INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
首席执行官
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 0.2A ; R
BE
=∞,L=100mH
I
E
= 10毫安，我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 400V ;我
E
=0
V
CE
= 350V ;
BE
=∞
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 10A ; V
CE
=5V
12
5
民
400
10
2SC3365
典型值。
最大
单位
V
V
1.0
1.5
50
50
V
V
μA
μA
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 10A ;我
B1
=-I
B2
=2A
V
CC
≈150V
1.0
2.5
1.0
μs
μs
μs
2
