2N7002E
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
低导通电阻，R
DS （ ON）
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅，卤素和无锑，符合RoHS "Green"
装置（注2和4）
机械数据
案例： SOT -23
表壳材质：采用UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端：雾锡完成了退火合金引线框架42
（无铅电镀） 。每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
标识信息：见第3页
订购信息：见第3页
重量： 0.008克（近似值）
D
SOT-23
G
S
顶视图
顶视图
引脚输出配置
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
连续
脉冲
连续
V
GSS
I
D
价值
60
60
±20
±40
240
单位
V
V
V
mA
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压
GS
≤
1.0MΩ
栅源电压
漏电流
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
300
417
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性（注3 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注3 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
民
60
1.0
0.8
80
典型值
70
1.6
2.0
1.0
22
11
2.0
7.0
11
最大
1.0
500
±10
2.5
3
4
50
25
5.0
20
20
单位
V
A
nA
V
Ω
A
mS
pF
pF
pF
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 10μA
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±15V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 250毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 10V, V
DS
= 7.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
J
= 25°C
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.2A,
R
L
= 150Ω, V
根
= 10V ，R
根
= 25Ω
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，它可以
在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。卤素和无锑。
3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
4.产品具有数据代码V12制造（第50周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。之前的日期代码产品制造
V12内置非绿色塑封料，可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
2N7002E
文件编号： DS30376牧师8 - 2
1 4
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2010年6月
Diodes公司
