SMD型
NPN硅外延型晶体管
2SD1899-Z
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
晶体管
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
特点
低V
CE （ SAT ）
.
+0.2
9.70
-0.2
高的hFE 。
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲） * 1
基极电流
总功耗TA = 25
总功率耗散T
C
= 25
结温
储存温度
* 1脉冲测试PW
为10ms ，占空比
50%.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
T
*2
P
T
T
j
T
英镑
等级
60
60
7
3
5
0.5
2
10
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
* 2安装在为7.5mm的陶瓷基板
2
x0.7mm
3
.8
0
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