束
= 1.2A
1.0
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
