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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第362页 > IR02H420
数据表号PD- 6.076
IR02H420
高压半桥
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
在半桥结构的输出功率MOSFET
500V额定击穿电压
设计为引导操作的高侧栅极驱动器
匹配的传播延迟为两个通道
独立的高侧和低侧输出通道
欠压锁定
5V施密特触发输入逻辑
半桥输出的相位差HIN
产品概述
V
IN
(最大)
t
开/关
t
rr
R
DS ( ON)
P
D
(T
A
= 25 C)
500V
130纳秒
270纳秒
3.0
2.0W
描述
该IR02H420是一个高电压,高转速的一半
桥梁。专有的HVIC和锁存免疫CMOS
技术,随着HEXFET
动力
MOSFET技术,使单一的坚固耐用
封装结构。逻辑输入兼容
与标准CMOS或LSTTL输出。前端
拥有一个独立的高侧和低侧驱动器
相位与逻辑兼容的输入信号。该
产量
设有一个半桥2 HEXFETs
具有高脉冲电流缓冲级配置
设计用于最小交叉传导,在半
桥梁。传播延迟的高侧和低侧
功率MOSFET相匹配,以简化使用。该
设备可运行在高达500伏。
IR02H420
9506
典型连接
ü P
V在
T O服务
5 0 0 V D C B美
IR 0 2 H 4 2 0
V
C C
1
V
C C
V
B
6
h的
2
h的
9
V在
L IN
3
L IN
7
V
T O服务
4
C 0 M
1。· A D
C 0 M
IR02H420
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有
电压参数参考COM绝对的电压,电流都被定义成阳性的任何领先。
热电阻和功耗额定值下测板安装和静止的空气中
条件。
符号
V
IN
V
B
VO
V
IH
/V
IL
V
CC
dv / dt的
P
D
R
θJA
T
J
T
S
T
L
参数
德网络nition
高电压源
高侧浮动电源电压的绝对值
半桥输出电压
逻辑输入电压( HIN & LIN )
低侧和逻辑固定电源电压
峰值二极管恢复的dv / dt
包装功耗@ T
A
+25C
热阻,结到环境
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
---
---
---
-55
-55
---
马克斯。
500
525
V
IN
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
25
3.5
2.00
60
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
摄氏度/ W
C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图如图1所示。为了正确的操作的设备,应使用
在推荐的条件。
符号
V
B
V
IN
VO
V
CC
V
IH
/V
IL
I
D
T
A
注1 :
参数
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高电压源
半桥输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
逻辑输入电压( HIN & LIN )
连续漏电流
环境温度
(T
A
=
25C)
(T
A
=
85C)
分钟。
VO + 10
---
(注1 )
10
0
---
---
-40
马克斯。
VO + 20
500
500
20
V
CC
0.7
0.5
125
单位
V
A
C
逻辑运算为-5 VO来保持在-5到VO 500 V.逻辑状态 - V
B.
IR02H420
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
B
) = 15V和T
A
= 25℃ ,除非另有规定。开关时间波形定义
在网络连接gure 2所示。
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
MT
t
rr
Q
rr
参数
德网络nition
导通传播延迟(见注2 )
关断传播延迟(见注2 )
导通上升时间(见注2 )
关断下降时间(见注2 )
延时匹配,HS & LS的开启/关闭
反向恢复时间( MOSFET体二极管)
反向恢复电荷( MOSFET体二极管)
T
A
= 25C
分钟。典型值。马克斯。单位
---
---
---
---
---
---
---
130
90
80
40
30
260
0.7
200
200
120
70
---
---
---
C
ns
测试条件
V
S
= 0 V
V
S
= 500 V
I
F
= 0.7 A
的di / dt = 100A / μs的
注2:指定与图2所示切换的时间参考于MOSFET的栅极
输入电压。这表现为,何如图2 。
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
B
) = 15V和T
A
= 25℃ ,除非另有规定。输入电压和电流电平是
参考COM 。
符号
参数
德网络nition
T
A
= 25C
分钟。典型值。马克斯。单位
8.8
7.5
---
---
---
2.7
---
---
---
---
---
9.3
8.2
140
20
---
---
---
20
---
3.0
0.8
9.8
V
8.6
240
50
50
---
0.8
40
1.0
---
---
测试条件
电源特性
V
CCUV +
V
CC
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CCUV-
V
CC
电源欠压负向
门槛
I
QCC
静态V
CC
电源电流
I
QBS
静态V
BS
电源电流
I
OS
偏置电源漏电流
输入特性
V
IH
逻辑“1”的输入电压
V
IL
逻辑“0”输入电压
I
IN +
逻辑“1”的输入偏置电流
I
IN-
逻辑“0”输入偏置电流
输出特性
R
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
V
SD
二极管的正向电压
A
V
B
= V
S
= 500V
V
A
A
V
I
D
= 700毫安
T
j
= 150 C
V
CC
= 10V至20V
IR02H420
功能框图
V
B
6
1
IRFC420
VIN
9
V
CC
___
HIN
___
LIN
2
IR2102
3
IRFC420
7
VO
4
COM
铅定义
符号
V
CC
HIN
LIN
V
B
V
IN
VO
COM
领导
描述
逻辑和内部栅极驱动电压。
高边半桥输出的相位差逻辑输入
对于低端半桥输出逻辑输入,相
高侧栅极驱动浮动电源。对于引导操作高压快恢复二极管是
需要从V养活
CC
到V
B
.
高电压电源。
半桥输出。
逻辑和半桥回报偏低。
铅作业
1
2
3
4
6
7
9
VIN
V
CC
HIN
V
B
V0
LIN COM
9引脚SIP W / O型信息5 & 8
IR02H420
IR02H420
___
LIN
___
HIN
50%
50%
tr
90%
花花公子
90%
tf
___
HIN
HO
V+
0
10%
10%
VO
VO
图1.输入/输出时序图
图2.开关时间波形定义
___
HIN
___
LIN
50%
50%
LO
HO
10%
MT
90%
MT
LO
HO
图3.延迟匹配波形定义
数据表号PD- 6.076
IR02H420
高压半桥
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
在半桥结构的输出功率MOSFET
500V额定击穿电压
设计为引导操作的高侧栅极驱动器
匹配的传播延迟为两个通道
独立的高侧和低侧输出通道
欠压锁定
5V施密特触发输入逻辑
半桥输出的相位差HIN
产品概述
V
IN
(最大)
t
开/关
t
rr
R
DS ( ON)
P
D
(T
A
= 25 C)
500V
130纳秒
270纳秒
3.0
2.0W
描述
该IR02H420是一个高电压,高转速的一半
桥梁。专有的HVIC和锁存免疫CMOS
技术,随着HEXFET
动力
MOSFET技术,使单一的坚固耐用
封装结构。逻辑输入兼容
与标准CMOS或LSTTL输出。前端
拥有一个独立的高侧和低侧驱动器
相位与逻辑兼容的输入信号。该
产量
设有一个半桥2 HEXFETs
具有高脉冲电流缓冲级配置
设计用于最小交叉传导,在半
桥梁。传播延迟的高侧和低侧
功率MOSFET相匹配,以简化使用。该
设备可运行在高达500伏。
IR02H420
9506
典型连接
ü P
V在
T O服务
5 0 0 V D C B美
IR 0 2 H 4 2 0
V
C C
1
V
C C
V
B
6
h的
2
h的
9
V在
L IN
3
L IN
7
V
T O服务
4
C 0 M
1。· A D
C 0 M
IR02H420
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有
电压参数参考COM绝对的电压,电流都被定义成阳性的任何领先。
热电阻和功耗额定值下测板安装和静止的空气中
条件。
符号
V
IN
V
B
VO
V
IH
/V
IL
V
CC
dv / dt的
P
D
R
θJA
T
J
T
S
T
L
参数
德网络nition
高电压源
高侧浮动电源电压的绝对值
半桥输出电压
逻辑输入电压( HIN & LIN )
低侧和逻辑固定电源电压
峰值二极管恢复的dv / dt
包装功耗@ T
A
+25C
热阻,结到环境
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
---
---
---
-55
-55
---
马克斯。
500
525
V
IN
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
25
3.5
2.00
60
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
摄氏度/ W
C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图如图1所示。为了正确的操作的设备,应使用
在推荐的条件。
符号
V
B
V
IN
VO
V
CC
V
IH
/V
IL
I
D
T
A
注1 :
参数
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高电压源
半桥输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
逻辑输入电压( HIN & LIN )
连续漏电流
环境温度
(T
A
=
25C)
(T
A
=
85C)
分钟。
VO + 10
---
(注1 )
10
0
---
---
-40
马克斯。
VO + 20
500
500
20
V
CC
0.7
0.5
125
单位
V
A
C
逻辑运算为-5 VO来保持在-5到VO 500 V.逻辑状态 - V
B.
IR02H420
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
B
) = 15V和T
A
= 25℃ ,除非另有规定。开关时间波形定义
在网络连接gure 2所示。
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
MT
t
rr
Q
rr
参数
德网络nition
导通传播延迟(见注2 )
关断传播延迟(见注2 )
导通上升时间(见注2 )
关断下降时间(见注2 )
延时匹配,HS & LS的开启/关闭
反向恢复时间( MOSFET体二极管)
反向恢复电荷( MOSFET体二极管)
T
A
= 25C
分钟。典型值。马克斯。单位
---
---
---
---
---
---
---
130
90
80
40
30
260
0.7
200
200
120
70
---
---
---
C
ns
测试条件
V
S
= 0 V
V
S
= 500 V
I
F
= 0.7 A
的di / dt = 100A / μs的
注2:指定与图2所示切换的时间参考于MOSFET的栅极
输入电压。这表现为,何如图2 。
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
B
) = 15V和T
A
= 25℃ ,除非另有规定。输入电压和电流电平是
参考COM 。
符号
参数
德网络nition
T
A
= 25C
分钟。典型值。马克斯。单位
8.8
7.5
---
---
---
2.7
---
---
---
---
---
9.3
8.2
140
20
---
---
---
20
---
3.0
0.8
9.8
V
8.6
240
50
50
---
0.8
40
1.0
---
---
测试条件
电源特性
V
CCUV +
V
CC
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CCUV-
V
CC
电源欠压负向
门槛
I
QCC
静态V
CC
电源电流
I
QBS
静态V
BS
电源电流
I
OS
偏置电源漏电流
输入特性
V
IH
逻辑“1”的输入电压
V
IL
逻辑“0”输入电压
I
IN +
逻辑“1”的输入偏置电流
I
IN-
逻辑“0”输入偏置电流
输出特性
R
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
V
SD
二极管的正向电压
A
V
B
= V
S
= 500V
V
A
A
V
I
D
= 700毫安
T
j
= 150 C
V
CC
= 10V至20V
IR02H420
功能框图
V
B
6
1
IRFC420
VIN
9
V
CC
___
HIN
___
LIN
2
IR2102
3
IRFC420
7
VO
4
COM
铅定义
符号
V
CC
HIN
LIN
V
B
V
IN
VO
COM
领导
描述
逻辑和内部栅极驱动电压。
高边半桥输出的相位差逻辑输入
对于低端半桥输出逻辑输入,相
高侧栅极驱动浮动电源。对于引导操作高压快恢复二极管是
需要从V养活
CC
到V
B
.
高电压电源。
半桥输出。
逻辑和半桥回报偏低。
铅作业
1
2
3
4
6
7
9
VIN
V
CC
HIN
V
B
V0
LIN COM
9引脚SIP W / O型信息5 & 8
IR02H420
IR02H420
___
LIN
___
HIN
50%
50%
tr
90%
花花公子
90%
tf
___
HIN
HO
V+
0
10%
10%
VO
VO
图1.输入/输出时序图
图2.开关时间波形定义
___
HIN
___
LIN
50%
50%
LO
HO
10%
MT
90%
MT
LO
HO
图3.延迟匹配波形定义
数据表号PD- 6.076
IR02H420
高压半桥
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
在半桥结构的输出功率MOSFET
500V额定击穿电压
设计为引导操作的高侧栅极驱动器
匹配的传播延迟为两个通道
独立的高侧和低侧输出通道
欠压锁定
5V施密特触发输入逻辑
半桥输出的相位差HIN
产品概述
V
IN
(最大)
t
开/关
t
rr
R
DS ( ON)
P
D
(T
A
= 25 C)
500V
130纳秒
270纳秒
3.0
2.0W
描述
该IR02H420是一个高电压,高转速的一半
桥梁。专有的HVIC和锁存免疫CMOS
技术,随着HEXFET
动力
MOSFET技术,使单一的坚固耐用
封装结构。逻辑输入兼容
与标准CMOS或LSTTL输出。前端
拥有一个独立的高侧和低侧驱动器
相位与逻辑兼容的输入信号。该
产量
设有一个半桥2 HEXFETs
具有高脉冲电流缓冲级配置
设计用于最小交叉传导,在半
桥梁。传播延迟的高侧和低侧
功率MOSFET相匹配,以简化使用。该
设备可运行在高达500伏。
IR02H420
9506
典型连接
ü P
V在
T O服务
5 0 0 V D C B美
IR 0 2 H 4 2 0
V
C C
1
V
C C
V
B
6
h的
2
h的
9
V在
L IN
3
L IN
7
V
T O服务
4
C 0 M
1。· A D
C 0 M
IR02H420
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有
电压参数参考COM绝对的电压,电流都被定义成阳性的任何领先。
热电阻和功耗额定值下测板安装和静止的空气中
条件。
符号
V
IN
V
B
VO
V
IH
/V
IL
V
CC
dv / dt的
P
D
R
θJA
T
J
T
S
T
L
参数
德网络nition
高电压源
高侧浮动电源电压的绝对值
半桥输出电压
逻辑输入电压( HIN & LIN )
低侧和逻辑固定电源电压
峰值二极管恢复的dv / dt
包装功耗@ T
A
+25C
热阻,结到环境
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
---
---
---
-55
-55
---
马克斯。
500
525
V
IN
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
25
3.5
2.00
60
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
摄氏度/ W
C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图如图1所示。为了正确的操作的设备,应使用
在推荐的条件。
符号
V
B
V
IN
VO
V
CC
V
IH
/V
IL
I
D
T
A
注1 :
参数
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高电压源
半桥输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
逻辑输入电压( HIN & LIN )
连续漏电流
环境温度
(T
A
=
25C)
(T
A
=
85C)
分钟。
VO + 10
---
(注1 )
10
0
---
---
-40
马克斯。
VO + 20
500
500
20
V
CC
0.7
0.5
125
单位
V
A
C
逻辑运算为-5 VO来保持在-5到VO 500 V.逻辑状态 - V
B.
IR02H420
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
B
) = 15V和T
A
= 25℃ ,除非另有规定。开关时间波形定义
在网络连接gure 2所示。
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
MT
t
rr
Q
rr
参数
德网络nition
导通传播延迟(见注2 )
关断传播延迟(见注2 )
导通上升时间(见注2 )
关断下降时间(见注2 )
延时匹配,HS & LS的开启/关闭
反向恢复时间( MOSFET体二极管)
反向恢复电荷( MOSFET体二极管)
T
A
= 25C
分钟。典型值。马克斯。单位
---
---
---
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130
90
80
40
30
260
0.7
200
200
120
70
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---
C
ns
测试条件
V
S
= 0 V
V
S
= 500 V
I
F
= 0.7 A
的di / dt = 100A / μs的
注2:指定与图2所示切换的时间参考于MOSFET的栅极
输入电压。这表现为,何如图2 。
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
B
) = 15V和T
A
= 25℃ ,除非另有规定。输入电压和电流电平是
参考COM 。
符号
参数
德网络nition
T
A
= 25C
分钟。典型值。马克斯。单位
8.8
7.5
---
---
---
2.7
---
---
---
---
---
9.3
8.2
140
20
---
---
---
20
---
3.0
0.8
9.8
V
8.6
240
50
50
---
0.8
40
1.0
---
---
测试条件
电源特性
V
CCUV +
V
CC
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CCUV-
V
CC
电源欠压负向
门槛
I
QCC
静态V
CC
电源电流
I
QBS
静态V
BS
电源电流
I
OS
偏置电源漏电流
输入特性
V
IH
逻辑“1”的输入电压
V
IL
逻辑“0”输入电压
I
IN +
逻辑“1”的输入偏置电流
I
IN-
逻辑“0”输入偏置电流
输出特性
R
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
V
SD
二极管的正向电压
A
V
B
= V
S
= 500V
V
A
A
V
I
D
= 700毫安
T
j
= 150 C
V
CC
= 10V至20V
IR02H420
功能框图
V
B
6
1
IRFC420
VIN
9
V
CC
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HIN
___
LIN
2
IR2102
3
IRFC420
7
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4
COM
铅定义
符号
V
CC
HIN
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V
B
V
IN
VO
COM
领导
描述
逻辑和内部栅极驱动电压。
高边半桥输出的相位差逻辑输入
对于低端半桥输出逻辑输入,相
高侧栅极驱动浮动电源。对于引导操作高压快恢复二极管是
需要从V养活
CC
到V
B
.
高电压电源。
半桥输出。
逻辑和半桥回报偏低。
铅作业
1
2
3
4
6
7
9
VIN
V
CC
HIN
V
B
V0
LIN COM
9引脚SIP W / O型信息5 & 8
IR02H420
IR02H420
___
LIN
___
HIN
50%
50%
tr
90%
花花公子
90%
tf
___
HIN
HO
V+
0
10%
10%
VO
VO
图1.输入/输出时序图
图2.开关时间波形定义
___
HIN
___
LIN
50%
50%
LO
HO
10%
MT
90%
MT
LO
HO
图3.延迟匹配波形定义
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