IR02H420
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
B
） = 15V和T
A
= 25℃ ，除非另有规定。开关时间波形定义
在网络连接gure 2所示。
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
MT
t
rr
Q
rr
参数
德网络nition
导通传播延迟（见注2 ）
关断传播延迟（见注2 ）
导通上升时间（见注2 ）
关断下降时间（见注2 ）
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
反向恢复时间（ MOSFET体二极管）
反向恢复电荷（ MOSFET体二极管）
T
A
= 25C
分钟。典型值。马克斯。单位
---
---
---
---
---
---
---
130
90
80
40
30
260
0.7
200
200
120
70
---
---
---
C
ns
测试条件
V
S
= 0 V
V
S
= 500 V
I
F
= 0.7 A
的di / dt = 100A / μs的
注2：指定与图2所示切换的时间参考于MOSFET的栅极
输入电压。这表现为，何如图2 。
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
B
） = 15V和T
A
= 25℃ ，除非另有规定。输入电压和电流电平是
参考COM 。
符号
参数
德网络nition
T
A
= 25C
分钟。典型值。马克斯。单位
8.8
7.5
---
---
---
2.7
---
---
---
---
---
9.3
8.2
140
20
---
---
---
20
---
3.0
0.8
9.8
V
8.6
240
50
50
---
0.8
40
1.0
---
---
测试条件
电源特性
V
CCUV +
V
CC
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CCUV-
V
CC
电源欠压负向
门槛
I
QCC
静态V
CC
电源电流
I
QBS
静态V
BS
电源电流
I
OS
偏置电源漏电流
输入特性
V
IH
逻辑“1”的输入电压
V
IL
逻辑“0”输入电压
I
IN +
逻辑“1”的输入偏置电流
I
IN-
逻辑“0”输入偏置电流
输出特性
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
SD
二极管的正向电压
A
V
B
= V
S
= 500V
V
A
A
V
I
D
= 700毫安
T
j
= 150 C
V
CC
= 10V至20V
