UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2N90
初步
功率MOSFET
2安培， 900伏
N沟道功率MOSFET
描述
在UTC
2N90
是用一个N沟道模式功率场效应管UTC的
先进的技术，提供的costumers与平面条形和
DMOS技术。这项技术专门允许
最低通态电阻和出色的开关性能。它
还可以在雪崩承受高能量脉冲和
换流模式。
在UTC
2N90
在高效率的开关被普遍应用
模式电源。
特点
* 2.2A ， 900V ，R
DS （ ON）
= 7.2 @V
GS
= 10 V
*通常为5.5 pF的低的Crss
*高开关速度
*典型的12 NC低栅极电荷
*改进dv / dt能力
* 100 ％的雪崩测试
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2N90L-TF3-T
2N90G-TF3-T
2N90L-TN3-R
2N90G-TN3-R
注意：
引脚分配： G：门
D：漏
包
TO-220F
TO-252
S：源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
管
带盘
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2010 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-478.a
