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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第670页 > 2SD2674
2SD2674
晶体管
通用扩增（ 12V ， 1.5A ）
2SD2674
应用
低频放大器
外形尺寸
（单位：毫米）
TSMT3
1.0MAX
2.9
特点
1）集电极电流较大。
2 ）集电极饱和电压低。
＆ LT ;
V
CE （ SAT ）
=
200mV
在我
C
=
500毫安/ I
B
=
25mA
0.85
0.7
0.4
(3)
1.6
2.8
0~0.1
0.3~0.6
(1)
(2)
0.95 0.95
1.9
0.16
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
每根导线具有相同的尺寸
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
15
12
6
1.5
3
500
1
2
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A
A
1
mW
W
°C
°C
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位（件）
2SD2674
TAPING
TL
3000
1
单脉冲，P
W
=1ms
2
安装在一个25 × 25 ×
t
0.8毫米陶瓷基板
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
脉冲
符号最小值。典型值。马克斯。单位
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
15
12
6
270
85
400
12
100
100
200
680
V
V
V
nA
nA
mV
pF
I
C
=10A
I
C
=1mA
I
E
=10A
V
CB
=15V
V
EB
=6V
条件
I
C
/I
B
=500mA/25mA
V
CE
/I
C
=2V/200mA
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
兆赫V
CE
=2V,
I
E
=200mA,
f=100MHz
REV.B
1/2
2SD2674
晶体管
电气特性曲线
盐基饱和电压： V
BE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
1000
Ta=100°C
10
Ta=40°C
Ta=25°C
Ta=100°C
=20/1
I
C
/I
B
=20
脉冲
1
Ta=25°C
V
CE
=2V
直流电流增益：H
FE
V
BE （ SAT ）
1
Ta=25°C
Ta=40°C
0.1
100
0.1
Ta=100°C
Ta=25°C
Ta=40°C
I
C
/I
B
=50/1
V
CE （ SAT ）
0.01
0.01
I
C
/I
B
=20/1
I
C
/I
B
=10/1
10
0.001
V
CE
=2V
脉冲
0.01
0.1
1
10
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1直流电流增益
与集电极电流
图2集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
与集电极电流
图3集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
10
集电极电流：我
C
(A)
1
跃迁频率：F
T
（兆赫）
V
CE
=2V
脉冲
1000
1000
Ta=25°C
V
CE
=2V
f=100MHz
切换时间（纳秒）
100
TSTG
Ta=100°C
0.1
Ta=25°C
100
10
Tdon
tf
tr
0.01
Ta=40°C
0.001
0
0.5
1.0
1.5
10
0.001
V
CE
=2V
Ta=25°C
脉冲
0.01
0.1
1
10
1
0.01
0.1
1
10
基地发射极电压： V
BE
(V)
发射极电流：我
E
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4接地发射传播
特征
图5增益带宽积
与发射极电流
图6开关时间
发射极输入电容： CIB （PF ）
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
100
兴业银行
I
E
=0A
f=1MHz
Ta=25°C
COB
10
1
0.1
1
10
100
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
图7集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射极输入电容
与发射极 - 基极电压
REV.B
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
2SD2674
晶体管
通用扩增（ 12V ， 1.5A ）
2SD2674
!
应用
低频放大器
!
外形尺寸
（单位：毫米）
每根引线有
0.4
相同的尺寸
0.85
0.7
!
特点
1）集电极电流较大。
2 ）集电极饱和电压低。
＆ LT ;
V
CE （ SAT ）
=
200mV
在我
C
=
500毫安/ I
B
=
25mA
(3)
1.6
0~0.1
0.3~0.6.
ROHM ： TSMT3
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
*单
脉冲，P
W
=1ms
!
包装规格
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
2.8
(2)
(1)
0.95 0.95
1.9
2.9
0.16
缩写符号
:
ES
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
15
12
6
1.5
3
500
150
55~+150
包
TYPE
CODE
基本订购单位（件）
2SD2674
TAPING
TL
3000
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
脉冲
符号最小值。
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
15
12
6
270
典型值。马克斯。单位
85
400
12
100
100
200
680
V
V
V
nA
nA
mV
pF
I
C
=10A
I
C
=1mA
I
E
=10A
V
CB
=15V
V
EB
=6V
条件
I
C
/I
B
=500mA/25mA
V
CE
/I
C
=2V/200mA
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
兆赫V
CE
=2V,
I
E
=200mA,
f=100MHz
1/2
2SD2674
晶体管
!
电气特性曲线
盐基饱和电压： V
BE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
1000
Ta=100°C
10
Ta=40°C
Ta=25°C
Ta=100°C
=20/1
I
C
/I
B
=20
脉冲
V
BE （ SAT ）
1
Ta=25°C
V
CE
=2V
直流电流增益：H
FE
1
Ta=25°C
Ta=40°C
0.1
100
0.1
Ta=100°C
Ta=25°C
Ta=40°C
I
C
/I
B
=50/1
V
CE （ SAT ）
0.01
0.01
I
C
/I
B
=20/1
I
C
/I
B
=10/1
10
0.001
V
CE
=2V
脉冲
0.01
0.1
1
10
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1直流电流增益
与集电极电流
图2集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
与集电极电流
图3集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
10
集电极电流：我
C
(A)
1
跃迁频率：F
T
（兆赫）
V
CE
=2V
脉冲
1000
1000
Ta=25°C
V
CE
=2V
f=100MHz
切换时间（纳秒）
100
TSTG
Ta=100°C
0.1
Ta=25°C
100
10
Tdon
tf
tr
0.01
Ta=40°C
0.001
0
0.5
1.0
1.5
10
0.001
V
CE
=2V
Ta=25°C
脉冲
0.01
0.1
1
10
1
0.01
0.1
1
10
基地发射极电压： V
BE
(V)
发射极电流：我
E
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4接地发射传播
特征
图5增益带宽积
与发射极电流
图6开关时间
发射极输入电容： CIB （PF ）
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
100
兴业银行
I
E
=0A
f=1MHz
Ta=25°C
COB
10
1
0.1
1
10
100
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
图7集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射极输入电容
与发射极 - 基极电压
2/2
2SD2674
晶体管
通用扩增（ 12V ， 1.5A ）
2SD2674
!
应用
低频放大器
!
外形尺寸
（单位：毫米）
每根引线有
0.4
相同的尺寸
0.85
0.7
!
特点
1）集电极电流较大。
2 ）集电极饱和电压低。
＆ LT ;
V
CE （ SAT ）
=
200mV
在我
C
=
500毫安/ I
B
=
25mA
(3)
1.6
0~0.1
0.3~0.6.
ROHM ： TSMT3
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
*单
脉冲，P
W
=1ms
!
包装规格
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
2.8
(2)
(1)
0.95 0.95
1.9
2.9
0.16
缩写符号
:
ES
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
15
12
6
1.5
3
500
150
55~+150
包
TYPE
CODE
基本订购单位（件）
2SD2674
TAPING
TL
3000
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
脉冲
符号最小值。
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
15
12
6
270
典型值。马克斯。单位
85
400
12
100
100
200
680
V
V
V
nA
nA
mV
pF
I
C
=10A
I
C
=1mA
I
E
=10A
V
CB
=15V
V
EB
=6V
条件
I
C
/I
B
=500mA/25mA
V
CE
/I
C
=2V/200mA
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
兆赫V
CE
=2V,
I
E
=200mA,
f=100MHz
1/2
2SD2674
晶体管
!
电气特性曲线
盐基饱和电压： V
BE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
1000
Ta=100°C
10
Ta=40°C
Ta=25°C
Ta=100°C
=20/1
I
C
/I
B
=20
脉冲
V
BE （ SAT ）
1
Ta=25°C
V
CE
=2V
直流电流增益：H
FE
1
Ta=25°C
Ta=40°C
0.1
100
0.1
Ta=100°C
Ta=25°C
Ta=40°C
I
C
/I
B
=50/1
V
CE （ SAT ）
0.01
0.01
I
C
/I
B
=20/1
I
C
/I
B
=10/1
10
0.001
V
CE
=2V
脉冲
0.01
0.1
1
10
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1直流电流增益
与集电极电流
图2集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
与集电极电流
图3集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
10
集电极电流：我
C
(A)
1
跃迁频率：F
T
（兆赫）
V
CE
=2V
脉冲
1000
1000
Ta=25°C
V
CE
=2V
f=100MHz
切换时间（纳秒）
100
TSTG
Ta=100°C
0.1
Ta=25°C
100
10
Tdon
tf
tr
0.01
Ta=40°C
0.001
0
0.5
1.0
1.5
10
0.001
V
CE
=2V
Ta=25°C
脉冲
0.01
0.1
1
10
1
0.01
0.1
1
10
基地发射极电压： V
BE
(V)
发射极电流：我
E
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4接地发射传播
特征
图5增益带宽积
与发射极电流
图6开关时间
发射极输入电容： CIB （PF ）
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
100
兴业银行
I
E
=0A
f=1MHz
Ta=25°C
COB
10
1
0.1
1
10
100
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
图7集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射极输入电容
与发射极 - 基极电压
2/2
2SD2674
晶体管
通用扩增（ 12V ， 1.5A ）
2SD2674
应用
低频放大器
外形尺寸
（单位：毫米）
TSMT3
1.0MAX
2.9
特点
1）集电极电流较大。
2 ）集电极饱和电压低。
＆ LT ;
V
CE （ SAT ）
=
200mV
在我
C
=
500毫安/ I
B
=
25mA
0.85
0.7
0.4
(3)
1.6
2.8
0~0.1
0.3~0.6
(1)
(2)
0.95 0.95
1.9
0.16
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
每根导线具有相同的尺寸
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
15
12
6
1.5
3
500
1
2
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A
A
1
mW
W
°C
°C
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位（件）
2SD2674
TAPING
TL
3000
1
单脉冲，P
W
=1ms
2
安装在一个25 × 25 ×
t
0.8毫米陶瓷基板
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
脉冲
符号最小值。典型值。马克斯。单位
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
15
12
6
270
85
400
12
100
100
200
680
V
V
V
nA
nA
mV
pF
I
C
=10A
I
C
=1mA
I
E
=10A
V
CB
=15V
V
EB
=6V
条件
I
C
/I
B
=500mA/25mA
V
CE
/I
C
=2V/200mA
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
兆赫V
CE
=2V,
I
E
=200mA,
f=100MHz
REV.B
1/2
2SD2674
晶体管
电气特性曲线
盐基饱和电压： V
BE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
1000
Ta=100°C
10
Ta=40°C
Ta=25°C
Ta=100°C
=20/1
I
C
/I
B
=20
脉冲
1
Ta=25°C
V
CE
=2V
直流电流增益：H
FE
V
BE （ SAT ）
1
Ta=25°C
Ta=40°C
0.1
100
0.1
Ta=100°C
Ta=25°C
Ta=40°C
I
C
/I
B
=50/1
V
CE （ SAT ）
0.01
0.01
I
C
/I
B
=20/1
I
C
/I
B
=10/1
10
0.001
V
CE
=2V
脉冲
0.01
0.1
1
10
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1直流电流增益
与集电极电流
图2集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
与集电极电流
图3集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
10
集电极电流：我
C
(A)
1
跃迁频率：F
T
（兆赫）
V
CE
=2V
脉冲
1000
1000
Ta=25°C
V
CE
=2V
f=100MHz
切换时间（纳秒）
100
TSTG
Ta=100°C
0.1
Ta=25°C
100
10
Tdon
tf
tr
0.01
Ta=40°C
0.001
0
0.5
1.0
1.5
10
0.001
V
CE
=2V
Ta=25°C
脉冲
0.01
0.1
1
10
1
0.01
0.1
1
10
基地发射极电压： V
BE
(V)
发射极电流：我
E
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4接地发射传播
特征
图5增益带宽积
与发射极电流
图6开关时间
发射极输入电容： CIB （PF ）
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
100
兴业银行
I
E
=0A
f=1MHz
Ta=25°C
COB
10
1
0.1
1
10
100
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
图7集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射极输入电容
与发射极 - 基极电压
REV.B
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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