2SD2674
晶体管
通用扩增（ 12V ， 1.5A ）
2SD2674
应用
低频放大器
外形尺寸
（单位：毫米）
TSMT3
1.0MAX
2.9
特点
1）集电极电流较大。
2 ）集电极饱和电压低。
＆ LT ;
V
CE （ SAT ）
=
200mV
在我
C
=
500毫安/ I
B
=
25mA
0.85
0.7
0.4
(3)
1.6
2.8
0~0.1
0.3~0.6
(1)
(2)
0.95 0.95
1.9
0.16
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
每根导线具有相同的尺寸
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
15
12
6
1.5
3
500
1
2
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A
A
1
mW
W
°C
°C
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位（件）
2SD2674
TAPING
TL
3000
1
单脉冲，P
W
=1ms
2
安装在一个25 × 25 ×
t
0.8毫米陶瓷基板
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
脉冲
符号最小值。典型值。马克斯。单位
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
15
12
6
270
85
400
12
100
100
200
680
V
V
V
nA
nA
mV
pF
I
C
=10A
I
C
=1mA
I
E
=10A
V
CB
=15V
V
EB
=6V
条件
I
C
/I
B
=500mA/25mA
V
CE
/I
C
=2V/200mA
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
兆赫V
CE
=2V,
I
E
=200mA,
f=100MHz
REV.B
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