INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N6029 2N6030
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6029
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
2N6030
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
2N6029
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6030
V
CE
= -60V ;我
B
=0
V
CE
= RatedV
CB
V
CE
= RatedV
CB
; T
C
=150℃
I
EBO
发射极截止电流
2N6029
h
FE-1
直流电流增益
2N6030
h
FE-2
C
OB
f
T
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
C
= -16A ; V
CE
=-2V
I
E
=0 ; V
CB
= -10V ; F =为0.1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-20V
1.0
I
C
= -8A ; V
CE
=-2V
20
4
1000
pF
兆赫
80
V
EB
= -7V ;我
C
=0
25
-1.0
mA
-5.0
-1.0
100
mA
I
C
= -10A ;我
B
=-1A
I
C
= -16A ，我
B
=-4A
I
C
= -10A ;我
B
=-1A
I
C
= -8A ; V
CE
=-2V
V
CB
= RatedV
CBO
; I
E
=0
V
CE
= -50V ;我
B
=0
-1.0
mA
-120
-1.0
-2.0
-1.8
-1.5
-1.0
V
V
V
V
mA
条件
民
-100
V
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
I
CEV
集电极截止电流
(V
BE （OFF）的
=1.5V)
2
