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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第117页 > 2SD1899-Z
TRANSYS
电子
L I M I T E
TO- 252塑料封装晶体管
2SD1899-Z
特点
功耗
P
CM
:
2
W（环境温度Tamb = 25℃）
晶体管（ NPN ）
TO-252
1.基地
2.收集
集电极电流
3
A
I
CM
:
集电极 - 基极电压
60
V
V
（ BR ） CBO
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
启动时间
开关时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
3.辐射源
1
2 3
除非另有specifie ）
TEST
条件
民
典型值
最大
单位
V
V
V
IC 。
100
μA ，我
E
=0
IC 。
1
妈，我
B
=0
I
E
=
100
μA ，我
C
=0
V
CB
=
60
V，I
E
=0
V
EB
=
7
V，I
C
=0
V
CE
=
2
V，I
C
=
200
mA
V
CE
=
2
V，I
C
=
600
mA
V
CE
=
2
V，I
C
=
2
A
I
C
=
1.5
A，I
B
=
150
mA
I
C
=
1.5
A，I
B
=
150
mA
V
CE
=
5
V，I
C
=
1.5
A
V
CB
=
10
V，I
E
=0, f=
1
兆赫
60
60
7
10
10
60
100
50
0.25
1.2
120
30
0.5
400
A
A
V
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
CC
= 30V ，我
C
= 1A ，我
B1
=-I
B2
=-0.05A
2.0
0.5
s
分类h及
FE(1)
秩
范围
M
100-200
L
160-320
K
200-400
TRANSYS
电子
L I M I T E
TO- 252塑料封装晶体管
2SD1899-Z
特点
功耗
P
CM
:
2
W（环境温度Tamb = 25℃）
晶体管（ NPN ）
TO-252
1.基地
2.收集
集电极电流
3
A
I
CM
:
集电极 - 基极电压
60
V
V
（ BR ） CBO
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
启动时间
开关时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
3.辐射源
1
2 3
除非另有specifie ）
TEST
条件
民
典型值
最大
单位
V
V
V
IC 。
100
μA ，我
E
=0
IC 。
1
妈，我
B
=0
I
E
=
100
μA ，我
C
=0
V
CB
=
60
V，I
E
=0
V
EB
=
7
V，I
C
=0
V
CE
=
2
V，I
C
=
200
mA
V
CE
=
2
V，I
C
=
600
mA
V
CE
=
2
V，I
C
=
2
A
I
C
=
1.5
A，I
B
=
150
mA
I
C
=
1.5
A，I
B
=
150
mA
V
CE
=
5
V，I
C
=
1.5
A
V
CB
=
10
V，I
E
=0, f=
1
兆赫
60
60
7
10
10
60
100
50
0.25
1.2
120
30
0.5
400
A
A
V
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
CC
= 30V ，我
C
= 1A ，我
B1
=-I
B2
=-0.05A
2.0
0.5
s
分类h及
FE(1)
秩
范围
M
100-200
L
160-320
K
200-400
为了我们的客户，
旧公司名称在产品目录等资料
4月1日
st
2010年， NEC电子公司合并，瑞萨科技
公司和瑞萨
电子公司
接手两者的所有业务
公司。
因此，尽管老公司的名称仍然是这个文件中，它是一种有效的
瑞萨
电子文档。我们感谢您的理解。
瑞萨电子网站： http://www.renesas.com
4月1日
st
, 2010
瑞萨电子公司
由...发出：
瑞萨电子公司
（ http://www.renesas.com ）
任何发送查询http://www.renesas.com/inquiry 。
通告
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如有更改，恕不另行通知。购买或使用本文中列出的任何瑞萨电子的产品，请前
确认与瑞萨电子销售办事处最新的产品信息。另外，请大家定期和仔细注意
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瑞萨电子或其他人。
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军队，包括但不限于大规模杀伤性武器的发展。瑞萨电子产品
技术可能不被用于或结合到任何产品或系统的制造，使用或禁止出售
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不保证该信息没有错误。瑞萨电子承担因此任何损失承担任何责任
招致你从此处包含的信息中的错误或疏漏造成。
瑞萨电子的产品是根据以下三个质量等级分为： “标准” ， “高品质” ，而
“具体” 。每个瑞萨电子产品的推荐用途取决于产品的质量等级，
如下所示。在特定的使用它之前，你必须检查每个瑞萨电子产品的质量等级
应用程序。您不得使用任何瑞萨电子的产品归类为“特殊”事先没有任何应用程序
瑞萨电子的书面同意。此外，您不得使用任何瑞萨电子产品的任何应用程序
它并不意味着不瑞萨电子的事先书面同意。瑞萨电子，不得以任何方式
从使用任何瑞萨电子产品的产生招致您或第三方的任何损害或损失承担责任
应用程序归类为“特定”或该产品并没有打算在那里你没有得到事先书面
瑞萨电子的同意。每个瑞萨电子产品的质量等级为“标准” ，除非另有
在瑞萨电子数据表或数据手册等明确规定
电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视频
设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;与工业机器人。
“高品质” ：运输设备（汽车，火车，船舶等） ;交通控制系统;防灾系统;反
犯罪系统;安全设备;和医疗设备不包括专门为维持生命而设计。
“具体” ：
飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗器械或
生命支持系统（如人工生命支持设备或系统） ，外科手术植入，或保健
介入治疗（如切除等） ，并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。
您应该使用本文档中描述的瑞萨电子产品瑞萨电子指定的范围内，
特别是相对于最大额定值，工作电源电压范围，移动电源电压范围时，热辐射
特点，安装等产品特性。瑞萨电子将有故障不承担任何责任或
由于使用的瑞萨电子产品等超出规定范围的损失。
本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性，半导体产品有
具体特点，如发生故障以一定的速率和故障一定的使用条件下发生。此外，
瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施，
防止它们之间的物理损伤中的一个的故障的情况下引起的火灾的可能性，并伤害或损坏
瑞萨电子产品，如安全性设计的硬件和软件，包括但不限于冗余，火
控制和故障的预防，对于老化降解或任何其他适当的措施，适当的治疗。因为
单独微机软件的评价是非常困难的，请评价最终产品或系统的安全性
由你制造的。
请联系瑞萨电子销售办事处联系，以环境问题，如环境
每个瑞萨电子产品的兼容性。请使用瑞萨电子的产品符合所有适用
该规范的受控物质列入或使用，包括但不限于欧盟RoHS法规
指令。瑞萨电子不承担由于发生的违规使用导致的损害或损失不承担任何责任
适用法律和法规。
本文不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，瑞萨没有事先书面同意
电子产品。
如果需要了解关于本资料的任何问题，请联系瑞萨电子销售办事处
文档或瑞萨电子的产品，或者如果您有任何疑问。
“标准” ：
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
（注1 ） “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-
资子公司。
（注2 ） “瑞萨电子的产品（S ） ”，是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。
数据表
硅功率晶体管
2SD1899-Z
NPN硅外延型晶体管
描述
该2SD1899 -Z是专为声频放大器和
切换，尤其是在混合集成电路。
封装图（单位：mm ）
6.5 ±0.2
5.0 ±0.2
4.4 ±0.2
记
5.6 ±0.3
9.5 ±0.5
1.5
0.1
+0.2
高
FE
: h
FE
= 100400
低V
CE （ SAT ）
: V
CE （ SAT ）
≤
0.25 V
5.5 ±0.2
1 2 3
0.5 ±0.1
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
基地发射极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
总功率耗散（T
A
= 25°C)
总功率耗散（T
C
= 25°C)
结温
储存温度
注2
注1
2.3 ±0.3
60
60
7.0
3.0
5.0
0.5
2.0
10
150
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
TO- 252 （ MP- 3Z ）
2.3 ±0.3
0.15 ±0.15
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
I
B（ DC ）
P
T1
P
T2
T
j
T
英镑
1.
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器翅片
记
切口在翼片顶部的深度是
从0至0.2毫米。
55
+150
注意事项1 。
PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50%
2.
当安装在为7.5cm的陶瓷基片
×
0.7 mm
2
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D18293EJ4V0DS00 （第4版）
发布日期2007年NS月
日本印刷
标记<R>表示主要修改点。
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
1.0 ±0.5
0.4分钟。
0.5 TYP 。
2.5 ±0.5
特点
4
2.3 ±0.2
0.5 ±0.1
记
0.5 ±0.1
1986, 2006
2SD1899-Z
2
数据表D18293EJ4V0DS
2SD1899-Z
数据表D18293EJ4V0DS
3
SMD型
NPN硅外延型晶体管
2SD1899-Z
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
晶体管
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
特点
低V
CE （ SAT ）
.
+0.2
9.70
-0.2
高的hFE 。
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲） * 1
基极电流
总功耗TA = 25
总功率耗散T
C
= 25
结温
储存温度
* 1脉冲测试PW
为10ms ，占空比
50%.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
T
*2
P
T
T
j
T
英镑
等级
60
60
7
3
5
0.5
2
10
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
* 2安装在为7.5mm的陶瓷基板
2
x0.7mm
3
.8
0
www.kexin.com.cn
1
SMD型
2SD1899-Z
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
EB
= 7 V，I
C
= 0
V
CE
= 2V ，我
C
= 0.2 A
直流电流增益*
h
FE
V
CE
= 2V ，我
C
= 0.6 A
V
CE
= 2V ，我
C
= 2.0 A
集电极饱和电压*
基本饱和电压*
增益带宽积
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
*脉冲： PW
350 ，占空比
2%
V
CE （ SAT ）
I
C
= 1.5 A，I
B
= 0.15 A
V
BE （ SAT ）
I
C
= 1.5 A，I
B
= 0.15 A
f
T
C
ob
吨
TSTG
tf
V
CE
= 5 V，I
E
= -1.5 A
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
I
C
= 1 A，V
CC
= 10 V
I
B1
=-I
B2
=0.1A
R
L
=10
晶体管
民
典型值
最大
10
10
单位
ìs
ìA
60
100
50
0.14
0.93
120
30
0.15
0.75
0.2
0.5
2
0.5
0.25
1.2
V
V
兆赫
pF
ìs
ìs
ìs
400
h
FE
分类
记号
的hFE
M
100 200
L
160 320
K
200 400
2
www.kexin.com.cn
TRANSYS
电子
L I M I T E
TO- 252塑料封装晶体管
2SD1899-Z
特点
功耗
P
CM
:
2
W（环境温度Tamb = 25℃）
晶体管（ NPN ）
TO-252
1.基地
2.收集
集电极电流
3
A
I
CM
:
集电极 - 基极电压
60
V
V
（ BR ） CBO
:
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
启动时间
开关时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
3.辐射源
1
2 3
除非另有specifie ）
TEST
条件
民
典型值
最大
单位
V
V
V
IC 。
100
μA ，我
E
=0
IC 。
1
妈，我
B
=0
I
E
=
100
μA ，我
C
=0
V
CB
=
60
V，I
E
=0
V
EB
=
7
V，I
C
=0
V
CE
=
2
V，I
C
=
200
mA
V
CE
=
2
V，I
C
=
600
mA
V
CE
=
2
V，I
C
=
2
A
I
C
=
1.5
A，I
B
=
150
mA
I
C
=
1.5
A，I
B
=
150
mA
V
CE
=
5
V，I
C
=
1.5
A
V
CB
=
10
V，I
E
=0, f=
1
兆赫
60
60
7
10
10
60
100
50
0.25
1.2
120
30
0.5
400
A
A
V
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
CC
= 30V ，我
C
= 1A ，我
B1
=-I
B2
=-0.05A
2.0
0.5
s
分类h及
FE(1)
秩
范围
M
100-200
L
160-320
K
200-400
SMD型
IC
产品speci fi cation
2SD1899-Z
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
特点
低V
CE （ SAT ）
.
+0.2
9.70
-0.2
高的hFE 。
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲） * 1
基极电流
总功耗TA = 25
总功率耗散T
C
= 25
结温
储存温度
* 1脉冲测试PW
为10ms ，占空比
50%.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
T
*2
P
T
T
j
T
英镑
等级
60
60
7
3
5
0.5
2
10
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
* 2安装在为7.5mm的陶瓷基板
2
x0.7mm
3
.8
0
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SD1899-Z
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
EB
= 7 V，I
C
= 0
V
CE
= 2V ，我
C
= 0.2 A
直流电流增益*
h
FE
V
CE
= 2V ，我
C
= 0.6 A
V
CE
= 2V ，我
C
= 2.0 A
集电极饱和电压*
基本饱和电压*
增益带宽积
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
*脉冲： PW
350 ，占空比
2%
V
CE （ SAT ）
I
C
= 1.5 A，I
B
= 0.15 A
V
BE （ SAT ）
I
C
= 1.5 A，I
B
= 0.15 A
f
T
C
ob
吨
TSTG
tf
V
CE
= 5 V，I
E
= -1.5 A
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
I
C
= 1 A，V
CC
= 10 V
I
B1
=-I
B2
=0.1A
R
L
=10
60
100
50
0.14
0.93
120
30
0.15
0.75
0.2
0.5
2
0.5
0.25
1.2
V
V
兆赫
pF
ìs
ìs
ìs
400
民
典型值
最大
10
10
单位
ìs
ìA
h
FE
分类
记号
的hFE
M
100 200
L
160 320
K
200 400
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