添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第18页 > 2SC3365
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3365
描述
·带
TO- 3PN封装
高
电压，高速
应用
For
高速和高功率
切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
500
400
10
10
20
5
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
首席执行官
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 0.2A ; R
BE
=∞,L=100mH
I
E
= 10毫安，我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 400V ;我
E
=0
V
CE
= 350V ;
BE
=∞
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 10A ; V
CE
=5V
12
5
民
400
10
2SC3365
典型值。
最大
单位
V
V
1.0
1.5
50
50
V
V
μA
μA
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 10A ;我
B1
=-I
B2
=2A
V
CC
≈150V
1.0
2.5
1.0
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3365
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3365
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3365
·
描述
与TO- 3PN封装
·高电压，高转速
应用
·适用于高转速，高功率
切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
500
400
10
10
20
5
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 0.2A ; R
BE
= ：， L = 100MH
I
E
= 10毫安，我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 400V ;我
E
=0
V
CE
= 350V ;
BE
=:
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 10A ; V
CE
=5V
12
5
民
400
10
2SC3365
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
首席执行官
h
FE-1
h
FE-2
典型值。
最大
单位
V
V
1.0
1.5
50
50
V
V
A
A
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 10A ;我
B1
=-I
B2
=2A
V
CC
?150V
1.0
2.5
1.0
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3365
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3365
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3365
描述
·带
TO- 3PN封装
高
电压，高速
应用
For
高速和高功率
切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
OR
CT
U
价值
500
400
10
10
20
5
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
首席执行官
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 0.2A ; R
BE
=∞,L=100mH
I
E
= 10毫安，我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 400V ;我
E
=0
V
CE
= 350V ;
BE
=∞
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 10A ; V
CE
=5V
12
民
400
10
2SC3365
典型值。
最大
单位
V
V
1.0
1.5
50
50
V
V
μA
μA
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
贮存时间
下降时间
I
C
= 10A ;我
B1
=-I
B2
=2A
V
CC
≈150V
OR
CT
U
5
1.0
2.5
1.0
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3365
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3365
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
4
2SC3365
硅NPN三重扩散
应用
高电压，高转速和高功率开关
概要
TO-3P
1.基地
2.收集
（法兰）
3.辐射源
1
2
3
2SC3365
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意：
1.价值在T
C
= 25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（峰值）
I
B
P
C
*
1
Tj
TSTG
评级
500
400
10
10
20
5
80
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极到发射极维持
电压
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEX （ SUS）的
民
400
400
典型值
—
—
最大
—
—
单位
V
V
测试条件
I
C
= 0.2 A，R
BE
=
∞,
L = 100毫亨
I
C
= 10 A，I
B1
= 2 A，I
B2
= –0.6 A,
V
BE
= -5.0 V，L = 180
H,
夹
I
E
= 10 mA时，我
C
= 0
V
CB
= 400 V，I
E
= 0
V
CE
= 350 V ，R
BE
=
∞
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 5 A*
1
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 10 A*
1
V
V
s
s
s
I
C
= 10 A，I
B1
= –I
B2
= 2 A,
V
CC
150 V
I
C
= 5 A，I
B
= 1 A*
1
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
10
—
—
12
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50
50
—
—
1.0
1.5
1.0
2.5
1.0
V
A
A
直流电流传输比
h
FE1
h
FE2
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
启动时间
贮存时间
下降时间
注意：
1.脉冲测试
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
t
on
t
英镑
t
f
2
2SC3365
最大集电极耗散曲线
120
集电极耗散功率PC（ W）
100
30 i
C（峰值）
集电极电流I
C
(A)
10
80
I
C（最大值）
3 （连续）
s
25
s
50
s
0
25
ms
1
安全工作区
PW
DC
=
ms
10
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
e
Op
ra
n
TIO
40
TA = 25 ° C， 1次脉冲
1
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
3
10
30
100 300 1,000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
瞬态热阻
10
集电极电流降额率
100
集电极电流降额率（ ％ ）
IS
/B
(T
C
=2
C)
5
°
热阻
θ
J-
（ ° C / W）
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01
10
m
10
s–
s
10毫秒 - 10秒
80
LIM
它
60
re
a
40
20
0.1
0.1
时间T
T
C
= 25°C
1.0
1.0
10 (s)
图10（ ms）的
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
0.01
3
2SC3365
反向安全工作的偏置区
20
集电极到发射极电压V
（ BR ） CER
(V)
300 V ， 20 A
600
I
C
= 1毫安
集电极到发射极电压
与基地发射极电阻
集电极电流I
C
(A)
16
500
12
400 V ， 10 A
8
I
B2
= –0.6 A
450 V ，2 A
400
4
0
100
200
300
400
500
集电极到发射极电压V
CE
(V)
300
100
1k
10 k
100 k
1M
基极 - 射极电阻R
BE
()
典型的传输特性
10
6
1.
典型的输出特性
10
T
C
= 25°C
V
CE
= 5 V
1.4
集电极电流I
C
(A)
6
0.6
0.5
0.4
0.3
集电极电流I
C
(A)
T
C
= 25°C
8
1.2
1.0
0.8
8
6
4
0.2
4
0.1
2
0.05 A
I
B
= 0
2
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
4
2SC3365
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
100
直流电流传输比H
FE
10
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
T
C
= 25°C
0.1 0.3
1.0
3
基极电流I
B
(A)
10
1
2
5
I
C
= 10 A
集电极到发射极饱和
电压与电流基地
30
25
75
10
T
C
=
–25
°
C
3
V
CE
= 5 V
1
0.01 0.03 0.1 0.3
1.0
3
集电极电流I
C
(A)
10
饱和电压与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
基地发射极饱和电压
V
BE （SAT）
(V)
10
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03 0.1 0.3
1.0
3
集电极电流I
C
(A)
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
T
C
= 25°C
l
C
= 5 l
B
开关时间t（微秒）
10
3
1.0
0.3
0.1
0.03
开关时间与集电极电流
t
英镑
t
f
t
on
I
C
= 5 I
B1
= –5 I
B2
~
V
CC
= 150 V
10
10
0.01
0.01 0.03 0.1 0.3
1.0
3
集电极电流I
C
(A)
5
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如日立的变化
电气与日立XX ，瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌
名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和
企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施
（三）预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并
受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前，这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着，包括瑞萨科技半导体首页
（ http://www.renesas.com ） 。
4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时
系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
2SC3365
硅NPN三重扩散
ADE - 208-892 （ Z）
1日。版
2000年9月
应用
高电压，高转速和高功率开关
概要
TO-3P
1.基地
2.收集
（法兰）
3.辐射源
1
2
3
2SC3365
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意：
1.价值在T
C
= 25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（峰值）
I
B
P
C
*
1
Tj
TSTG
评级
500
400
10
10
20
5
80
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极到发射极维持
电压
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEX （ SUS）的
民
400
400
典型值
—
—
最大
—
—
单位
V
V
测试条件
I
C
= 0.2 A，R
BE
=
∞,
L = 100毫亨
I
C
= 10 A，I
B1
= 2 A，I
B2
= –0.6 A,
V
BE
= -5.0 V，L = 180
H,
夹
I
E
= 10 mA时，我
C
= 0
V
CB
= 400 V，I
E
= 0
V
CE
= 350 V ，R
BE
=
∞
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 5 A*
1
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 10 A*
1
V
V
s
s
s
I
C
= 10 A，I
B1
= –I
B2
= 2 A,
V
CC
150 V
I
C
= 5 A，I
B
= 1 A*
1
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
10
—
—
12
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50
50
—
—
1.0
1.5
1.0
2.5
1.0
V
A
A
直流电流传输比
h
FE1
h
FE2
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
启动时间
贮存时间
下降时间
注意：
1.脉冲测试
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
t
on
t
英镑
t
f
2SC3365
最大集电极耗散曲线
120
集电极耗散功率PC（ W）
100
30 i
C（峰值）
集电极电流I
C
(A)
10
80
I
C（最大值）
3 （连续）
s
25
s
50
s
0
25
ms
1
安全工作区
PW
DC
=
m
10
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
e
Op
ra
TIO
s
40
TA = 25 ° C， 1次脉冲
1
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
3
10
30
100 300 1,000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
瞬态热阻
10
集电极电流降额率
100
集电极电流降额率（ ％ ）
IS
/B
n(
T
C
=2
C)
5
°
热阻
θ
J-
（ ° C / W）
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01
10
10
s–
ms
10毫秒 - 10秒
80
LIM
它
60
re
a
40
20
0.1
0.1
时间T
T
C
= 25°C
1.0
1.0
10 (s)
图10（ ms）的
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
0.01
查看更多2SC3365PDF信息
推荐型号
27C256-20I/L
23.1002-6
2SK2504TL
2-5502776-6
2SA639
2SD2157P
2SA1531AT
25001-0608
2593719
2520LN103Z10
23ESA104MMF50NF
2SC2878
222233860222
24PCB
2KBP08
2SC3257
20CJQ045PBF
2SD1210
208-1112LPSTP
251B120252A1TB
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC3365
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SC3365
HITACHI/日立
2443+
23000
TO-3P
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2SC3365
HIT
24+
27200
TO-3P
全新原装现货，原厂代理。
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
2SC3365
HIT
21+22+
27000
TO-3P
原装正品
深圳市芯满林科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
2SC3365
HITACHI/日立
24+
32000
TO-3P
百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SC3365
HITACHI
21+
15360
TO-3P
全新原装正品/质量有保证
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SC3365
HITACHI
21+
15360
TO-3P
全新原装正品/质量有保证
德国显周集团有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2SC3365
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9527
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市鸿金腾科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1035825679 复制 点击这里给我发消息 QQ：63023645 复制 点击这里给我发消息 QQ：1473151216 复制
电话：0755-82121176
联系人：吴小姐/朱先生
地址：罗湖区泥岗东路1116号红岗花园2栋一单元502室
2SC3365
HIT
23/24+
19
TO-3P
原厂原装
德国显周集团有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2SC3365
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8144
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2433532182 复制

电话：0755-23607529/23603360/83258002
联系人：江先生
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
2SC3365
O
2015+
3000
TO-220
香港原装现货 3-5天
查询更多2SC3365供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！