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145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国
联系电话： （ 631 ） 435-1110 传真： （ 631 ） 435-1824
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
.Complement
键入2N5629 2N5630
高
功率耗散
应用
For
高电压和高功率
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6029 2N6030
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N6029
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6030
2N6029
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6030
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
-120
-7
-16
-20
-5.0
200
150
-65~200
V
A
A
A
W
℃
℃
发射极开路
-120
-100
V
条件
价值
-100
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.875
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N6029 2N6030
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6029
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
2N6030
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
2N6029
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6030
V
CE
= -60V ;我
B
=0
V
CE
= RatedV
CB
V
CE
= RatedV
CB
; T
C
=150℃
I
EBO
发射极截止电流
2N6029
h
FE-1
直流电流增益
2N6030
h
FE-2
C
OB
f
T
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
C
= -16A ; V
CE
=-2V
I
E
=0 ; V
CB
= -10V ; F =为0.1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-20V
1.0
I
C
= -8A ; V
CE
=-2V
20
4
1000
pF
兆赫
80
V
EB
= -7V ;我
C
=0
25
-1.0
mA
-5.0
-1.0
100
mA
I
C
= -10A ;我
B
=-1A
I
C
= -16A ，我
B
=-4A
I
C
= -10A ;我
B
=-1A
I
C
= -8A ; V
CE
=-2V
V
CB
= RatedV
CBO
; I
E
=0
V
CE
= -50V ;我
B
=0
-1.0
mA
-120
-1.0
-2.0
-1.8
-1.5
-1.0
V
V
V
V
mA
条件
民
-100
V
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
I
CEV
集电极截止电流
(V
BE （OFF）的
=1.5V)
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6029 2N6030
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·补键入2N5629 2N5630
·高功率耗散
应用
·对于高电压和高功率
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6029 2N6030
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
参数
2N6029
集电极 - 基极电压
2N6030
2N6029
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
2N6030
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
-120
-7
-16
-20
-5.0
200
200
-65~200
V
A
A
A
W
发射极开路
-120
-100
V
条件
价值
-100
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.875
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N6029 2N6030
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6029
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
2N6030
I
C
= -10A ;我
B
=-1A
I
C
= -16A ，我
B
=-4A
I
C
= -10A ;我
B
=-1A
I
C
= -8A ; V
CE
=-2V
V
CB
= RatedV
CBO
; I
E
=0
2N6029
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6030
V
CE
= -60V ;我
B
=0
V
CE
= RatedV
CB
V
CE
= RatedV
CB
; T
C
=150
V
EB
= -7V ;我
C
=0
2N6029
h
FE-1
直流电流增益
2N6030
h
FE-2
C
OB
f
T
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
C
= -16A ; V
CE
=-2V
I
E
=0 ; V
CB
= -10V ; F =为0.1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-20V;f=0.5MHz
1.0
I
C
= -8A ; V
CE
=-2V
20
4
1000
pF
兆赫
80
25
-1.0
mA
-5.0
-1.0
100
mA
V
CE
= -50V ;我
B
=0
-1.0
mA
-120
-1.0
-2.0
-1.8
-1.5
-1.0
V
V
V
V
mA
条件
民
-100
V
典型值。
最大
单位
符号
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
I
CEV
集电极截止电流
(V
BE （OFF）的
=1.5V)
I
EBO
发射极截止电流
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6029 2N6030
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国
联系电话： （ 631 ） 435-1110 传真： （ 631 ） 435-1824
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
.Complement
键入2N5629 2N5630
应用
For
高电压和高功率
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6029 2N6030
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
参数
2N6029
集电极 - 基极电压
2N6030
2N6029
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
2N6030
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
120
7
16
20
5.0
200
150
-65~200
V
A
A
A
W
℃
℃
发射极开路
120
100
V
条件
价值
100
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.875
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
2N6029 2N6030
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
集电极 - 发射极
维持电压
2N6029
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
2N6030
I
C
= 10A ;我
B
=1A
I
C
= 16A ;我
B
=4A
I
C
= 10A ;我
B
=1A
I
C
= 8A ; V
CE
=2V
V
CB
= RatedV
CBO
; I
E
=0
2N6029
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6030
集电极截止电流
(V
BE （OFF）的
=1.5V)
发射极截止电流
2N6029
h
FE-1
直流电流增益
2N6030
h
FE-2
C
OB
f
T
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
C
= 16A ; V
CE
=2V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F =为0.1MHz
I
C
= 1A ; V
CE
=20V
1.0
I
C
= 8A ; V
CE
=2V
20
4
1000
pF
兆赫
80
V
CE
= 60V ;我
B
=0
V
CE
= RatedV
CB
V
CE
= RatedV
CB
; T
C
=150℃
V
EB
= 7V ;我
C
=0
25
1.0
mA
5.0
1.0
100
mA
V
CE
= 50V ;我
B
=0
1.0
mA
120
1.0
2.0
1.8
1.5
1.0
V
V
V
V
mA
条件
民
100
V
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
I
CEV
I
EBO
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6029 2N6030
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
JMnic
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
.Complement
键入2N5629 2N5630
高
功率耗散
应用
For
高电压和高功率
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6029 2N6030
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
电半
固
参数
导½
条件
2N6029
集电极 - 基极电压
2N6030
发射极开路
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
的HAn
INC。
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极 - 发射极电压
ES
G
2N6029
2N6030
开基
ND
ICO
EM
OR
UCT
价值
-100
-120
-100
-120
-7
-16
-20
-5.0
单位
V
V
集电极开路
V
A
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
200
150
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.875
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N6029 2N6030
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6029
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
2N6030
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
I
C
= -10A ;我
B
=-1A
I
C
= -16A ，我
B
=-4A
I
C
= -10A ;我
B
=-1A
I
C
= -8A ; V
CE
=-2V
V
CB
= RatedV
CBO
; I
E
=0
2N6029
V
CE
= -50V ;我
B
=0
V
CE
= -60V ;我
B
=0
V
CE
= RatedV
CB
-120
-1.0
-2.0
-1.8
-1.5
-1.0
V
V
V
V
mA
条件
民
-100
V
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
I
首席执行官
固电
集电极截止电流
导½
半
2N6030
I
CEV
集电极截止电流
(V
BE （OFF）的
=1.5V)
I
EBO
发射极截止电流
的HAn
INC。
ES
G
V
CE
= RatedV
CB
; T
C
=150℃
V
EB
= -7V ;我
C
=0
ND
ICO
EM
25
20
OR
UCT
-1.0
-1.0
-5.0
-1.0
100
80
mA
mA
mA
2N6029
I
C
= -8A ; V
CE
=-2V
2N6030
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
C
OB
f
T
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
C
= -16A ; V
CE
=-2V
I
E
=0 ; V
CB
= -10V ; F =为0.1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-20V
4
1000
1.0
pF
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6029 2N6030
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
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20068
224RLS050M
2SA1497
2SD2492D
215.315XE
22-10-2141
25AA160BT-I/PG
2SC5353
2N6517TA
225P47491X
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    -
    -
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