UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2N90
初步
功率MOSFET
2安培， 900伏
N沟道功率MOSFET
描述
在UTC
2N90
是用一个N沟道模式功率场效应管UTC的
先进的技术，提供的costumers与平面条形和
DMOS技术。这项技术专门允许
最低通态电阻和出色的开关性能。它
还可以在雪崩承受高能量脉冲和
换流模式。
在UTC
2N90
在高效率的开关被普遍应用
模式电源。
特点
* 2.2A ， 900V ，R
DS （ ON）
= 7.2 @V
GS
= 10 V
*通常为5.5 pF的低的Crss
*高开关速度
*典型的12 NC低栅极电荷
*改进dv / dt能力
* 100 ％的雪崩测试
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2N90L-TF3-T
2N90G-TF3-T
2N90L-TN3-R
2N90G-TN3-R
注意：
引脚分配： G：门
D：漏
包
TO-220F
TO-252
S：源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
管
带盘
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2010 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-478.a
2N90
参数
漏源极电压（注1 ）
栅源电压
连续
漏电流
脉冲（注1 ）
雪崩电流（注1 ）
单脉冲（注2 ）
雪崩能量
重复（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）
TO-220F
功耗
TO-252
结温
存储温度范围
初步
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
AR
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
英镑
评级
900
±30
2.2
8.8
2.2
170
8.5
4.0
25
43
+150
-55~+150
功率MOSFET
单位
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
热特性
参数
结到环境
结到外壳
包
TO-220F
TO-252
TO-220F
TO-252
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
110
5
2.85
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
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2 6
QW-R502-478.a
2N90
参数
开关特性
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极 - 源极漏电流
栅源漏电流
前锋
反向
初步
功率MOSFET
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
符号
BV
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
最小典型最大单位
900
1.0
V
V /°C的
10
A
100
100 nA的
-100 nA的
3.0
5.6
2.0
390
45
5.5
12
2.8
6.1
15
35
20
30
5.0
7.2
V
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
ns
C
△
BV
DSS
/
△
T
J
参考至25℃ ，我
D
=250A
I
DSS
I
GSS
V
DS
=900V, V
GS
=0V
V
DS
= 720V ，T
C
=125°C
V
GS
=+30V, V
DS
=0V
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=1.1A
正向跨导（注4 ）
g
FS
V
DS
= 50V ，我
D
=1.1A
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷（注4,5 ）
Q
G
V
GS
=10V, V
DS
= 720V ，我
D
=2.2A
门源费（注4,5 ）
Q
GS
栅漏电荷（注4,5 ）
Q
GD
导通延迟时间（注4,5 ）
t
D（上）
上升时间（注4,5 ）
t
R
V
DD
= 450V ，我
D
= 2.2A ，R
G
=25
关断延迟时间（注4,5 ）
t
D（关闭）
下降时间（注4,5 ）
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 2.2A ，V
GS
=0V
反向恢复时间（注4 ）
t
RR
I
S
= 2.2A ，V
GS
= 0V ，二
F
/dt=100A/s
反向恢复电荷（注4 ）
Q
RR
注： 1，重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 65mH ，我
AS
= 2.2A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
2.2A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
500
60
7.0
15
40
80
50
70
2.2
8.8
1.4
400
1.6
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3 6
QW-R502-478.a
2N90
初步
功率MOSFET
测试电路和波形
峰值二极管恢复的dv / dt测试电路波形&
DUT
R
G
+
V
DS
L
-
I
SD
V
GS
V
DD
司机
同一类型
作为DUT
dv / dt的由R控制
G
I
SD
通过脉冲周期控制
V
GS
（驱动器）
D=
门脉冲宽度
门脉冲周期
10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ DUT）的
I
RM
体二极管反向电流
V
DS
（ DUT）的
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
SD
V
DD
体二极管正向
电压降
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4 6
QW-R502-478.a
2N90
栅极电荷测试电路
初步
功率MOSFET
栅极电荷波形
V
GS
Q
G
同一类型
作为DUT
12V
200nF
50k
V
GS
DUT
3mA
300nF
V
DS
10V
Q
GS
Q
GD
收费
非钳位感应开关测试电路
V
DS
R
G
I
D
非钳位感应开关波形
E
AS
= 1李
AS2
2
BV
DSS
L
I
AS
I
D
(t)
BV
DSS
BV
DSS
-V
DD
10V
t
P
DUT
V
DD
V
DD
V
DS
(t)
时间
t
P
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2N90
初步
功率MOSFET
2A ， 900V N沟道
功率MOSFET
1
描述
在UTC
2N90
是用一个N沟道型功率MOSFET的
UTC先进的技术，提供的costumers与平面条形
和DMOS技术。这项技术专门允许
最低通态电阻和出色的开关性能。它
还可以在雪崩承受高能量脉冲和
换流模式。
在UTC
2N90
在高效率的开关被普遍应用
模式电源。
TO-252
1
TO-251
特点
* R
DS （ ON）
= 7.2 @V
GS
= 10 V
*通常为5.5 pF的低C
RSS
*高开关速度
*通常12NC低栅极电荷
*改进dv / dt能力
* 100 ％的雪崩测试
1
TO-220
1
TO-220F
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2N90L-TA3-T
2N90G-TA3-T
2N90L-TF3-T
2N90G-TF3-T
2N90L-TM3-T
2N90G-TM3-T
2N90L-TN3-R
2N90G-TN3-R
2N90L-TN3-T
2N90G-TN3-T
注：引脚分配： G：门D：漏极
S：源
包
TO-220
TO-220F
TO-251
TO-252
TO-252
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
带盘
管
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1 6
QW-R502-478.c
2N90
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
评级
单位
漏源极电压（注2 ）
V
DSS
900
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
2.2
A
连续
I
D
漏电流
脉冲（注2）
I
DM
8.8
A
雪崩电流（注2）
I
AR
2.2
A
170
mJ
单脉冲（注3 ）
E
AS
雪崩能量
重复的（注2）
E
AR
8.5
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.0
V / ns的
TO-220
85
功耗
TO-220F
P
D
25
W
TO- 251 / TO- 252
43
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 65mH ，我
AS
= 2.2A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤
2.2A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
结到外壳
包
TO-220/TO-220F
TO- 251 / TO- 252
TO-220F
TO-220F
TO- 251 / TO- 252
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
110
1.47
5
2.85
单位
° C / W
° C / W
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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QW-R502-478.c
2N90
参数
开关特性
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
漏极 - 源极漏电流
栅源漏电流
前锋
反向
初步
功率MOSFET
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
符号
测试条件
最小典型最大单位
900
1.0
V
V /°C的
10
A
100
100 nA的
-100 nA的
3.0
5.6
2.0
390
45
5.5
12
2.8
6.1
15
35
20
30
5.0
7.2
V
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
ns
C
BV
DSS
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
△
BV
DSS
/
△
T
J
参考至25℃ ，我
D
=250A
V
DS
=900V, V
GS
=0V
I
DSS
V
DS
= 720V ，T
C
=125°C
V
GS
=+30V, V
DS
=0V
I
GSS
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=1.1A
正向跨导
g
FS
V
DS
= 50V ，我
D
= 1.1A （注1 ）
动力参数
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
GS
=10V, V
DS
= 720V ，我
D
=2.2A
门源费
Q
GS
（注1,2 ）
栅漏电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
R
V
DD
= 450V ，我
D
= 2.2A ，R
G
=25
（注1,2 ）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 2.2A ，V
GS
=0V
反向恢复时间
t
rr
I
S
=2.2A,V
GS
=0V,dI
F
/dt=100A/s
（注1 ）
反向恢复电荷
Q
RR
注： 1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
2.基本上是独立工作温度
500
60
7.0
15
40
80
50
70
2.2
8.8
1.4
400
1.6
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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3 6
QW-R502-478.c
2N90
D.U.T.
初步
功率MOSFET
测试电路和波形
+
V
DS
-
+
-
L
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
峰值二极管恢复dv / dt的波形
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QW-R502-478.c
2N90
初步
功率MOSFET
测试电路和波形（续）
V
DS
90%
V
GS
10%
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
切换测试电路
开关波形
V
GS
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
收费
栅极电荷测试电路
栅极电荷波形
BV
DSS
I
AS
I
D（T）
V
DD
V
DS （T ）
t
p
时间
非钳位感应开关测试电路
非钳位感应开关波形
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